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11. 发明申请

WO2004036863A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR FEHLERKORREKTUR VON MULTIPLEX-SIGNALEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备MULTIPLEX SIGNALS纠错
公开(公告)号：WO2004036863A1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/EP2003/011193
申请日：2003-10-09
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , TROYA, Alfonso , KRSTIC, Milos , MAHARATNA, Koushik
发明人： TROYA, Alfonso , KRSTIC, Milos , MAHARATNA, Koushik
IPC分类号： H04L27/26
CPC分类号： H04L25/0204 , H04L25/022 , H04L27/2657 , H04L27/2675 , H04L2025/03414
摘要： Verfahren zum Verringern eines von einer Mehrzahl Fehlerquellen hervorgerufenen Phasenfehlers eines Signals, das in einer digitalen Frequenzdarstellung in Form einer Abfolge einer Mehrzahl digitaler Teilsignale vorliegt, die einer Anzahl Unterträgern (k) eines Trägers zugeordnet sind. Für jedes Teilsignal werden folgende Schritte durchgeführt: Entzerren des Teilsignals (Y (i,k)), Schätzen des Phasenfehlers des entzerrten Teilsignals (X(i,k)), und Korrigieren des geschätzten Phasenfehlers des entzerrten Teilsignals. Eine Realisierung dieses Verfahrens beinhaltet, dass das Entzerren das Eliminieren einer Akkumulation eines durch einen Abtastfrequenzfehler hervorgerufenen Phasenfehlers des Teilsignals über die Abfolge der Teilsignale beinhaltet, derart, dass die Akkumulation vernachlässigbar ist. Weiterhin umfasst das Schätzen einen Schritt des Erfassens einer Mehrzahl vorbestimmter Pilotsignale und das Bestimmen eines Phasenkorrekturfaktors anhand der erfassten Pilotsignale, wobei mindestens eine Multiplikationsoperation mit alleiniger Hilfe von Schiebe- und Addieroperationen durchgeführt wird. Es wird weiterhin eine entsprechende Vorrichtung beschrieben.
摘要翻译：的在多个数字子信号，其与许多穿用者的子载波（k）的相关联的序列的形式的数字频率表示从多个的当前信号的误差的相位误差的来源降低诱导方法。下面的步骤是为每个子信号执行：均衡的部分信号（Y（I，K）），估计均衡子信号的相位误差（X（I，K）），并校正均衡信号单元的估计相位误差。该方法的实现是指均衡涉及消除由在所述部分信号的序列，使得所述累积是可忽略的部分信号的相位误差的采样频率误差的累积。此外，估计包括检测多个预定的导频信号;以及确定基于所检测到的导频信号的相位校正因子的步骤，其中至少一个乘法运算，带换档的唯一手段，并进行添加。它是在相应的设备中进一步描述。

12. 发明申请

WO2003049191A3 BICMOS-STRUKTUR, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND BIPOLARTRANSISTOR FÜR EINE BICMOS-STRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003049191A3
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/EP2002/013858
申请日：2002-12-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
发明人： EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
IPC分类号： H01L29/73
摘要： Diese Erfindung betrifft einen Bipolartransistor mit epitaktisch gewachsener Basis und selbstpositioniertem Emitter, wodurch die Basis gebildet wird aus einem ersten, im Wesentlichen einkristallinen epitaktischen Bereich (1), welcher parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrates (2) angeordnet ist und aus einem zweiten, im Wesentlichen polykristallinen und hochdotierten Bereich (3) gleichen Leitungstyps, welcher senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist und den ersten Bereich an allen Seiten umschliesst und dass dieser zweite Bereich mindestens an einer Seite, vorzugsweise aber an allen 4 Seiten, mit einer dritten, vorzugsweise hochdotierten oder metallisch leitenden, hochtemperaturbeständigen polykristallinen Schicht (4) leitend verbunden ist, welche parallel zur Oberfläche des halbleitersubstrates angeordnet ist und den äusseren Basiskontakt zu einem metallischen Leitbahnsystem bildet bzw. einschliesst. Eine weitere Aufgabe ist es, eine verbesserte BiCMos-Struktur zur verfügung zu stellen.

