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11. 发明申请

WO2005062384A2 METHODS OF BRIDGING LATERAL NANOWIRES AND DEVICE USING SAME 审中-公开
标题翻译：使用相同的方法桥接横向纳米线和器件
公开(公告)号：WO2005062384A2
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：PCT/US2004/040597
申请日：2004-12-03
申请人： HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. , ISLAM, M., Saiful , KAMINS, Theodore, I. , SHARMA, Shashank
发明人： ISLAM, M., Saiful , KAMINS, Theodore, I. , SHARMA, Shashank
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01L21/76838 , H01L23/53271 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , Y10S977/721 , Y10S977/742 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor nanowire (162, 660) is grown laterally. A method of growing (100) the nanowire forms (120) a vertical surface (118a, 118b, 610, 620) on a substrate (102, 630, 690), and activates (130) the vertical surface with a nanoparticle catalyst (160, 640, 642). A method of laterally bridging (200) the nanowire grows (210) the nanaowire from the activated vertical surface to connect to an opposite vertical surface (118a, 118b, 610, 620) on the substrate. A method of connecting (300) electrodes (610, 620) of a semiconductor device (600) grows (330) the nanowire from an activated (320) device electrode to an opposing device electrode. A method of bridging (400) semiconductor nanowires grows (410, 420, 430) nanowires between an electrode pairs opposing lateral directions. A method of self-assembling (500) the nanowire bridges (530) the nanowire between an activated electrode pair. A method of controlling nanowire growth forms a surface irregularity (170) in the vertical surface. An electronic device (600) includes a laterally grown nano-scale interconnection (660).
摘要翻译：横向生长半导体纳米线（162,660）。在衬底（102,630,690）上生长（100）纳米线形成（120）垂直表面（118a，118b，610,620）的方法，并用纳米颗粒催化剂（160）激活垂直表面（130），640,642）。横向桥接（200）纳米线的方法从激活的垂直表面生长（210）纳米线，以连接到衬底上的相对的垂直表面（118a，118b，610,620）。连接（300）半导体器件（600）的电极（610,620）的方法从纳米线从激活的（320）器件电极生长（330）到相对的器件电极。桥接（400）半导体纳米线的方法在相对于横向方向的电极对之间生长（410,420,430）纳米线。一种在活化电极对之间自组装（500）纳米线桥（530）纳米线的方法。控制纳米线生长的方法在垂直表面形成表面不规则（170）。电子设备（600）包括横向生长的纳米级互连（660）。

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