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91. 发明授权

EP1795334B1 System for providing very high pressure with a cascade of several high pressure pump chambers placed one within the other 有权
标题翻译：系统用于生产非常高的压力的与多个高压泵室的级联，其包围在每种情况下不同的泵送室
公开(公告)号：EP1795334B1
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：EP06124984.3
申请日：2006-11-29
申请人： Mulet Martinez, Mauricio Eduardo
发明人： Mulet Martinez, Mauricio Eduardo
IPC分类号： B30B11/00 , B01J3/06 , F04B37/12 , F04B3/00
CPC分类号： F04B1/02 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B30B11/004 , F04B3/00 , F04B25/00 , F04B37/12

92. 发明公开

EP1686202A4 SINGLE CRYSTAL OF HIGHLY PURIFIED HEXAGONAL BORON NITRIDE CAPABLE OF FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMISSION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SINGLE CRYSTAL, AND UTILIZING THE DEVICE, SOLID LASER AND SOLID LIGHT EMITTING UNIT 有权
标题翻译：从高度纯化的六方氮化硼REQUIRED TO光发射深紫外高亮度ENABLED单晶IS PROCESS FOR PRODUCING，LIGHT IN深紫外线高亮度发光器件和所述装置的用途，固体激光器和固体发光单元
公开(公告)号：EP1686202A4
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：EP04799790
申请日：2004-11-17
申请人： NAT INST FOR MATERIALS SCIENCE
发明人： WATANABE KENJI , TANIGUCHI TAKASHI , KOIZUMI SATOSHI , KANDA HISAO , KATAGIRI MASAYUKI , YAMADA TAKATOSHI , MILOS NESLADEK
IPC分类号： C30B29/38 , B01J3/06 , C03B9/08 , C09K11/63 , H01S5/323
CPC分类号： C30B29/38 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/069 , C09K11/63 , H01S5/32341

93. 发明公开

EP1715086A1 Method for reducing defect concentrations in crystals 有权
标题翻译：克里斯塔伦（Ver。）的维克多伦（Verminderung von Defektkonzentrationen）
公开(公告)号：EP1715086A1
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：EP06013705.6
申请日：2003-06-25
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： D'Evelyn, Mark Philip , Arthur, Stephen Daley , Rowland, Larry Burton , Vagaralli, Suresh Shankarappa , Lucek, John William , Anthony, Thomas Richard , Levinson, Lionel Monty
IPC分类号： C30B33/00
CPC分类号： B01J3/062 , B01J3/065 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/0665 , B01J2203/067 , B01J2203/0675 , B01J2203/069 , C30B33/00
摘要： A method for removing defects at high pressure and high temperature (HP/HT) or for relieving strain in a non-diamond crystal commences by providing a crystal, which contains defects, and a pressure medium. The crystal and the pressure medium are disposed in a high pressure cell and placed in a high pressure apparatus, for processing under reaction conditions of sufficiently high pressure and high temperature for a time adequate for one or more of removing defects or relieving strain in the single crystal.
摘要翻译：通过提供含有缺陷的晶体和压力介质，开始在高压高温（HP / HT）下除去非金刚石晶体中的缺陷或解除应变的方法。将晶体和压力介质设置在高压电池中并放置在高压装置中，用于在足够高的压力和高温的反应条件下进行处理足以在一次或多次去除缺陷或减轻单一应变中的应变的时间水晶。

94. 发明公开

EP1581662A1 COMPOSITE MATERIAL 有权
标题翻译：的复合材料的制造方法
公开(公告)号：EP1581662A1
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：EP03769718.2
申请日：2003-10-29
申请人： ELEMENT SIX (PTY) LTD
发明人： SIGALAS, Iakovos , DAVIES, Geoffrey, John , MASETE, Mosimanegape, Stephen,190 Leopard Rock , CHAPMAN, Raymond, Albert
IPC分类号： C22C26/00 , B22F7/06 , B01J3/06 , B24D3/06 , E21B10/56
CPC分类号： E21B10/567 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J2203/063 , B01J2203/066
摘要： A composite material comprises a plurality of cores of material selected from the group comprising carbides, nitrides, carbonitrides, cemented carbides, cemented nitrides, cemented carbonitrides and mixtures thereof, dispersed in a matrix. The matrix comprises the components for making an ultra-hard material, such as diamond or cBN abrasive particles, and a suitable binder. The ultra-hard material is polycrystalline in nature and is typically PCD or PcBN. The cores are typically provided as individual particles or in the form of granules. The granules may be further coated with a second coating, which may be a similar material to that of the cores or of an ultra-hard material of a different grade to that of the first coating. The composite material typically takes on a honeycomb structure of a hard material and cores within the pores of the honeycomb structure bonded to the honeycomb structure. The pores of the honeycomb structure may be ordered or random. A method of producing the composite material and a method of producing a tool component incorporating such a material are also provided.