13. 发明申请

WO2003049191A2 BICMOS-STRUKTUR, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND BIPOLARTRANSISTOR FÜR EINE BICMOS-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译： BICMOS结构，生产以及为双极晶体管的BiCMOS结构方法
公开(公告)号：WO2003049191A2
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/EP2002/013858
申请日：2002-12-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
发明人： EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
摘要： Diese Erfindung betrifft einen Bipolartransistor mit epitaktisch gewachsener Basis und selbstpositioniertem Emitter, wodurch die Basis gebildet wird aus einem ersten, im Wesentlichen einkristallinen epitaktischen Bereich (1), welcher parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrates (2) angeordnet ist und aus einem zweiten, im Wesentlichen polykristallinen und hochdotierten Bereich (3) gleichen Leitungstyps, welcher senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist und den ersten Bereich an allen Seiten umschliesst und dass dieser zweite Bereich mindestens an einer Seite, vorzugsweise aber an allen 4 Seiten, mit einer dritten, vorzugsweise hochdotierten oder metallisch leitenden, hochtemperaturbeständigen polykristallinen Schicht (4) leitend verbunden ist, welche parallel zur Oberfläche des halbleitersubstrates angeordnet ist und den äusseren Basiskontakt zu einem metallischen Leitbahnsystem bildet bzw. einschliesst.
摘要翻译：本发明涉及一种具有外延生长的基极和selbstpositioniertem发射极的双极晶体管，其中所述基座由第一基本单晶的外延区域1形成，其设置成平行于所述半导体基板2和第二多晶的表面基本上和高掺杂区3 相同的导电类型，其被布置成垂直于衬底表面，并围绕在所有侧面上的第一区域，并且该第二部分连接的至少在一侧上，但优选在所有4个侧面，导电地连接到第三，优选高掺杂或金属导电，耐高温多晶层4 设置成平行于所述半导体基板的表面与形成外基极接触到金属导体轨道，并包括。

14. 发明申请

WO2003046600A3 SYSTEM UND VERFAHREN ZUR STANDORTBESTIMMUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046600A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013474
申请日：2002-11-26
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , DIETRICH, Burkhart , KRAEMER, Rolf
发明人： DIETRICH, Burkhart , KRAEMER, Rolf
IPC分类号： G01S13/87
摘要： Das erfindungsgemässe System zum Bestimmen des Standorts eines Mobilterminals umfasst eine Basisstation (1) und mindestens zwei Zeitmessstationen (3). Die Zeitmessstation (3) umfassen jeweils eine Zeiterfassungseinheit mit der die Ankunftszeit eines von dem Mobilterminal (5) ausgehenden Signals erfasst werden kann, wobei in den Zeiterfassungseinheit (3) jeweils ein Schieberegister und ein Korrelator vorhanden sind. Ausserdem umfasst das System eine Standortbestimmungseinheit zur Berechnung des Standortes aus den erfassten Ankunftszeiten. Zum Bestimmen des Standortes des Mobilterminals (5) sendet eine Basisstationen (1), ein Ursprungssignal an das Mobilterminal (5) aus. Das Mobilterminal (5) antwortet mit einem Antwortsignal, das an mindestens zwei Zeitmessstationen (3) gesendet wird. In den Zeitmessstationen wird die Ankunftszeit des jeweils empfangenen Antwortsignals ermittelt. Aus den Ankunftszeiten des Antwortsignals an den verschiedenen Zeitmesstationen (3) wird dann der Standort des Mobilterminals (5) berechnet.

