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11. 发明专利

JP2012256864A Normally-off type high electron mobility transistor 审中-公开
标题翻译：正常型高电子移动晶体管
公开(公告)号：JP2012256864A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：JP2012102759
申请日：2012-04-27
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： GILBERTO CURATOLA , OLIVER HAEBERLEN , POZZOVIVO GUIANMAURO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/432 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a normally-off type high electron mobility transistor.SOLUTION: A normally-off type transistor includes a first region of a III-V semiconductor material, a second region of the III-V semiconductor material on the first region, a third region of the III-V semiconductor material on the second region, and a gate electrode adjacent to at least one side wall of the third region. The first region provides a channel of the transistor. The second region has a bandgap larger than that of the first region, and induces a 2D electron gas (2DEG) in the channel. The second region is inserted in the area between the first region and the third region. The third region provides a gate of the transistor, and has thickness sufficient to deplete the 2DEG in the channel so that the transistor has a positive threshold voltage.
摘要翻译：要解决的问题：提供常关型高电子迁移率晶体管。解决方案：常闭型晶体管包括III-V族半导体材料的第一区域，第一区域上的III-V族半导体材料的第二区域，III-V族半导体材料的第三区域第二区域和与第三区域的至少一个侧壁相邻的栅电极。第一区域提供晶体管的通道。第二区域具有比第一区域大的带隙，并且在通道中引入2D电子气体（2DEG）。第二区域插入在第一区域和第三区域之间的区域中。第三区域提供晶体管的栅极，并且具有足以消耗通道中的2DEG的厚度，使得晶体管具有正的阈值电压。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

12. 发明专利

JP2012151470A Semiconductor device and reverse conducting igbt 有权
标题翻译：半导体器件和反向导通IGBT
公开(公告)号：JP2012151470A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2012001955
申请日：2012-01-10
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： FRANK DIETER PFIRSCH
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a reverse conducting IGBT.SOLUTION: A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a semiconductor body (40) with a base region (1), and a first electrode (10) arranged on a main horizontal surface (15) of the semiconductor body (40). The semiconductor body (40) further includes an IGBT-cell (110) with a body region (2) forming a first pn-junction (9) with the base region (1), and a diode-cell (120) with an anode region (2a) forming a second pn-junction (9a) with the base region (1). A source region (3) in ohmic contact with the first electrode (10) and an anti-latch-up region (4) in ohmic contact with the first electrode (10) are, in a vertical cross-section, only formed in the IGBT-cell (110). The anti-latch-up region (4) has higher maximum doping concentration than the body region (2). Further a reverse conducting IGBT is provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供半导体器件和反向导通IGBT。解决方案：提供半导体器件。半导体器件包括具有基极区域（1）的半导体本体（40）和布置在半导体本体（40）的主水平表面（15）上的第一电极（10）。半导体本体（40）还包括具有与基极区（1）形成第一pn结（9）的体区（2）的IGBT单元（110）和具有阳极的二极管单元（120）与所述基极区域（1）形成第二pn结（9a）的区域（2a）。与第一电极（10）欧姆接触的源区（3）和与第一电极（10）欧姆接触的防闩锁区域（4）在垂直截面中仅形成在 IGBT单元（110）。防闩锁区域（4）具有比身体区域（2）更高的最大掺杂浓度。此外，提供反向导通IGBT。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

13. 发明专利

JP2012138593A Method for manufacturing power semiconductor device having charge compensation structure 有权
标题翻译：具有电荷补偿结构的功率半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2012138593A
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：JP2012031071
申请日：2012-02-15
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： STEFAN SEDLMAIER , ANTON MAUDER , FRANK PFIRSCH , HANS-JOACHIM SCHULZE , HELMUT STRACK , ARMIN WILLMEROTH
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L29/04 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that a defect source is formed into a planar state by a corresponding ion implantation mask without fail in charge compensation structure, and a manufacturing cost burden is large.SOLUTION: In a semiconductor device 1 which has a semiconductor substrate 4 having a drift route 5 provided between two electrodes 6 and 7, the drift route 5 includes a first conductivity type drift region for providing a current path between the electrodes 6 and 7 in the drift path, a complementary conductivity type charge compensation region 11 limits the current path in the drift route 5, accordingly the drift route 5 includes two diffusion region types 9 and 10 which are alternately grown by an epitaxial method, the first drift region type 9 has a single crystal semiconductor material on a single crystal substrate 12, the second drift region type 10 has a single crystal semiconductor material in a trench structure 13 having walls 14 and 15 which are complementarily doped, and the walls 14 and 15 form the charge compensation region 11.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决通过相应的离子注入掩模将缺陷源形成为平面状态而不会产生电荷补偿结构的问题，并且制造成本负担较大。解决方案：在具有设置在两个电极6和7之间的具有漂移路径5的半导体衬底4的半导体器件1中，漂移路径5包括用于在电极6和电极6之间提供电流路径的第一导电类型漂移区域在漂移路径中，互补导电型电荷补偿区域11限制了漂移路径5中的电流路径，因此漂移路径5包括通过外延方法交替生长的两个扩散区域类型9和10，第一漂移区域类型9在单晶衬底12上具有单晶半导体材料，第二漂移区类型10在具有互补掺杂的壁14和15的沟槽结构13中具有单晶半导体材料，并且壁14和15形成电费补偿区11.版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

