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    • 12. 发明专利
    • 半導體製造設備用之氣體供給裝置
    • 半导体制造设备用之气体供给设备
    • TW200933704A
    • 2009-08-01
    • TW097130660
    • 2008-08-12
    • 富士金股份有限公司 FUJIKIN INCORPORATED
    • 西野功二 NISHINO, KOUJI土肥亮介 DOHI, RYOUSUKE永瀨正明 NAGASE, MASAAKI平田薰 HIRATA, KAORU杉田勝幸 SUGITA, KATSUYUKI池田信一 IKEDA, NOBUKAZU
    • H01LC23C
    • C23C16/455C23C16/45561C23C16/52
    • 【【課題】】在藉由MOCVD法之半導體製造設備之氣體供給裝置中,於原料氣體之供給切換時迅速使在主氣體供給管線和排氣氣體供給管線間產生之壓力差成為零,依此可以防止半導體之品質下降。【【課題解決之手段】】在具備有對反應爐供給原料氣體之主氣體供給管線和執行上述原料之排氣的排氣氣體供給管線,並在兩氣體管線之中間部配設多數氣體供給機構而所構成之藉由有機金屬氣相生長法的半導體製造設備用之氣體供給裝置中,其構成係在上述主氣體供給管線之入口側設置壓力式流量控制裝置,一邊藉由該壓力式流量控制裝置執行流量控制,一邊將特定流量之載體氣體供給至主氣體供給管線,並且在上述排氣氣體供給管線之入口側設置壓力控制裝置,一邊藉由該壓力控制裝置執行壓力調整,一邊將特定壓力之載體氣體供給至排氣氣體供給管線,使在上述壓力式流量控制裝置之流出口下游側所檢測出之主氣體供給管線之氣體壓力P10和排氣氣體供給管線之氣體壓力P2呈對比,並以使兩者之差成為零之方式,藉由壓力控制裝置調整排氣氣體供給管線之氣體壓力P2。
    • 【【课题】】在借由MOCVD法之半导体制造设备之气体供给设备中,于原料气体之供给切换时迅速使在主气体供给管线和排气气体供给管线间产生之压力差成为零,依此可以防止半导体之品质下降。【【课题解决之手段】】在具备有对反应炉供给原料气体之主气体供给管线和运行上述原料之排气的排气气体供给管线,并在两气体管线之中间部配设多数气体供给机构而所构成之借由有机金属气相生长法的半导体制造设备用之气体供给设备中,其构成系在上述主气体供给管线之入口侧设置压力式流量控制设备,一边借由该压力式流量控制设备运行流量控制,一边将特定流量之载体气体供给至主气体供给管线,并且在上述排气气体供给管线之入口侧设置压力控制设备,一边借由该压力控制设备运行压力调整,一边将特定压力之载体气体供给至排气气体供给管线,使在上述压力式流量控制设备之流出口下游侧所检测出之主气体供给管线之气体压力P10和排气气体供给管线之气体压力P2呈对比,并以使两者之差成为零之方式,借由压力控制设备调整排气气体供给管线之气体压力P2。