15. 发明申请

WO2022043513A1 DIODE WITH LIGHT-SENSITIVE INTRINSIC REGION 审中-公开
公开(公告)号：WO2022043513A1
公开(公告)日：2022-03-03
申请号：PCT/EP2021/073776
申请日：2021-08-27
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： LISCHKE, Stefan
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G02F1/025
摘要： The present invention relates to a diode (300) comprising a p-doped region (312), an n-doped region (314), and a light-sensitive intrinsic region (310) sandwiched laterally between the p-doped region (312) and the n-doped region (314) in a direction transverse to a direction of light propagation in the diode (300). The p-doped region (312) is made of a first material doped with a first type of dopant and the n-doped region (314) is made of a third material doped with a second type of dopant. The first material includes Si or SiGe. The third material includes Si or SiGe. The intrinsic region (310) is made of a second material different to at least one of the first material and the second material. The second material includes Ge, GeSn, or SiGe. The intrinsic region (310) has a maximal lateral extension between two lateral ends (318, 320) of the intrinsic region (310) of equal to or below 400 nm. The p-doped region (312) and the n-doped region (314) are in-situ doped such that the intrinsic region (310) is not doped when the diode (300) is produced.

16. 发明申请

WO2021122723A1 SUBSTRATE AND METHOD FOR MONOLITHIC INTEGRATION OF ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC DEVICES 审中-公开
公开(公告)号：WO2021122723A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/EP2020/086390
申请日：2020-12-16
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MAI, Andreas , KNOLL, Dieter
IPC分类号： H01L27/06 , G02B6/13 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L21/84 , G02B6/131 , G02B6/4274 , H01L21/76283 , H01L27/0617 , H01L27/0635 , H01L27/1207
摘要： The invention relates to a silicon-based multifunction substrate. The silicon-based multifunction substrate comprises bulk silicon regions (102) extending from a front surface to a back surface of the silicon- based multifunction substrate and at least one buried oxide layer (108.1, 108.2) laterally arranged between the bulk silicon regions. The buried oxide layer is covered by a structured silicon layer (110.1, 110.2) extending up to the front surface. The structured silicon layer comprises, laterally arranged between the bulk silicon regions, at least two silicon-on-insulator regions, herein SOI regions, with different thicknesses above the buried oxide layer. The SOI regions of the structured silicon layer are electrically insulated from each other by a respective first trench isolation extending from the front surface to the buried oxide layer.

17. 发明申请

WO2021115793A1 SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021115793A1
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：PCT/EP2020/083492
申请日：2020-11-26
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN , IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： CARTA, Corrado , PANIC, Goran , KLUKAS, Ralf
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01Q1/22 , H01Q23/00 , H01Q13/10 , H01Q19/06 , H01Q21/00 , H01Q21/06
摘要： A semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure are disclosed, wherein the semiconductor structure (100) includes: a substrate (102), comprising a first side (104) and a second side (106); a metal layer stack (108) disposed over the first side (104) of the substrate (102), wherein the metal layer stack (108) includes a plurality of metallization layers (110) and interdielectric layers and wherein an antenna element (112) is formed in the metal layer stack (108); wherein the antenna element (112) is configured to align the main radiation direction of the antenna element (112) in direction of the substrate (102); and wherein the second side (106) of the substrate is configured as a dielectric resonator (114).

