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12. 发明专利

TW201545258A 熱處理感受器审中-公开
简体标题：热处理感受器
公开(公告)号：TW201545258A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104114081
申请日：2015-05-01
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳英秋 , NGO, ANHTHU , 朱作明 , ZHU, ZUOMING , 拉馬查倫巴拉蘇拉馬尼安 , RAMACHANDRAN, BALASUBRAMANIAN , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 童艾德瑞克 , TONG, EDRIC , 常安中 , CHANG, ANZHONG , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 叢哲鵬 , CONG, ZHEPENG , 麥克詹姆士法西斯 , MACK, JAMES FRANCIS , 妙尼O , MYO, NYI O. , 鮑提斯塔凱文賈許 , BAUTISTA, KEVIN JOSEPH , 李學斌 , LI, XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68735 , B05C13/00 , B05C13/02 , C23C16/4585 , C30B25/12 , H01L21/67326 , H01L21/6875 , H01L21/68785
摘要：在一個實施例中，提供用於熱處理的感受器。該感受器包含：一外輪緣，該外輪緣環繞且耦合至一內盤，該外輪緣具有一內邊緣及一外邊緣。該感受器進一步包含一個或更多個結構，該一個或更多個結構用於在一基板受該感受器支撐時減低該基板及該感受器之間的一接觸表面面積。該一個或更多個結構的其中至少一者耦合至該內盤接近該外輪緣的該內邊緣。
简体摘要：在一个实施例中，提供用于热处理的感受器。该感受器包含：一外轮缘，该外轮缘环绕且耦合至一内盘，该外轮缘具有一内边缘及一外边缘。该感受器进一步包含一个或更多个结构，该一个或更多个结构用于在一基板受该感受器支撑时减低该基板及该感受器之间的一接触表面面积。该一个或更多个结构的其中至少一者耦合至该内盘接近该外轮缘的该内边缘。

13. 发明专利

TWI427449B 具有流量等化器與下內襯之蝕刻腔室有权
简体标题：具有流量等化器与下内衬之蚀刻腔室
公开(公告)号：TWI427449B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098100965
申请日：2009-01-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡杜祺詹姆斯D , CARDUCCI, JAMES D. , 劉金朋 , LO, KIN PONG , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL , 庫特尼麥可C , KUTNEY, MICHAEL C. , 米勒馬修L , MILLER, MATTHEW L.
IPC分类号： G05D11/13 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32467

14. 发明专利

TWI697364B 一體的噴嘴組件、下襯裡，及包括此之用於基板處理的設備有权
简体标题：一体的喷嘴组件、下衬里，及包括此之用于基板处理的设备
公开(公告)号：TWI697364B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108109897
申请日：2015-06-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 童艾德瑞克 , TONG, EDRIC , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 拉馬查倫巴拉蘇拉馬尼安 , RAMACHANDRAN, BALASUBRAMANIAN
IPC分类号： B05B7/02 , H01L21/20

16. 发明专利

TW201801232A 具有用於將碳污染物與表面氧化物自半導體基板去除的處理腔室之真空平臺审中-公开
简体标题：具有用于将碳污染物与表面氧化物自半导体基板去除的处理腔室之真空平台
公开(公告)号：TW201801232A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106115538
申请日：2017-05-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：勞建邦 , LO, KIN PONG , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/48
摘要：本揭露的實施一般係關於改良的真空處理系統。在一個實施中，真空處理系統包括第一移送腔室、第二移送腔室、過渡站、第一電漿清洗腔室和裝載閘腔室，該第一移送腔室耦接至至少一個磊晶處理腔室，該過渡站設置在該第一移送腔室和該第二移送腔室之間，該第一電漿清洗腔室耦接至該第二移送腔室以用於將氧化物自基板的表面去除，該裝載閘腔室耦接至該第二移送腔室。過渡站連接到第一移送腔室和第二移送腔室，及過渡站包括第二電漿清洗腔室，該第二電漿清洗腔室用於將含碳污染物自基板的表面去除。
简体摘要：本揭露的实施一般系关于改良的真空处理系统。在一个实施中，真空处理系统包括第一移送腔室、第二移送腔室、过渡站、第一等离子清洗腔室和装载闸腔室，该第一移送腔室耦接至至少一个磊晶处理腔室，该过渡站设置在该第一移送腔室和该第二移送腔室之间，该第一等离子清洗腔室耦接至该第二移送腔室以用于将氧化物自基板的表面去除，该装载闸腔室耦接至该第二移送腔室。过渡站连接到第一移送腔室和第二移送腔室，及过渡站包括第二等离子清洗腔室，该第二等离子清洗腔室用于将含碳污染物自基板的表面去除。

