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11. 发明专利

TWI591421B ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及其製造方法、以及附該光罩基底用之反射層的基板及其製造方法有权
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及其制造方法、以及附该光罩基底用之反射层的基板及其制造方法
公开(公告)号：TWI591421B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102124698
申请日：2013-07-10
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/24 , H01L21/027 , B32B15/00
CPC分类号： G03F1/24

12. 发明专利

TW201616215A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及其製造方法、以及該光罩基底用之附反射層之基板及其製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及其制造方法、以及该光罩基底用之附反射层之基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201616215A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104128111
申请日：2015-08-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24
摘要：提供一種在多層反射膜表面上，EUV波長區之光的峰值反射率的面內均勻性及EUV波長區之反射光的中心波長的面內均勻性優異的EUVL用光罩基底之製造方法，以及使用於該EUVL用光罩基底之製造的EUVL用附反射層之基板及其製造方法。一種EUVL用附反射層之基板，係於基板上形成可反射EUV光之反射層者，其特徵在於：前述反射層係使低折射率層與高折射率層交替積層數次而成之多層反射膜；於構成前述多層反射膜之各層中，令至少1組彼此相鄰之低折射率層與高折射率層中之至少任1層為反射率分布補正層，且前述反射率分布補正層自前述基板中心朝半徑方向具有滿足下述式(1)之膜厚分布；-0.011x2+0.1x+100-α≦y≦-0.011x2+0.1x+100+α (1) (式(1)中，x係以相對值來表示自基板中心朝半徑方向上之位置，該相對值係以前述基板之形成前述反射層的成膜面的中心為0%且以該成膜面中離中心最遠之反射率測定位置(即外端)為100%；y係以變化率來表示該反射率分布補正層之膜厚變化量，該變化率係以該反射率分布補正層膜厚之最小值為0%且以最大值為100%；α為25)。
简体摘要：提供一种在多层反射膜表面上，EUV波长区之光的峰值反射率的面内均匀性及EUV波长区之反射光的中心波长的面内均匀性优异的EUVL用光罩基底之制造方法，以及使用于该EUVL用光罩基底之制造的EUVL用附反射层之基板及其制造方法。一种EUVL用附反射层之基板，系于基板上形成可反射EUV光之反射层者，其特征在于：前述反射层系使低折射率层与高折射率层交替积层数次而成之多层反射膜；于构成前述多层反射膜之各层中，令至少1组彼此相邻之低折射率层与高折射率层中之至少任1层为反射率分布补正层，且前述反射率分布补正层自前述基板中心朝半径方向具有满足下述式(1)之膜厚分布；-0.011x2+0.1x+100-α≦y≦-0.011x2+0.1x+100+α (1) (式(1)中，x系以相对值来表示自基板中心朝半径方向上之位置，该相对值系以前述基板之形成前述反射层的成膜面的中心为0%且以该成膜面中离中心最远之反射率测定位置(即外端)为100%；y系以变化率来表示该反射率分布补正层之膜厚变化量，该变化率系以该反射率分布补正层膜厚之最小值为0%且以最大值为100%；α为25)。

13. 发明专利

TW201131284A ＥＵＶ微影術用光學構件失效
简体标题：ＥＵＶ微影术用光学构件
公开(公告)号：TW201131284A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143003
申请日：2010-12-09
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：三上正樹
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要：本發明係提供經抑制因Ru保護層遭氧化而造成反射率降低的EUV光學構件、及該EUV光學構件製造時所使用的附反射膜基板。本發明的EUV微影術用附反射層基板,係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層及保護該反射層的保護層者,其特徵在於:前述反射層係Mo/Si多層反射膜;前述保護層係從前述反射層之側依序積層有3層構造:由Ru層或Ru化合物層構成的第1層、由Mo層構成的第2層、以及由Ru層或Ru化合物層構成的第3層。
简体摘要：本发明系提供经抑制因Ru保护层遭氧化而造成反射率降低的EUV光学构件、及该EUV光学构件制造时所使用的附反射膜基板。本发明的EUV微影术用附反射层基板,系在基板上依序形成有反射EUV光的反射层及保护该反射层的保护层者,其特征在于:前述反射层系Mo/Si多层反射膜;前述保护层系从前述反射层之侧依序积层有3层构造:由Ru层或Ru化合物层构成的第1层、由Mo层构成的第2层、以及由Ru层或Ru化合物层构成的第3层。

14. 发明专利

TW201211674A 附有ＥＵＶ微影術用反射層之基板及ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底审中-公开
简体标题：附有ＥＵＶ微影术用反射层之基板及ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底
公开(公告)号：TW201211674A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100126597
申请日：2011-07-27
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：三上正樹 , 木下健
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891
摘要：本發明之課題在於提供能抑制因Ru保護層的氧化造成反射率降低之EUV光罩基底、用於製造該EUV光罩基底之附機能膜基板，及附該機能膜之基板之製造方法。一種附有EUV微影術用反射層之基板，係於基板上依序形成有用以反射EUV光之反射層、與保護該反射層之保護層者，其特徵在於前述反射層為Mo/Si多層反射膜；前述保護層為Ru層或Ru化合物層；前述反射層與前述保護層之間形成有中間層，其係由第1層及第2層所構成，該第1層含有0.5～25at%之氮與75～99.5at%之Si，該第2層含有60～99.8at%之Ru、0.1～10at%之氮及0.1～30at%之Si；且該第1層及第2層的膜厚度合計為0.2～2.5nm；有構成前述中間層之前述第1層係形成於前述反射層側，且前述第2層係形成於前述第1層上；且前述保護層實質上不含Si。
简体摘要：本发明之课题在于提供能抑制因Ru保护层的氧化造成反射率降低之EUV光罩基底、用于制造该EUV光罩基底之附机能膜基板，及附该机能膜之基板之制造方法。一种附有EUV微影术用反射层之基板，系于基板上依序形成有用以反射EUV光之反射层、与保护该反射层之保护层者，其特征在于前述反射层为Mo/Si多层反射膜；前述保护层为Ru层或Ru化合物层；前述反射层与前述保护层之间形成有中间层，其系由第1层及第2层所构成，该第1层含有0.5～25at%之氮与75～99.5at%之Si，该第2层含有60～99.8at%之Ru、0.1～10at%之氮及0.1～30at%之Si；且该第1层及第2层的膜厚度合计为0.2～2.5nm；有构成前述中间层之前述第1层系形成于前述反射层侧，且前述第2层系形成于前述第1层上；且前述保护层实质上不含Si。