18. 发明申请

WO2016120362A1 INTRINSISCHE AUTHENTIFIZIERUNG VON PROGRAMCODE 审中-公开
标题翻译：程序代码固有鉴别
公开(公告)号：WO2016120362A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2016/051756
申请日：2016-01-28
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： STECKLINA, Oliver , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： H04L9/06 , H04L9/00 , G06F21/12 , G09C1/00
CPC分类号： H04L9/0662 , G06F21/125 , G09C1/00 , H04L9/002 , H04L9/0637 , H04L2209/12 , H04L2209/20
摘要： Krypto-Prozessor, umfassend einen Prozessorkern zum Empfang und zur Ausführung von Instruktionen eines Programmcodes, dem ein Programmablaufplan zugrundeliegt, eine Programmspeichereinheit, die den Programmcode mit Instruktionen in einzeln verschlüsselter Form speichert, wobei die Instruktionen jeweils mindestens ein Instruktionsdatenwort und einen der jeweiligen Instruktion zugeordneten Instruktions-Datenschlüssel enthalten, eine jeweilige Instruktion unter Verwendung eines Programm-Datenschlüssels und des Instruktions-Datenschlüssels einer jeweiligen Vorgängerinstruktion verschlüsselt ist, welche gemäß dem Programmablaufplan unmittelbar vorher auszuführen ist, und wobei nur in dem Fall, dass eine betreffende Instruktion im Programmablaufplan eine Mehrzahl möglicher Vorgängerinstruktionen hat, den betreffenden möglichen Vorgängerinstruktionen derselbe Instruktions-Datenschlüssel zugeordnet ist, die jeweiligen Instruktions-Datenschlüssel ansonsten aber instruktions-individuell sind; und eine Entschlüsselungseinheit, die ausgebildet ist, von der Programmspeichereinheit her die verschlüsselten Instruktionen zu empfangen und eine jeweilige empfangene verschlüsselte Instruktion unter Verwendung des Programm-Datenschlüssels und des Instruktions-Datenschlüssels der betreffenden Vorgängerinstruktion zu entschlüsseln, das so aktuell entschlüsselte mindestens eine Instruktionsdatenwort der Instruktion dem Prozessorkern zur Ausführung der Instruktion zuzuführen sowie den so aktuell entschlüsselten Instruktions-Datenschlüssel zur Verwendung bei der Entschlüsselung der unmittelbar nächsten empfangenen verschlüsselten Instruktion vorzuhalten.
摘要翻译：密码处理器，包括：用于接收并执行的程序代码，这是设置流程图，其存储与在单独加密形式的指令的程序代码的程序存储单元，指令的处理器核心，其特征在于在每种情况下的指示的至少一个指令数据字与相应的指令相关联的指令中的一个 -Datenschlüssel包含相应的指令利用程序数据密钥和相应的前导指令的指令数据密钥进行加密，以根据流程图来立即执行的上方，并且其中，仅在所讨论中的程序中的指令调度多个可能的前驱指令的情况下已经有问题的可能的前驱指令与所述相同的指令数据项，相应的指令数据密钥，但是否则指令INDI相关联是vidually; 以及被配置的解密单元，用于接收从所述程序存储单元产生的加密的指令，并使用该程序的数据密钥和相应的前导指令的指令数据密钥，这作为局部解密的指令的至少一个指令数据字到解密各自的接收加密的指令用于指令的执行，以及在如此自责供给处理器核心当前解码为在接收到的加密立即下一指令的解密使用指令的数据密钥。

