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11. 发明专利

TW201535575A 基板載體及應用其之處理系統與傳輸基板之方法审中-公开
简体标题：基板载体及应用其之处理系统与传输基板之方法
公开(公告)号：TW201535575A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103132563
申请日：2014-09-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王作乾 , WANG, ZUOQIAN , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/042 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45578 , C23C16/4587 , C23C16/463 , C23C16/545 , F26B3/00 , F27B1/08 , H01L21/67109 , H01L21/6732 , H01L21/67706 , H01L21/67712 , H01L21/67718 , H01L21/67742 , H05B3/03
摘要：一種適用於使用在一處理系統中的基板載體包括一電極組及一支撐底座。電極組配置以產生一靜電吸力，用以固定一基板於基板載體。支撐底座具有一加熱/冷卻槽形成於其中。電極組及支撐底座係形成一單一主體，配置以傳輸於處理系統中。一快卸連接器係耦接於主體且配置以在主體係與一熱調節媒介之一源解除耦接時，限制熱調節媒介於加熱/冷卻槽中。
简体摘要：一种适用于使用在一处理系统中的基板载体包括一电极组及一支撑底座。电极组配置以产生一静电吸力，用以固定一基板于基板载体。支撑底座具有一加热/冷却槽形成于其中。电极组及支撑底座系形成一单一主体，配置以传输于处理系统中。一快卸连接器系耦接于主体且配置以在主体系与一热调节媒介之一源解除耦接时，限制热调节媒介于加热/冷却槽中。

12. 实用新型

TWM492529U 使用具有加熱器的基板支撐台的基板支撐組件有权
简体标题：使用具有加热器的基板支撑台的基板支撑组件
公开(公告)号：TWM492529U
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW103202922
申请日：2014-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：古田學 , FURUTA, GAKU , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG
IPC分类号： H01L21/683

13. 发明专利

TW201437428A 多電極ＰＥＣＶＤ來源审中-公开
简体标题：多电极ＰＥＣＶＤ来源
公开(公告)号：TW201437428A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103120561
申请日：2009-09-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫德拉裘茲福 , KUDELA, JOZEF , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/5096 , C23C16/54 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32752
摘要：本發明之實施例大體上是關於在電漿製程中產生電漿的方法與設備。該方法與設備大體上包含複數個電極。該些電極連接至一射頻功率源，該射頻功率源以使電極彼此相異相位的方式提供功率給該些電極。藉由配置在該些電極之間並耦合至該些電極的電絕緣構件使相鄰電極彼此電性隔離。可通過該些電極及/或該些電絕緣構件輸送及/或抽出製程氣體。基材可保持電浮接，因為電漿可能通過一差動射頻源驅動器而與之電容耦合。
简体摘要：本发明之实施例大体上是关于在等离子制程中产生等离子的方法与设备。该方法与设备大体上包含复数个电极。该些电极连接至一射频功率源，该射频功率源以使电极彼此相异相位的方式提供功率给该些电极。借由配置在该些电极之间并耦合至该些电极的电绝缘构件使相邻电极彼此电性隔离。可通过该些电极及/或该些电绝缘构件输送及/或抽出制程气体。基材可保持电浮接，因为等离子可能通过一差动射频源驱动器而与之电容耦合。

14. 发明专利

TW201407072A 傳送腔室界面用的浮動狹縫閥审中-公开
简体标题：发送腔室界面用的浮动狭缝阀
公开(公告)号：TW201407072A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102138110
申请日：2008-02-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 栗田真一 , KURITA, SHINICHI , 松本隆之 , MATSUMOTO TAKAYUKI
IPC分类号： F16K51/00
CPC分类号： F16K51/02 , Y10S438/905 , Y10T29/49412
摘要：本發明一般包括用於與一腔室相接之浮動(floating)狹縫閥。一浮動狹縫閥係相對於另一物件(例如腔室)而移動或「浮動(float)」。狹縫閥可耦接於二腔室之間。當耦接至狹縫閥的腔室加熱時，狹縫閥亦可因傳導而加熱。當狹縫閥加熱時，其可能會產生熱膨脹。當腔室抽成真空時，狹縫閥可能因為真空偏差而變形。藉由在腔室及狹縫閥之間放置一個低摩擦物質間隔物，則在熱膨脹/收縮及/或真空偏差期間，狹縫閥不會磨抵腔室，因此，不會產生不期望之微粒污染物。另外，用於將狹縫閥耦接至腔室且鑽設於腔室之狹孔的尺寸設計係可容納狹縫閥之熱膨脹/收縮及/或真空偏差。
简体摘要：本发明一般包括用于与一腔室相接之浮动(floating)狭缝阀。一浮动狭缝阀系相对于另一对象(例如腔室)而移动或“浮动(float)”。狭缝阀可耦接于二腔室之间。当耦接至狭缝阀的腔室加热时，狭缝阀亦可因传导而加热。当狭缝阀加热时，其可能会产生热膨胀。当腔室抽成真空时，狭缝阀可能因为真空偏差而变形。借由在腔室及狭缝阀之间放置一个低摩擦物质间隔物，则在热膨胀/收缩及/或真空偏差期间，狭缝阀不会磨抵腔室，因此，不会产生不期望之微粒污染物。另外，用于将狭缝阀耦接至腔室且钻设于腔室之狭孔的尺寸设计系可容纳狭缝阀之热膨胀/收缩及/或真空偏差。