17. 发明专利

TW201544622A 具有注入組件的上部圓頂审中-公开
简体标题：具有注入组件的上部圆顶
公开(公告)号：TW201544622A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104104103
申请日：2015-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 常安中 , CHANG, ANZHONG , 童艾德瑞克 , TONG, EDRIC , 勞建邦 , LO, KIN PONG , 麥克詹姆士法西斯 , MACK, JAMES FRANCIS , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN , 薛卡提克 , SHAH, KARTIK , 山契斯艾羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡爾森大衛K , CARLSON, DAVID K. , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M.
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/08 , C30B25/10 , H01L21/67115
摘要：在此所提供的實施例一般關於用於將氣體傳送至半導體處理腔室的裝置。磊晶半導體處理腔室的上部石英圓頂具有複數個被形成於其內的孔洞且前驅物氣體通過上部圓頂的孔洞而被提供進入處理腔室的處理容積。氣體傳送管件從圓頂內的孔洞延伸至凸緣板，在凸緣板中管件耦接於氣體傳送線。氣體傳送裝置致使氣體能夠通過石英上部圓頂而被傳送至基板上方的處理容積。
简体摘要：在此所提供的实施例一般关于用于将气体发送至半导体处理腔室的设备。磊晶半导体处理腔室的上部石英圆顶具有复数个被形成于其内的孔洞且前驱物气体通过上部圆顶的孔洞而被提供进入处理腔室的处理容积。气体发送管件从圆顶内的孔洞延伸至凸缘板，在凸缘板中管件耦接于气体发送线。气体发送设备致使气体能够通过石英上部圆顶而被发送至基板上方的处理容积。

18. 发明专利

TW201500576A 用於半導體處理腔室的吸收反射體审中-公开
简体标题：用于半导体处理腔室的吸收反射体
公开(公告)号：TW201500576A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103115198
申请日：2014-04-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：勞建邦 , LO, KIN PONG , 布里哈特保羅 , BRILLHART, PAUL , 拉馬查倫巴拉蘇拉馬尼安 , RAMACHANDRAN, BALASUBRAMANIAN , 古波若沙堤西 , KUPPURAO, SATHEESH , 瑞特法德丹尼爾 , REDFIELD, DANIEL , 拉尼許喬瑟夫M , RANISH, JOSEPH M. , 麥克詹姆士法西斯 , MACK, JAMES FRANCIS , 帕塔雷凱拉辛奇蘭 , PATALAY, KAILASH KIRAN , 歐森麥克 , OLSEN, MICHAEL , 菲爵艾迪 , FEIGEL, EDDIE , 海爾濱理查 , HALPIN, RICHARD , 凡特黎諾派特 , VETORINO, BRETT
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/54
CPC分类号： H05B3/0047 , H01L21/67115
摘要：本揭示案的實施例大體而言係關於一種用於在熱處理腔室中使用之反射體。在一個實施例中，該熱處理腔室大體包含上圓頂；下圓頂，該下圓頂與上圓頂相對，上圓頂及下圓頂界定處理腔室之內部體積；基板支撐件，該基板支撐件設置在內部體積內；以及反射體，該反射體安置在上圓頂上方并鄰近該上圓頂，其中反射體具有吸熱塗層，該吸熱塗層沉積在反射體的面向基板支撐件的側面上。
简体摘要：本揭示案的实施例大体而言系关于一种用于在热处理腔室中使用之反射体。在一个实施例中，该热处理腔室大体包含上圆顶；下圆顶，该下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室之内部体积；基板支撑件，该基板支撑件设置在内部体积内；以及反射体，该反射体安置在上圆顶上方并邻近该上圆顶，其中反射体具有吸热涂层，该吸热涂层沉积在反射体的面向基板支撑件的侧面上。

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