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11. 发明专利

JP6623594B2 固体撮像素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6623594B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2015145271
申请日：2015-07-22
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 桑澤和伸 , 中村紀元 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/146

12. 发明专利

JP2018050028A 固体撮像装置及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018050028A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017107554
申请日：2017-05-31
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 関澤充生 , 中村紀元
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H04N5/374 , H01L27/146
摘要：【課題】電荷保持領域の遮光特性を改善して、電荷保持領域に入射する光による信号電荷量の変動を低減すると共に、配線層の配線の電位変化が電荷保持領域の電位に及ぼす影響による転送特性のばらつきを改善した固体撮像装置を提供する。【解決手段】この固体撮像装置は、半導体基板に配置された受光素子、電荷保持領域、及び、浮遊拡散領域と、半導体基板における受光素子と電荷保持領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第1の転送ゲートと、半導体基板における電荷保持領域と浮遊拡散領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第2の転送ゲートと、半導体基板上に複数の層間絶縁膜を介して配置された配線を含む配線層と、配線層よりも半導体基板側に配置されて、電荷保持領域を遮光する遮光膜とを備える。【選択図】図7

13. 发明专利

JP2017108052A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017108052A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015242058
申请日：2015-12-11
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 佐久間盛敬 , 新田博明 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8224 , H01L27/082 , H01L21/8228 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L29/73 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/2253 , H01L21/8224 , H01L21/8228 , H01L27/0676 , H01L27/0814 , H01L27/0821 , H01L27/0922 , H01L29/0684 , H01L29/0692 , H01L29/66181 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/866 , H01L29/94
摘要：【課題】多様な回路を実現するために、所望の降伏電圧を有するツェナーダイオードや、容量の電圧依存性が低減されたキャパシターを混載した半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、半導体層と、半導体層の第1の領域に配置された第1導電型のウエルと、ウエルに配置された第1導電型の第1の不純物拡散領域と、半導体層の第2の領域に配置された第1導電型の第2の不純物拡散領域と、第2の不純物拡散領域上に配置された絶縁膜と、絶縁膜上に配置された電極と、少なくとも第1の不純物拡散領域上に配置された第2導電型の第3の不純物拡散領域とを備える。【選択図】図2

14. 发明专利

JP2017028106A 固体撮像素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：一种固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2017028106A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015145271
申请日：2015-07-22
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 桑澤和伸 , 中村紀元 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要：【課題】フォトダイオードから信号電荷が転送される不純物領域に残留した電荷による暗電流を低減すると共に、信号電荷の転送経路におけるポテンシャル障壁の発生を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】この固体撮像素子は、第1導電型の半導体層と、半導体層上に位置するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、半導体層に位置し、少なくともゲート電極の第1の端部よりも平面視で外側の領域に位置する第2導電型の第1の不純物領域と、半導体層に位置し、ゲート電極の第1の端部に対向する第2の端部よりも平面視で外側及び内側の領域に位置する第2導電型の第2の不純物領域と、半導体層に位置し、ゲート電極の第2の端部よりも平面視で外側の第2の不純物領域の上層に位置して第2の不純物領域に接する第1導電型の第3の不純物領域とを備える。【選択図】図1
摘要翻译： A和来自光电二极管的信号电荷，以减少暗电流由于残留在杂质区中的电荷被转移，以提供一种能够抑制在信号电荷的传送路径的势垒的发生的固态成像装置。一种固态成像器件包括：第一导电类型半导体层，位于所述半导体层上的栅极绝缘膜，位于该栅极绝缘膜上的栅电极，位于所述半导体层中，至少在栅电极第一，是在位于比端部俯视图的区域之外的第二导电型的第一杂质区，位于所述半导体层中，对所述栅电极的所述第一端部相对的第二端在比位于所述半导体层中的部件，在比栅电极的第二的第二端部俯视图的外平面图定位在外部和内部区域的第二导电型的第二杂质区并与第二杂质区接触的第一导电型的第三杂质区位于所述杂质区域的上层。点域1