14. 发明专利

JP2012044167A Silicon carbide trench semiconductor device 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2012044167A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：JP2011166865
申请日：2011-07-29
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： MICHAEL TROY , SIEMIENIEC RALF
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide trench semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device includes a silicon carbide semiconductor body. A trench extends into the silicon carbide semiconductor body on a first surface. A gate dielectric and a gate electrode are formed within the trench. A body region of a first conductivity type contacts with a sidewall of the trench. The body region is electrically coupled to a contact via a body contact region containing a higher maximum dopant concentration than that of the body region. An extension region of the first conductivity type is electrically coupled to the contact via the body region. A maximum dopant concentration in the extension region along a vertical direction perpendicular to the first surface is higher than the maximum dopant concentration of the body region along the vertical direction. A distance between the first surface and a bottom of the extension region is larger than a distance between the first surface and a bottom of the trench.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅沟槽半导体器件。解决方案：半导体器件包括碳化硅半导体本体。沟槽在第一表面上延伸到碳化硅半导体本体中。栅极电介质和栅电极形成在沟槽内。第一导电类型的主体区域与沟槽的侧壁接触。身体区域通过体内接触区域电耦合到接触区，该接触区域包含比身体区域更高的最大掺杂剂浓度。第一导电类型的延伸区域通过身体区域电耦合到接触件。沿着与第一表面垂直的垂直方向的延伸区域中的最大掺杂剂浓度高于沿着垂直方向的主体区域的最大掺杂剂浓度。延伸区域的第一表面和底部之间的距离大于沟槽的第一表面和底部之间的距离。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

15. 发明专利

JP2011129924A Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method 有权
标题翻译：具有金属载体和制造方法的半导体器件
公开(公告)号：JP2011129924A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：JP2010278873
申请日：2010-12-15
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： HAEBERLEN OLIVER , WALTER RIEGER , KADOW CHRISTOPH , ZUNDEL MARKUS
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L27/095 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/4871 , H01L21/76879 , H01L29/0626 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device with a metal carrier, and manufacturing method. SOLUTION: The semiconductor device includes a metal carrier substrate 105. Above the carrier substrate, a first semiconductor layer 115 of Al x1 Ga y1 In z1 N (x1+y1+z1=1, x1≥0, y1≥0, z1≥0) is formed. A second semiconductor layer 120 of Al x2 Ga y2 In z2 N (x2+y2+z2=1, x2>x1, y2≥0, z2≥0) is arranged on the first semiconductor layer and a gate region is arranged on the second semiconductor layer. The semiconductor device furthermore includes a source region and a drain region, wherein one of these regions is electrically coupled to the metal carrier substrate and includes a conductive region extending through the first semiconductor layer. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有金属载体的半导体器件及其制造方法。解决方案：半导体器件包括金属载体衬底105.在载体衬底上方，具有第一半导体层115的第一半导体层115和/ / SB> N（x1 + y1 + z1 = 1，x1≥0，y1≥0，z1≥0）。第二半导体层120具有在第二半导体层120中的第二半导体层120，其中N（x2 + y2 + z2 = 1，x2），x1，y2≥0 ，z2≥0）布置在第一半导体层上，栅极区域布置在第二半导体层上。该半导体器件还包括源极区和漏极区，其中这些区中的一个电耦合到金属载体衬底并且包括延伸穿过第一半导体层的导电区。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

16. 发明专利

JP2011091406A Lateral hemt, and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：横向HEMT及其制造方法
公开(公告)号：JP2011091406A
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：JP2010239152
申请日：2010-10-26
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , WALTER RIEGER
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lateral HEMT, and a method for manufacturing the same.
SOLUTION: In one embodiment, this lateral HEMT includes a first layer containing a semiconducting material, and a second layer containing a semiconductor material and arranged at least partially on the first layer. The lateral HEMT further includes a passivation layer, and a drift region including a lateral width w
d . The lateral HEMT further includes at least one field plate, the at least one field plate being arranged at least partially on the passivation layer in a region of the drift region, and including a lateral width w
f , wherein w
f d .
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供横向HEMT及其制造方法。解决方案：在一个实施例中，该横向HEMT包括含有半导体材料的第一层和包含半导体材料并且至少部分地布置在第一层上的第二层。横向HEMT还包括钝化层，以及包括横向宽度w d 的漂移区域。横向HEMT还包括至少一个场板，所述至少一个场板至少部分地布置在漂移区域的区域中的钝化层上，并且包括横向宽度w SB，其中瓦特˚F ð。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

