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    • 112. 发明专利
    • 半導體環形雷射裝置
    • 半导体环形激光设备
    • TW201415739A
    • 2014-04-16
    • TW102131406
    • 2013-08-30
    • V科技股份有限公司V TECHNOLOGY CO., LTD.
    • 梶山康一KAJIYAMA, KOICHI名須川利通NASUKAWA, TOSHIMICHI石川晉ISHIKAWA, SHIN金尾正康KANAO, MASAYASU
    • H01S5/10H01S5/14G01C19/66
    • H01S5/1071G01C19/661H01S3/07H01S3/083H01S5/021H01S5/0261H01S5/0425H01S5/0683H01S5/14H01S5/2031H01S5/305H01S5/3054H01S5/4006
    • 本發明提供一種半導體環形雷射裝置,其能夠進行環形雷射的穩定振盪,並且能夠進行精度較高的角速度檢測,亦能夠滿足超緻密/超輕質化的要求。本發明的半導體環形雷射裝置具備:一個Si半導體基板(10);環形諧振器(20),由形成於Si半導體基板(10)之光波導(21)構成;半導體雷射部(2),在光波導(21)的至少一部份具備發光放大部(2A),並產生使環形諧振器(20)相互朝相反方向環繞之2個雷射光(L1、L2);及光檢測部(4),形成於Si半導體基板(10)且從環形諧振器(20)取出2個雷射光(L1、L2)來檢測2個雷射光(L1、L2)的頻率差,發光放大部(2A)具有pn接合部(13a),前述pn接合部藉由一邊對在Si半導體基板(10)中之第1半導體層(10n)以高濃度摻雜B亦即硼而得到之第2半導體層(13)照射光,一邊實施退火處理而得到。
    • 本发明提供一种半导体环形激光设备,其能够进行环形激光的稳定振荡,并且能够进行精度较高的角速度检测,亦能够满足超致密/超轻质化的要求。本发明的半导体环形激光设备具备:一个Si半导体基板(10);环形谐振器(20),由形成于Si半导体基板(10)之光波导(21)构成;半导体激光部(2),在光波导(21)的至少一部份具备发光放大部(2A),并产生使环形谐振器(20)相互朝相反方向环绕之2个激光光(L1、L2);及光检测部(4),形成于Si半导体基板(10)且从环形谐振器(20)取出2个激光光(L1、L2)来检测2个激光光(L1、L2)的频率差,发光放大部(2A)具有pn接合部(13a),前述pn接合部借由一边对在Si半导体基板(10)中之第1半导体层(10n)以高浓度掺杂B亦即硼而得到之第2半导体层(13)照射光,一边实施退火处理而得到。