19. 发明申请

WO2015071317A1 OPTISCHE KOPPELVORRICHTUNG UND BETRIEBSVERFAHREN DAFÜR 审中-公开
标题翻译：光耦合装置和运算之方法
公开(公告)号：WO2015071317A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/EP2014/074385
申请日：2014-11-12
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： KROH, Marcel , JÄGER, Matthias , VOLKMANN, Danny
IPC分类号： G02B6/30 , G02B6/42
CPC分类号： G02B6/30 , G02B6/4227
摘要： Betriebsverfahren einer selbstjustierenden optischen Koppelvorrichtung zum selbsttätigen Ermitteln eines zu einer eingestellten Abstands-Stellgröße gehörigen Abstandswertes zwischen einer einen Lichtstrahl aussendenden optischen Quelle und einer optischen Senke, in die der Lichtstrahl einzukoppeln ist, umfassend: - Bereitstellen von Referenz-Strahlweitedaten, die Werte einer Strahlweite als Funktion unterschiedlicher Abstandswerte zwischen einer Auskoppelebene der Quelle und einer Einkoppelebene der Senke repräsentieren; - Einstellen einer Vielzahl lateraler Relativpositionen von Quelle und Senke bei ein und derselben, die Einkoppelebene bestimmenden Abstands-Stellgröße, und jeweils Erfassen eines Intensitätssignals, das ein Maß für eine von einer Auskoppelfläche der Quelle in der Auskoppelebene ausgekoppelte und in die Einkoppelfläche der Senke eingekoppelte Lichtintensität ist; - Berechnen eines Wertes einer die Strahlweite des von der Quelle ausgekoppelten Lichtstrahls in der Einkoppelebene repräsentierenden Größe anhand der erfassten Lichtintensitäten in der Vielzahl lateraler Relativpositionen; und - Bestimmen des senkrechten Abstandswertes, welcher der eingestellten Abstands-Stellgröße zugeordnet ist, anhand des ermittelten Wertes der Strahlweite und anhand der Referenz-Strahlweitedaten.
摘要翻译：提供参考光束尺寸数据，波束宽度的为值 - ：操作自对准光耦合装置用于自动确定属于发光光源和光学接收器，其中，所述光束将被耦合操纵的光束之间的可变距离的值设定的距离的方法，包括一个Auskoppelebene源和阱，分别的耦合输入之间的不同距离值的功能; - 设定多个源的横向的相对位置，并在一个相同的，所述耦合确定的距离操纵变量下沉，并且每个检测的强度信号，其是用于从在Auskoppelebene源的输出表面的解耦和耦合到水槽光强度的耦合表面的量度是; - 计算从表示基于在所述多个横向的相对位置的检测到的光强度的耦合大小的源光光束的解耦的光束宽度的值; 以及 - 确定的垂直距离值，该值被分配给该组距离控制变量的基础上，波束宽度的确定值和参考光束宽度的数据的基础上。

20. 发明申请

WO2014191425A1 ELEKTRONISCH SCHWENKBARE GRUPPENANTENNE MIT BROADCAST-BASIERTER STEUERUNG 审中-公开
标题翻译：电子SWING GROUP天线，基于广播的控制
公开(公告)号：WO2014191425A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/EP2014/060986
申请日：2014-05-27
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： GRASS, Eckhard , MELIANI, Chafik
IPC分类号： H01Q3/26 , H01Q3/36 , H01Q23/00
CPC分类号： H01Q3/2676 , H01Q3/36 , H01Q23/00 , H04L65/4076
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine phasengesteuerte Gruppenantenne (10) mit elektronisch veränderbarem Antennendiagramm, wobei Steuersignale für mindestens zwei phasengesteuerte Antennenelemente (13) für eine Broadcast-Übertragung verarbeitet und zu den phasengesteuerten Antennenelementen (13) über ein drahtloses Medium oder unter Verwendung von Zuführleitungen für Nutzsignalkomponente der phasengesteuerten Antennenelemente in einem vom Frequenzband der Nutzsignalkomponenten abweichenden Frequenzband rundübertragen werden. Durch die Verwendung des Broadcast-Übertragungsverfahrens in einem abweichenden Frequenzband sind keine zusätzlichen Signale und Leitungen für die Gruppenantenne erforderlich und die Komplexität der Gruppenantenne kann verringert und die Flexibilität und Rekonfigurierbarkeit verbessert werden.
摘要翻译：本发明涉及一种相控阵天线（10）具有电子可变天线图，其中，用于对广播传输和相控阵天线元件（13）通过无线介质，或者用于wanted-使用进料管线处理的至少两个相控阵天线元件（13）的控制信号相控阵天线元件大致在不同的频带从所述有用信号的频带发射。通过以不同的频带中的信号以及任何附加的线需要的阵列天线和阵列天线的复杂性使用广播传输方法可以减少，并且柔韧性和可重新配置性的提高。

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