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121. 发明专利

TW201428940A 半導體裝置、ＭＩＳ型電晶體及多層配線基板审中-公开
简体标题：半导体设备、ＭＩＳ型晶体管及多层配线基板
公开(公告)号：TW201428940A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102141493
申请日：2013-11-14
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/02258 , H01L23/5329 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明的課題是在於簡便地提供一種高效率，可生產管理且可節省成本的高耐久性的電氣絕緣膜。本發明是以添加鋯0.01~0.15%的鋁合金的陽極氧化膜來構成電氣絕緣膜。
简体摘要：本发明的课题是在于简便地提供一种高效率，可生产管理且可节省成本的高耐久性的电气绝缘膜。本发明是以添加锆0.01~0.15%的铝合金的阳极氧化膜来构成电气绝缘膜。

122. 发明专利

TWI421367B 成膜裝置、蒸發治具及測定方法失效
简体标题：成膜设备、蒸发治具及测定方法
公开(公告)号：TWI421367B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW095134807
申请日：2006-09-20
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 中山尚三 , NAKAYAMA, SHOZO , 伊藤日藝 , ITO, HIRONORI
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/54 , H01L21/205 , H05B33/14
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/246

123. 发明专利

TWI405860B 成膜裝置、成膜裝置群、成膜方法、及電子裝置或有機電致發光元件之製造方法失效
简体标题：成膜设备、成膜设备群、成膜方法、及电子设备或有机电致发光组件之制造方法
公开(公告)号：TWI405860B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW095132869
申请日：2006-09-06
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 中山尚三 , NAKAYAMA, SHOZO , 伊藤日藝 , ITO, HIRONORI
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/56

124. 发明专利

TW201321079A 氣化器审中-公开
简体标题：气化器
公开(公告)号：TW201321079A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101127599
申请日：2012-07-31
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 富士金股份有限公司 , FUJIKIN INCORPORATED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI , 永瀨正明 , NAGASE, MASAAKI , 山下哲 , YAMASHITA, SATORU , 日高敦志 , HIDAKA, ATSUSHI , 土肥亮介 , DOHI, RYOUSUKE , 西野功二 , NISHINO, KOUJI , 池田信一 , IKEDA, NOBUKAZU , 平尾圭志 , HIRAO, KEIJI
IPC分类号： B01J7/00
CPC分类号： C23C16/4481
摘要： [課題]提供一種可使氣化器內的壓力的行動安定的氣化器。[解決手段]本發明之氣化器係具備有：具備流入口及流出口的腔室；將該腔室內加熱的加熱裝置；被設在該腔室內，將該腔室內的液體材料區分成複數劃區的間隔壁構造體(13)；及被設在間隔壁構造體(13)的下部，容許以間隔壁構造體(13)所被區分的各劃區間的液體流通的液體流通部(20)，前述間隔壁構造體係具有格子狀、蜂巢狀、網孔狀、或管狀的間隔壁。
简体摘要： [课题]提供一种可使气化器内的压力的行动安定的气化器。[解决手段]本发明之气化器系具备有：具备流入口及流出口的腔室；将该腔室内加热的加热设备；被设在该腔室内，将该腔室内的液体材料区分成复数划区的间隔壁构造体(13)；及被设在间隔壁构造体(13)的下部，容许以间隔壁构造体(13)所被区分的各划区间的液体流通的液体流通部(20)，前述间隔壁构造体系具有格子状、蜂嵌套、网孔状、或管状的间隔壁。

125. 发明专利

TWI394232B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI394232B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW095121893
申请日：2006-06-19
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 , FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/8228 , H01L27/088
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L29/045

126. 发明专利

TWI391593B 加熱裝置有权
简体标题：加热设备
公开(公告)号：TWI391593B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW096114289
申请日：2007-04-23
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 大成建設股份有限公司 , TAISEI CORPORATION , 松下電器產業股份有限公司 , PANASONIC CORPORATION
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 , SHIRAI, YASUYUKI , 小林貞雄 , KOBAYASHI, SADAO , 若山惠英 , WAKAYAMA, YOSHIHIDE , 上門一登 , UEKADO, KAZUTAKA
IPC分类号： F16L19/06
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C14/22 , C23C14/56 , C23C16/4412 , F01N13/08 , F01N13/146 , F16L53/38 , F16L58/00 , F16L59/065 , Y10T428/2933

127. 发明专利

TWI382535B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI382535B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW095101793
申请日：2006-01-17
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/314
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/76224 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L21/823481 , H01L23/3171 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