15. 发明专利

TW201343959A 線性電漿輔助化學氣相沈積設備审中-公开
简体标题：线性等离子辅助化学气相沉积设备
公开(公告)号：TW201343959A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102105486
申请日：2013-02-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 蘇倫珊卡爾 , SORENSEN, CARL A. , 促翁格道格拉斯 , TRUONG, DOUGLAS , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54
摘要：本發明一般係有關於一種線性電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)設備。此設備係設計來同時處理兩個基板，使得基板共用電漿源及氣體源。此設備具有數個微波源，中央地設置於設備之腔體內。此些基板設置於微波源之相對側，且氣體源設置於微波源與基板之間。共用之微波源及氣體源允許數個基板同時進行處理且減少每個基板的處理成本。
简体摘要：本发明一般系有关于一种线性等离子辅助化学气相沉积(PECVD)设备。此设备系设计来同时处理两个基板，使得基板共享等离子源及气体源。此设备具有数个微波源，中央地设置于设备之腔体内。此些基板设置于微波源之相对侧，且气体源设置于微波源与基板之间。共享之微波源及气体源允许数个基板同时进行处理且减少每个基板的处理成本。

16. 发明专利

TWI664308B 基板載體及應用其之處理系統與傳輸基板之方法有权
简体标题：基板载体及应用其之处理系统与传输基板之方法
公开(公告)号：TWI664308B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103132562
申请日：2014-09-22
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王作乾 , WANG, ZUOQIAN , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/00 , C23C14/00 , H01L21/67 , H01L21/677

17. 发明专利

TWI613848B 用於封裝有機發光二極體的方法有权
简体标题：用于封装有机发光二极管的方法
公开(公告)号：TWI613848B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW101103791
申请日：2012-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：哈斯戴特爾 , HAAS, DIETER , 懷特約翰M , WHITE, JOHN M. , 郭炳松里歐 , KWAK, BYUNG-SUNG LEO , 崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 陳志堅 , CHEN, JRJYAN JERRY , 戴蓋斯康博瓊斯密爾 , DIEGUEZ-CAMPO, JOSE MANUEL
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0014 , H01L51/5253

18. 发明专利

TW201732865A 具有溝槽狀之中空陰極的氣體擴散器审中-公开
简体标题：具有沟槽状之中空阴极的气体扩散器
公开(公告)号：TW201732865A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105137706
申请日：2016-11-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF , 劉艾倫 , LAU, ALLEN K. , 廷訥羅賓 , TINER, ROBIN L. , 古田學 , FURUTA, GAKU , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 史德林威廉羅門 , STERLING, WILLIAM NORMAN , 李東碩 , LEE, DONGSUH , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 栗田真一 , KURITA, SHINICHI
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J2237/3321
摘要：一實施例中，擴散器包括一板材，板材具有數個邊緣區域與一中心區域，與數個氣體通道及數個溝槽，氣體通道包括形成在板材的一上游側與一下游側之間的一上游通孔與流動性地耦接至上游通孔的一開孔，溝槽圍繞氣體通道，其中溝槽的一深度從板材的邊緣區域至中心區域改變。
简体摘要：一实施例中，扩散器包括一板材，板材具有数个边缘区域与一中心区域，与数个气体信道及数个沟槽，气体信道包括形成在板材的一上游侧与一下游侧之间的一上游通孔与流动性地耦接至上游通孔的一开孔，沟槽围绕气体信道，其中沟槽的一深度从板材的边缘区域至中心区域改变。

19. 发明专利

TWI585232B 線性電漿輔助化學氣相沈積設備有权
简体标题：线性等离子辅助化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI585232B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW102105486
申请日：2013-02-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫達喬瑟 , KUDELA, JOZEF , 安華蘇海 , ANWAR, SUHAIL , 蘇倫珊卡爾 , SORENSEN, CARL A. , 促翁格道格拉斯 , TRUONG, DOUGLAS , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M.
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/54

20. 发明专利

TW201705492A 薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201705492A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105119083
申请日：2016-06-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔壽永 , CHOI, SOO YOUNG , 元泰景 , WON, TAE KYUNG , 任東吉 , YIM, DONG-KIL , 懷特約翰 , WHITE, JOHN M. , 崔羿 , CUI, YI , 張雪娜 , ZHANG, XUENA
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/3262
摘要：本揭露之實施例一般係有關於用於液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)及有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED)顯示器中之低溫多晶矽(low temperature polysilicon, LTPS)薄膜電晶體的方法及裝置。
简体摘要：本揭露之实施例一般系有关于用于液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)及有机发光二极管(organic light-emitting diode, OLED)显示器中之低温多晶硅(low temperature polysilicon, LTPS)薄膜晶体管的方法及设备。

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