17. 实用新型

JP3216514U 電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路有权
公开(公告)号：JP3216514U
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2018001075
申请日：2018-03-23
申请人：インフィニオンテクノロジーズオーストリアアーゲー , Infineon Technologies Austria AG
发明人：後藤貴志 , 西村康
IPC分类号： H03F3/20
摘要：【課題】高インピーダンスの負荷に出力を供給する電力増幅回路ならびに当該電力増幅回路および電源を有する回路において、消費電力を最適化する。【解決手段】電源から供給される電圧を昇圧する昇圧回路40と、昇圧された電圧を分圧し、基準電位電圧を生成する分圧回路50と、昇圧された電圧および基準電位電圧が供給される電力増幅器10と、を有する電力増幅回路100’を提供する。さらに、当該電力増幅回路と、昇圧回路に電圧を供給する電源200’と、を有する回路を提供する。【選択図】図2

18. 发明专利

JP2017108139A 半導体デバイス及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017108139A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2016238400
申请日：2016-12-08
申请人：インフィニオンテクノロジーズオーストリアアーゲー , Infineon Technologies Austria AG
发明人：ヘアベアトフッター , シュテファンシュヴァープ
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/29
CPC分类号： H01L23/26 , H01L21/56 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/495 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/83801 , H01L23/564 , H01L2924/181
摘要：【課題】半導体デバイス(100A)が提供される。【解決手段】半導体デバイスは、半導体基板を有する少なくとも1つの半導体構成要素(110)と、少なくとも1つの半導体構成要素(110)の少なくとも上に又はその一部に設けられたバリア層(120)と、を含み、その際、バリア層(120)は、ポリマー材料と、前記ポリマー材料に共有結合された有機金属錯化剤と、を含む。【選択図】図1A

19. 发明专利

JP2014187364A Method of manufacturing silicon carbide device and silicon carbide device 审中-公开
标题翻译：制造碳化硅器件和碳化硅器件的方法
公开(公告)号：JP2014187364A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2014057437
申请日：2014-03-20
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： JENS KONRATH , ANTON MAUDER , RALF OTREMBA
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/265 , H01L21/329 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L21/3085 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/73 , H01L29/7308 , H01L29/732 , H01L29/7802 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a silicon carbide device, and to provide a silicon carbide device.SOLUTION: A method of manufacturing a silicon carbide device includes a step for providing a silicon carbide wafer, and a step for producing a mask layer on the silicon carbide wafer. The method also includes a step for forming a mask layer at the edge of a silicon carbide device thus manufactured, and thereby the mask layer has a bevel at the edge of the silicon carbide device thus manufactured. Furthermore, the method includes a step for etching the mask layer and the silicon carbide wafer by a mutual etching process, and thereby the bevel of the mask layer is replicated at the edge of the silicon carbide device.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造碳化硅器件的方法，并提供一种碳化硅器件。解决方案：一种制造碳化硅器件的方法包括提供碳化硅晶片的步骤，以及用于生产碳化硅晶片的步骤掩模层在碳化硅晶片上。该方法还包括在如此制造的碳化硅器件的边缘处形成掩模层的步骤，从而掩模层在如此制造的碳化硅器件的边缘处具有斜面。此外，该方法包括通过相互蚀刻工艺蚀刻掩模层和碳化硅晶片的步骤，从而在碳化硅器件的边缘处复制掩模层的斜面。

20. 发明专利

JP2014160841A Method for producing semiconductor device structure 有权
标题翻译：生产半导体器件结构的方法
公开(公告)号：JP2014160841A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2014077175
申请日：2014-04-03
申请人： Infineon Technologies Austria Ag , インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト
发明人： SCHULZE HANS-JOACHIM , PFAFFENLEHNER MANFRED
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66333
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a robus power semiconductor device.SOLUTION: The method includes a step of carrying out a first implantation, in order to produce two differently doped semiconductor zones 22, 23 of the same conductivity type, for implanting dopant atoms of a first conductivity type into a semiconductor body via one of sides over the whole area; a step of producing a mask on the one side so as to partially expose the one surface; a step of removing at least a dopant implanted portion by moving from the one side into the region exposed by the mask in the semiconductor body; and a step of removing the mask. Before or after removing the mask, a second implantation is carried out for implanting the dopant atoms of the first conductivity type into the semiconductor body via one of sides.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种强效电力半导体器件。解决方案：该方法包括执行第一注入的步骤，以便产生相同导电类型的两个不同掺杂的半导体区域22,23，用于将掺杂剂原子通过整个区域中的一个侧面进入半导体主体的第一导电类型; 在一侧制造掩模以部分地暴露所述一个表面的步骤; 通过从半导体主体中的一侧移动到由掩模露出的区域中，至少去除掺杂剂注入部的步骤; 以及去除掩模的步骤。在去除掩模之前或之后，进行第二次注入以将第一导电类型的掺杂剂原子经由一个侧面注入半导体本体。

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