128. 发明专利

TW201205638A 外側空氣遮斷容器及可減壓處理設備 OUTSIDE AIR SHUT-OFF CONTAINER AND PRESSURE-REDUCIBLE PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：外侧空气遮断容器及可减压处理设备 OUTSIDE AIR SHUT-OFF CONTAINER AND PRESSURE-REDUCIBLE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW201205638A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100119370
申请日：2011-06-02
申请人：國立大學法人東北大學 , 日本華爾卡工業股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 白井泰雪 , 今田博久 , 吉田勉
IPC分类号： H01J , C23C
CPC分类号： H01J37/32513 , C23C16/4409
摘要：因為在大氣下由合成樹脂所組成之O型環會在150℃或更高之高溫下熱分解,氣密度就不能維持。在根據本發明之外側空氣遮斷容器中,供給惰性氣體至O型環(氣密密封製程腔室與遮蓋構件)與外側空氣之間,而密封遮蓋覆蓋著在O型環與外側空氣之間之氣體通道。此外,在O型環之接觸表面上形成氧化鋁層,以增加O型環之熱分解溫度。
简体摘要：因为在大气下由合成树脂所组成之O型环会在150℃或更高之高温下热分解,气密度就不能维持。在根据本发明之外侧空气遮断容器中,供给惰性气体至O型环(气密密封制程腔室与遮盖构件)与外侧空气之间,而密封遮盖覆盖着在O型环与外侧空气之间之气体信道。此外,在O型环之接触表面上形成氧化铝层,以增加O型环之热分解温度。

129. 发明专利

TW201200648A 矽晶圓及半導體裝置 SILICON WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：硅晶圆及半导体设备 SILICON WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201200648A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100104141
申请日：2011-02-08
申请人：國立大學法人東北大學
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 諏訪智之
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/0201 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/67126 , H01L21/67757 , H01L29/34 , H01L29/66568 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種矽晶圓以及使用該矽晶圓所形成的半導體裝置，該矽晶圓在表面上以一層原子的階段差形成段差狀的複數階台構造，而不存在滑移線。
简体摘要：本发明提供一种硅晶圆以及使用该硅晶圆所形成的半导体设备，该硅晶圆在表面上以一层原子的阶段差形成段差状的复数阶台构造，而不存在滑移线。

130. 发明专利

TW201139901A 調整閥裝置失效
简体标题：调整阀设备
公开(公告)号：TW201139901A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099138276
申请日：2010-11-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 富士金股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：金子裕是 , 八木靖司 , 小野裕司 , 谷川毅 , 池田信一 , 大見忠弘 , 白井泰雪 , 山路道雄
IPC分类号： F16K
CPC分类号： F16K31/126 , F16K1/34 , F16K25/005 , Y10T137/776
摘要：本發明係提供一種可提高閥之開閉精度之調整閥裝置。該調整閥裝置係具有:閥體,係具有閥體頭部;動力傳遞構件,係對閥體傳遞動力;閥箱,係將閥體以可滑動之方式內設之;第1波紋管,係相對於動力傳遞構件而在與閥體呈相反側之位置形成有第1空間;第2波紋管,係相對於動力傳遞構件而在閥體側之位置形成有第2空間;第1配管,係與第1空間連通著;以及第2配管,係與第2空間連通著。依照被供給至第1空間與第2空間之工作流體的壓力比率而從動力傳遞構件對閥體傳遞動力,以利用閥體頭部來將形成於閥箱之搬運流路加以開閉。閥體頭部係比該閥體頭部所相接之搬運流路的閥座面之維氏硬度為硬,其硬度差為約200~300Hv。
简体摘要：本发明系提供一种可提高阀之开闭精度之调整阀设备。该调整阀设备系具有:阀体,系具有阀体头部;动力传递构件,系对阀体传递动力;阀箱,系将阀体以可滑动之方式内设之;第1波纹管,系相对于动力传递构件而在与阀体呈相反侧之位置形成有第1空间;第2波纹管,系相对于动力传递构件而在阀体侧之位置形成有第2空间;第1配管,系与第1空间连通着;以及第2配管,系与第2空间连通着。依照被供给至第1空间与第2空间之工作流体的压力比率而从动力传递构件对阀体传递动力,以利用阀体头部来将形成于阀箱之搬运流路加以开闭。阀体头部系比该阀体头部所相接之搬运流路的阀座面之维氏硬度为硬,其硬度差为约200~300Hv。

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