15. 发明专利

JP2016178145A 固体撮像素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：固态成像元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016178145A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055696
申请日：2015-03-19
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 中村紀元 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14689 , H01L29/36 , H04N5/335 , H01L21/26586
摘要：【課題】電荷転送を行う際にポテンシャル井戸及びポテンシャル障壁の両者の発生を抑制できる固体撮像素子を提供する。【解決手段】Pウェル12と、ゲート絶縁膜19と、ゲート電極20と、前記ゲート電極の第1の端部20aより外側のPウェルに位置するP + 型のピニング層22と、少なくともゲート電極の第1の端部より内側のPウェルに位置し、かつピニング層に接するP − 型不純物領域17と、ピニング層及びP − 型不純物領域17の下方の前記半導体層に位置するN — 型不純物領域15aと、ゲート絶縁膜及びP − 型不純物領域17それぞれと接し、かつ平面視においてN — 型不純物領域15aの周囲に位置するN —— 型不純物領域15を含む固体撮像素子である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在执行电荷转移时能够抑制势阱和势垒的产生的固态成像元件。解决方案：固态成像元件包括：P阱12; 栅极绝缘膜19; 栅电极20; P型钉扎层22，其位于比栅电极的第一端部20a更靠外侧的P阱上; P型杂质区17，其位于P阱的至少比栅极的第一端更靠内侧并与钉扎层接触的位置; 位于钉扎层下方的半导体层和P型杂质区域17的N型杂质区域15a; 以及在平面图中与栅极绝缘膜和P型杂质区域17中的每一个接触并且位于N型杂质区域15a周围的N型杂质区域15.选择的图：图1

16. 发明专利

JP2020181862A 固体撮像素子および画像読読取装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020181862A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2019082687
申请日：2019-04-24
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：関澤充生 , 桑澤和伸
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146
摘要：【課題】一方の固体撮像素子の画素と、他方の固体撮像素子の画素と、の間の隙間がスキャンした画像に現れ難い固体撮像素子を提供する。【解決手段】第1導電型の第1不純物領域と、複数の第2導電型の第2不純物領域と、第2導電型の第3不純物領域と、第2不純物領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第4不純物領域と、を含み、前記第2不純物領域と、前記第1不純物領域の平面視において前記第2不純物領域と重なる部分とは、画素を構成し、複数の前記第2不純物領域と、前記第3不純物領域とは、第1方向に並び、前記第3不純物領域は、前記第1方向に並んだ複数の前記第2不純物領域および前記第3不純物領域のうちの端に位置し、前記第3不純物領域は、前記第4不純物領域と接続され、前記第3不純物領域の不純物濃度は、前記第2不純物領域の不純物濃度以上であって、前記第4不純物領域の不純物濃度よりも低い、固体撮像素子。【選択図】図2

17. 发明专利

JP6668600B2 固体撮像素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6668600B2
公开(公告)日：2020-03-18
申请号：JP2015055694
申请日：2015-03-19
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 中村紀元 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/146

18. 发明专利

JP6609948B2 固体撮像素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6609948B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2015055695
申请日：2015-03-19
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 中村紀元 , 関澤充生 , 遠藤剛廣
IPC分类号： H01L27/146

19. 发明专利

JP2018049855A 固体撮像装置及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018049855A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016182518
申请日：2016-09-20
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 中村紀元 , 関澤充生
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14616 , H04N5/335 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H04N5/379
摘要：【課題】半導体基板に配置された受光素子、電荷保持領域、及び、浮遊拡散領域を備える固体撮像装置において、受光素子から電荷保持領域に転送された信号電荷を浮遊拡散領域に転送する際における電荷の転送残りを改善する。【解決手段】この固体撮像装置は、半導体基板に配置された受光素子、電荷保持領域、及び、浮遊拡散領域と、半導体基板における受光素子と電荷保持領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第1の転送ゲートと、半導体基板における電荷保持領域と浮遊拡散領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第2の転送ゲートとを備え、第1の転送ゲートによって受光素子から電荷保持領域に転送された信号電荷が第1の転送ゲート側よりも第2の転送ゲート側に多く分布するポテンシャルの勾配を電荷保持領域に与えるように構成されている。【選択図】図6

20. 发明专利

JP2017204528A 固体撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017204528A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：JP2016094610
申请日：2016-05-10
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 中村紀元 , 関澤充生
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/369 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14643
摘要：【課題】電荷転送の経路の転送トランジスターからフローティングディフュージョンまでのポテンシャル分布の同一性を向上させた固体撮像素子を提供する。【解決手段】本発明は、PD1と第1ゲート電極15と第1FD21を含む第1転送トランジスターTX1と、PD2と第2ゲート電極16と第2FD22を含む第2転送トランジスターTX2と、PD3と第3ゲート電極17と第3FD23を含む第3転送トランジスターTX3と、ソースまたはドレイン領域の拡散層25とリセットゲート27を含むリセットトランジスターRSTと、を有し、前記第1〜第3FD及び前記拡散層25は、互いに離間しており、前記第1〜第3FD及び前記拡散層25は、互いに配線34を介して電気的に接続されており、前記PD1、前記PD2及び前記PD3は一次元状に配列されている固体撮像素子である。【選択図】図1

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