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    • 12. 发明专利
    • パワー半導体モジュール
    • 功率半导体模块
    • JP2016046279A
    • 2016-04-04
    • JP2014167093
    • 2014-08-20
    • 日立オートモティブシステムズ株式会社
    • 志村 隆弘松下 晃高木 佑輔
    • H01L25/18H01L21/60H01L25/07
    • H01L2224/05554H01L2224/49113
    • 【課題】小型で、生産性に優れ、接続線のショートを抑制する 【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュールは、並列に接続された第1パワー半導体素子と第2パワー半導体素子と、前記第1パワー半導体素子及び前記第2パワー半導体素子にゲート信号を伝達する複数のゲート配線部と、前記第1パワー半導体素子の複数のゲートパッドと前記複数のゲート配線部とを接続する複数の第1ワイヤーボンディングと、前記第2パワー半導体素子の複数のゲートパッドと前記複数のゲート配線部とを接続する複数の第2ワイヤーボンディングと、を備え、前記第2ワイヤーボンディングは、前記第2ワイヤーボンディングと前記複数のゲート配線部との第2接続部が前記第1ワイヤーボンディングと前記複数のゲート配線部と第1接続部よりも、前記複数のゲート配線部の先端部側に配置されるように形成される。 【選択図】図4
    • 要解决的问题:提供一种能够抑制连接线路短路的生产率优异的小功率半导体模块。解决方案:功率半导体模块包括并联连接的第一功率半导体元件和第二功率半导体元件, 用于将栅极信号传输到第一功率半导体元件和第二功率半导体元件的多个栅极布线部分,用于连接第一功率半导体元件和多个栅极布线部分的多个栅极焊盘的多个第一引线接合,以及 多个第二引线键合,用于连接第二功率半导体元件的多个栅极焊盘和多个栅极布线部件。 第二引线键合形成为使得第二引线键合的第二连接部分和多个栅极布线部分布置成比第一引线键合的第一连接部分更靠近多个栅极布线部分的末端侧,并且 多个门接线部分。选择图:图4
    • 13. 发明专利
    • パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置
    • 功率半导体模块和功率转换装置使用它
    • JP2015211511A
    • 2015-11-24
    • JP2014090826
    • 2014-04-25
    • 日立オートモティブシステムズ株式会社
    • 志村 隆弘松下 晃高木 佑輔
    • H02M3/00H02M7/48
    • 【課題】 放熱部をケースから分割する為、当該分割部における水密性を確保することとともに回路体とケースとの熱伝導経路の熱伝導率を高めることである。 【解決手段】 回路体と、前記回路体を収納するケースと、第1放熱部材と、第2放熱部材と、押圧部材と、を備え、前記ケースの第1開口は、当該第1開口の開口面の外周長さが前記第1放熱部材の外周長さよりも小さくなるように形成され、前記ケースの第2開口は、当該第2開口の開口面の外周長さが前記第1放熱部材の外周長さよりも大きくかつ前記第2放熱部材の外周長さよりも大きくなるように形成され、前記第1放熱部材は、第1シール材を介して前記ケースの内壁側と接するように前記第1開口を覆い、前記第2放熱部材は、第2シール材を介して前記第2開口を形成する前記ケースの厚み方向の壁と接するように前記第2開口を塞ぎ、前記押圧部材は、前記第1放熱部材と前記回路体と前記第2放熱部材を押圧する。 【選択図】 図1
    • 要解决的问题:为了确保分隔部分的水密性,以便将散热单元与壳体分开,并且提高电路体与壳体之间的热传导路径的导热性。解决方案:功率半导体模块包括 电路体,用于存储电路体的壳体,第一散热构件,第二散热构件和按压构件。 壳体的第一孔形成为使得第一孔的孔面的外周长度短于第一散热构件的外周长度,并且壳体的第二孔形成为外周长度 第二开口的开口面的长度大于第一散热构件的外周长度,并且比第二散热构件的外周长度长。 散热构件通过第一密封材料覆盖第一孔,使其与壳体的内壁侧接触,第二散热构件封闭第二孔,使其与壁接触, 壳体的厚度方向,通过第二密封材料形成第二孔,并且按压构件按压第一散热构件,电路体和第二散热构件。
    • 19. 发明专利
    • 電力変換装置
    • 电源转换器件
    • JP2015208054A
    • 2015-11-19
    • JP2014085120
    • 2014-04-17
    • 日立オートモティブシステムズ株式会社
    • 高木 佑輔志村 隆弘桑野 盛雄松下 晃
    • H02M7/48
    • 【課題】シール部に対するシール特性のロバスト性を向上させることである。 【解決手段】半導体素子を有する半導体モジュール300aと、前冷媒を流すための流路形成体440と、第1シール部材351及び第2シール部材352とを備え、前記流路形成体は前記半導体モジュールが配置される流路空間481と、前記流路空間へと連通する第1開口474と、前記流路空間を挟んで前記流路形成体の一面と対向する他面から前記流路空間へ連通する第2開口475とが形成され、前記流路形成体には前記第1開口が前記第1シール部材と前記半導体モジュールにより塞がれ、前記第2開口が前記第2シール部材と前記半導体モジュールにより塞がれ、前記第1シール部材が前記第1当接面361から受ける反発力と前記第2シール部材が前記第2当接面362から受ける反発力は、より大きな力が加わる。 【選択図】図9
    • 要解决的问题:提供一种电力转换装置,其增强了对密封部分的密封特性的鲁棒性能。解决方案:电力转换装置具有半导体装置300a,半导体装置,流路形成体440, - 制冷剂流动,以及第一密封构件351和第二密封构件352.流动成形体包含其中设置有半导体模块的流通空间481,与流路空间相互连通的第一开口474, 开口475,其通过流动通道空间面对流道形成体的一个面,并且与另一个面的流通空间相互连通。 在流通成型体中,第一开口被第一密封部件和半导体模块封闭,第二开口被第二密封部件和半导体模块封闭,并且相对于第一密封部件收到的排斥力 从第一接触面361和第二密封构件从第二接触面362接收的排斥力,施加较大的力。