15. 发明专利

TW201131615A ＥＵＶ微影術用多層鏡及其製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用多层镜及其制造方法
公开(公告)号：TW201131615A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143004
申请日：2010-12-09
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：三上正樹 , 駒木根光彥 , 生田順亮
IPC分类号： H01L , G03F , G02B
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
摘要：提供一種經抑制由Ru保護層的氧化引起反射率降低之EUVL用多層膜鏡及其製造方法。一種EUV微影術用EUVL用多層膜鏡,其係在基板上依照順序形成反射EUV光的反射層、及保護該反射層的保護層而成之EUV微影術用多層膜鏡,其特徵為前述反射層為Mo/Si多層反射膜,前述保護層為Ru層、或Ru化合物層,並且在前述反射層與前述保護層之間,形成含有0.5-25at%的氮且含有75-99.5at%的Si之中間層。
简体摘要：提供一种经抑制由Ru保护层的氧化引起反射率降低之EUVL用多层膜镜及其制造方法。一种EUV微影术用EUVL用多层膜镜,其系在基板上依照顺序形成反射EUV光的反射层、及保护该反射层的保护层而成之EUV微影术用多层膜镜,其特征为前述反射层为Mo/Si多层反射膜,前述保护层为Ru层、或Ru化合物层,并且在前述反射层与前述保护层之间,形成含有0.5-25at%的氮且含有75-99.5at%的Si之中间层。

16. 发明专利

TW201131285A ＥＵＶ微影術用附反射層基板、ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底、ＥＵＶ微影術用反射型光罩及該附反射層基板之製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用附反射层基板、ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底、ＥＵＶ微影术用反射型光罩及该附反射层基板之制造方法
公开(公告)号：TW201131285A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143392
申请日：2010-12-09
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：三上正樹 , 駒木根光彥 , 生田順亮
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
摘要：本發明係提供經抑制因Ru保護層遭氧化所造成反射率降低的EUV光罩基底、及該EUV光罩基底製造時所使用的附反射層基板、以及該附反射層基板之製造方法。本發明的EUV微影術用附反射層基板,係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層、及保護該反射層的保護層者,其特徵在於:前述反射層係Mo/Si多層反射膜;前述保護層係Ru層或Ru化合物層;在前述反射層與前述保護層之間形成有中間層,該中間層含有0.5-25at%的氮、且含有75-99.5at%的Si。
简体摘要：本发明系提供经抑制因Ru保护层遭氧化所造成反射率降低的EUV光罩基底、及该EUV光罩基底制造时所使用的附反射层基板、以及该附反射层基板之制造方法。本发明的EUV微影术用附反射层基板,系在基板上依序形成有反射EUV光的反射层、及保护该反射层的保护层者,其特征在于:前述反射层系Mo/Si多层反射膜;前述保护层系Ru层或Ru化合物层;在前述反射层与前述保护层之间形成有中间层,该中间层含有0.5-25at%的氮、且含有75-99.5at%的Si。

17. 发明专利

TW201128300A 用於ＥＵＶ微影術之光學構件及用於ＥＵＶ微影術之附有反射層的基板之製造方法审中-公开
简体标题：用于ＥＵＶ微影术之光学构件及用于ＥＵＶ微影术之附有反射层的基板之制造方法
公开(公告)号：TW201128300A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099142123
申请日：2010-12-03
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：三上正樹
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K2201/061
摘要：提供一種經抑制Ru保護層的氧化引起反射率降低之EUV光學構件、及製造該EUV光學構件所使用之附有功能膜的基板、和該附有功能膜的基板之製造方法。一種用於EUV微影術之附有反射層的基板，其係在基板上依照順序形成有反射EUV光的反射層及保護該反射層的保護層而成之用於EUV微影術之附有反射層的基板，其特徵為前述反射層為Mo/Si多層反射膜，前述保護層為Ru層、或Ru化合物層，並且在前述反射層與前述保護層之間，形成含有0.5～20at％的氧且含有80～99.5at％的Si之中間層。
简体摘要：提供一种经抑制Ru保护层的氧化引起反射率降低之EUV光学构件、及制造该EUV光学构件所使用之附有功能膜的基板、和该附有功能膜的基板之制造方法。一种用于EUV微影术之附有反射层的基板，其系在基板上依照顺序形成有反射EUV光的反射层及保护该反射层的保护层而成之用于EUV微影术之附有反射层的基板，其特征为前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层、或Ru化合物层，并且在前述反射层与前述保护层之间，形成含有0.5～20at％的氧且含有80～99.5at％的Si之中间层。

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