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11. 发明专利

JP2016181630A パターン形成方法有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：JP2016181630A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015061796
申请日：2015-03-24
申请人：株式会社東芝
发明人：日恵野敦 , 浅川鋼児
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027 , B32B15/08 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76879 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/002 , G03F7/0035 , G03F7/165 , G03F7/20 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/30604 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , B81C2201/0149
摘要：【課題】DSA技術を用いた簡易なプロセスによるパターン形成方法を提供する。【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、基板上に、第1の重合体と、第1の重合体より低い表面エネルギーを有する第2の重合体とを含むブロック共重合体層を形成し、ブロック共重合体層を熱処理し、ブロック共重合体層を、第1の重合体を含む第1の相と、第2の重合体を含む第2の相とに相分離させ、原子堆積法を用いて、第1の相上に選択的に金属層を形成し、且つ、第2の相を選択的に除去する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：通过使用DSA（定向自组装）技术进行简单的处理来提供图案形成方法。解决方案：图案形成方法包括以下步骤：在基底上形成共聚物层的块，其中包括具有比第一聚合物的表面能更小的表面能的第一聚合物和第二聚合物; 对嵌段共聚物层进行热处理; 将嵌段共聚物层相分离为包含第一聚合物的第一相和包含第二聚合物的第二相; 使用原子沉积法在第一相上选择性地形成金属层; 并选择性地去除第二相。选择图：图5

12. 发明专利

JP2016066644A 記憶装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造存储器件的方法
公开(公告)号：JP2016066644A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014193109
申请日：2014-09-22
申请人：株式会社東芝
发明人：日恵野敦 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L27/28 , H01L27/105
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/1666
摘要：【課題】低コスト化する記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板10上に、第1の重合体と、第1の重合体より低い表面エネルギーを有する第2の重合体とを含むブロック共重合体層20を形成し、ブロック共重合体層20を熱処理し、ブロック共重合体層20を、第1の重合体を含み第1の方向に伸長する第1の相20aと、第2の重合体を含み第1の方向に伸長する第2の相20bとが、交互に配列するように分離し、第1の相20aの表面に、選択的に、第1の方向に伸長する第1の金属配線層12を形成し、第1の金属配線12上に電圧の印加により抵抗が変化するメモリ層16を形成し、メモリ層16上に、第1の方向と交差する第2の方向に伸長する第2の金属配線層14を形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以较低成本制造存储装置的方法。解决方案：一种用于制造存储装置的方法，包括：形成包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物层20，所述第一聚合物和第二聚合物的表面能低于第一聚合物在基底10上; 对嵌段共聚物层20进行热处理和分离嵌段共聚物层20，使得包括第一聚合物并在第一方向上延伸的第一相20a和包含第二聚合物并在第一方向上延伸的第二相20b交替排列 ; 选择性地形成在第一相20a的表面上沿第一方向延伸的第一金属布线层12; 形成在第一金属布线层12上施加电压时电阻变化的记忆层16; 以及形成沿着与存储层16上的第一方向交叉的第二方向延伸的第二金属布线层14.选择的图示：图1

13. 发明专利

JP2016063113A 不揮発性半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2016063113A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014190931
申请日：2014-09-19
申请人：株式会社東芝
发明人：服部繁樹 , 多田宰 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 浅川鋼児 , 福住嘉晃
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/518 , G11C11/5664 , H01L27/285 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L51/0091 , H01L51/0591 , G11C16/0483
摘要：【課題】優れた電荷保持特性を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体層10と、制御ゲート電極18と、半導体層10と制御ゲート電極18との間に設けられ、分子式(1)で記述される分子構造を含む有機分子25を有する有機分子層14と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现优异的电荷保持特性的非易失性半导体存储器件。解决方案：非易失性半导体存储器件包括半导体层10，控制栅电极18和设置在半导体层10之间的有机分子层14 和控制栅极电极18，并且具有含有分子式（1）所示的分子结构的有机分子25.选择的图：图1

14. 发明专利

JP2016181567A 半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2016181567A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015060238
申请日：2015-03-24
申请人：株式会社東芝
发明人：寺井勝哉 , 服部繁樹 , 西沢秀之 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L27/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02282 , G11C11/5664 , H01L21/02118 , H01L21/28282 , H01L51/0591 , H01L27/11582 , H01L51/0077
摘要：【課題】絶縁層の薄膜化を実現する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、半導体層と、制御ゲート電極と、半導体層と制御ゲート電極との間に設けられた有機分子層と、有機分子層と半導体層との間に設けられ、アルキル鎖を含む第1の層と、第1の層と有機分子層との間に設けられシロキサンを含む第2の層と、を有する第1の絶縁層と、を備える【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现绝缘层变薄的半导体存储器件。解决方案：实施例的半导体存储器件包括半导体层，控制栅极电极，设置在半导体层和控制层之间的有机分子层栅电极和设置在有机分子层和半导体薄层之间的第一绝缘层，并且具有包含烷基链的第一层和设置在第一层和有机分子层之间并且含有硅氧烷的第二层。图：图1

15. 发明专利

JP2016181566A 半導体記憶装置有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2016181566A
公开(公告)日：2016-10-13
申请号：JP2015060237
申请日：2015-03-24
申请人：株式会社東芝
发明人：服部繁樹 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L51/05 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L51/30 , C07F9/09 , H01L27/28
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/281 , H01L51/0091 , H01L51/052 , H01L27/285
摘要：【課題】優れた電荷保持特性を実現する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体層と、制御ゲート電極と、半導体層と制御ゲート電極との間に設けられ、分子式(1)で記述される分子構造を含む有機分子を有する有機分子層と、を備える。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现优异的电荷保持特性的半导体存储器件。解决方案：半导体存储器件包括半导体层，控制栅电极和有机分子层，其设置在半导体层和控制栅极之间并且包括由分子式（1）描述的分子结构。选定的图：无

16. 发明专利

JP2016066640A 有機分子メモリ有权
标题翻译：有机分子记忆
公开(公告)号：JP2016066640A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014193009
申请日：2014-09-22
申请人：株式会社東芝
发明人：西沢秀之 , 田中裕介 , 浅川鋼児 , 真島豊
IPC分类号： H01L51/05 , H01L49/00 , H01L45/00 , H01L27/105 , H01L51/30 , H01L27/28
CPC分类号： H01L45/142 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L45/1253 , H01L51/005 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591 , H01L51/0595 , G11C2213/15 , H01L45/04
摘要：【課題】動作安定性の高い有機分子メモリを提供する。【解決手段】実施形態の有機分子メモリは、第1の仕事関数を有する第1の電極と、第2の仕事関数を有する第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に設けられ、第1の電極に化学結合し抵抗変化型分子鎖を有し第1の仕事関数より大きい第1のエネルギー準位を有する第1の有機分子と、第2の電極に化学結合し第2の仕事関数より大きく第1のエネルギー準位よりも小さい第2のエネルギー準位を有する第2の有機分子と、を含む有機分子層と、を備える。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高操作稳定性的有机分子存储器。解决方案：一个实施方案的有机分子存储器包括：具有第一功函数的第一电极; 具有第二功函数的第二电极; 以及有机分子层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且含有与所述第一电极化学键合的具有电阻变化型分子链，并且具有比所述第一功函数大的第一能级的第一有机分子，化学键合到第二电极并且具有大于第二功函数的第二能级并小于第一能级的第二有机分子。选择图：图4

17. 发明专利

JP2016063123A 有機分子メモリ审中-公开
标题翻译：有机分子记忆
公开(公告)号：JP2016063123A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014191063
申请日：2014-09-19
申请人：株式会社東芝
发明人：浅川鋼児 , 真島豊 , 西沢秀之 , 田中裕介 , 服部繁樹
IPC分类号： H01L27/28 , H01L51/05 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L51/40 , H01L51/30
CPC分类号： H01L45/142 , G11C13/0014 , H01L27/28 , H01L45/04 , H01L45/14 , G11C2213/15 , G11C2213/30 , H01L45/1253
摘要：【課題】低い電圧で動作する有機分子メモリを提供する。【解決手段】実施形態の有機分子メモリは、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、3個以上のベンゼン環から構成され、両端のベンゼン環以外のベンゼン環のオルト位又はメタ位に2個のフッ素原子が付加されるオリゴフェニレンエチニレン骨格を有する有機分子を含む有機分子層と、を備える。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供以低电压操作的有机分子存储器。解决方案：有机分子存储器包括：第一导电层; 第二导电层和含有由三个或更多个苯环构成的具有低亚苯基亚乙炔基骨架的有机分子的有机分子层，在苯环的邻位或间位以外添加两个氟原子，苯环在两端。选择图：图3

18. 发明专利

JP5843931B2 不揮発性半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP5843931B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2014183130
申请日：2014-09-09
申请人：株式会社東芝
发明人：服部繁樹 , 市原玲華 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 多田宰 , 浅川鋼児 , 福家浩之 , 御子柴智 , 福住嘉晃 , 青地英明
IPC分类号： H01L51/05 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/28

19. 发明专利

JP2015177127A 不揮発性半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2015177127A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054068
申请日：2014-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：寺井勝哉 , 多田宰 , 西沢秀之 , 服部繁樹 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/283 , H01L29/792 , H01L51/0529
摘要：【課題】優れた電荷保持特性を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層と、制御ゲート電極と、半導体層と制御ゲート電極との間に設けられ、オキシメタルもしくはクロロメタルを中心にもつポルフィリン構造を含む有機分子を有する有機分子層と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现优异的电荷保持特性的非易失性半导体存储器件。本实施例的非易失性半导体存储器件包括：半导体层; 控制栅电极; 以及设置在半导体层和控制栅电极之间的有机分子层，其具有在氧金属或氯金属的中心含有卟啉结构的有机分子。

20. 发明专利

JP5694109B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP5694109B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2011209850
申请日：2011-09-26
申请人：株式会社東芝
发明人：日恵野敦 , 服部繁樹 , 中村裕子 , 御子柴智 , 浅川鋼児 , 菅野正洋 , 清野由里子 , 東司
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/40 , B32B7/04 , B82Y30/00 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/165 , G03F7/20 , B32B2307/40

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