95. 发明公开

EP1460040A4 GRAPHITE MATERIAL FOR SYNTHESIZING SEMICONDUCTOR DIAMOND AND SEMICONDUCTOR DIAMOND PRODUCED BY USING THE SAME 有权
标题翻译：丹麦HERGESTELLTER HALBLEITERDIAMANT的图形化合成
公开(公告)号：EP1460040A4
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：EP01995048
申请日：2001-12-28
申请人： TOYO TANSO CO
发明人： FUKUNAGA OSAMU , OKUBO HIROSHI , SOGABE TOSHIAKI , TOJO TETSURO
IPC分类号： B01J3/06 , B30B11/00 , C01B31/06 , C04B35/52 , C04B35/528 , C04B35/645
CPC分类号： C04B35/645 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B30B11/004 , B30B11/007 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
摘要： A method for producing a semiconductor diamond containing boron by the high pressure synthesis method, wherein a graphite material to be converted to the semiconductor diamond is mixed with boron or a boron compound, formed and fired, in such a way that the resultant graphite material contains a boron component uniformly dispersed therein and has an enhanced bulk density, a high purity and a reduced content of hydrogen.
摘要翻译：通过高压合成法制造含有硼的半导体金刚石的方法，其中将要转化为半导体金刚石的石墨材料与形成和烧制的硼或硼化合物混合，使得所得石墨材料含有硼成分均匀地分散在其中并且具有增强的堆积密度，高纯度和降低的氢含量。

96. 发明公开

EP1460040A1 GRAPHITE MATERIAL FOR SYNTHESIZING SEMICONDUCTOR DIAMOND AND SEMICONDUCTOR DIAMOND PRODUCED BY USING THE SAME 有权
标题翻译：石墨材料半导体金刚石的合成再制成半导体DIAMOND
公开(公告)号：EP1460040A1
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：EP01995048.4
申请日：2001-12-28
申请人： TOYO TANSO CO., LTD.
发明人： FUKUNAGA, Osamu , OKUBO, Hiroshi, c/o Toyo Tanso Co. Ltd. , SOGABE, Toshiaki, c/o Toyo Tanso Co. Ltd. , TOJO, Tetsuro, c/o Toyo Tanso Co. Ltd.
IPC分类号： C01B31/06 , B01J3/06 , C04B35/528
CPC分类号： C04B35/645 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B30B11/004 , B30B11/007 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
摘要： A method for producing a semiconductor diamond containing boron by the high pressure synthesis method, wherein a graphite material to be converted to the semiconductor diamond is mixed with boron or a boron compound, formed and fired, in such a way that the resultant graphite material contains a boron component uniformly dispersed therein and has an enhanced bulk density, a high purity and a reduced content of hydrogen.

97. 发明公开

EP0680781A2 Supported polycrystalline compacts and method of manufacture 失效
标题翻译：关于多晶压块和方法的基础及其制备布置。
公开(公告)号：EP0680781A2
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：EP95302870.1
申请日：1995-04-27
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Cerutti, David Bruce , Marek, Henry Samuel
IPC分类号： B01J3/06
CPC分类号： B01J3/062 , B01J3/065 , B01J2203/062 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/0655 , B01J2203/066 , B01J2203/0685 , Y10T428/12056 , Y10T428/26 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
摘要： Supported polycrystalline compacts having improved shear strength, impact, and fracture toughness properties, and methods for making the same under high temperature/high pressure (HT/HP) processing conditions. The method involves a HT/HP apparatus formed of a generally cylindrical reaction cell assembly having an inner chamber of predefined axial and radial extents and containing pressure transmitting medium, and a charge assembly having axial and radial surfaces and formed of at least one sub-assembly comprising a mass of crystalline particles adjacent a metal carbide support layer. The charge assembly is disposed within the chamber of the reaction cell assembly, with the pressure transmitting medium being interposed between the axial and radial surfaces of the charge assembly and the extents of the reaction cell chamber to define an axial pressure transmitting medium thickness, L h , and a radial pressure transmitting medium thickness, L r , the ratio of which, L h /L r being selected as less than 1. The reaction cell assembly (100) containing the charge assembly then is subjected to HT/HP conditions selected as effective to sinter the crystalline particles into a polycrystalline compact layer and to bond the polycrystalline compact layer at an interface to the metal carbide support layer for forming a metal carbide supported polycrystalline compact. The supported compact is characterized as having an essentially constant or increasing residual compressive stress on the surface of its compact layer as portions of a predefined thickness, W, of its support layer, as measured from the interfaced, are incrementally removed.
摘要翻译：支承的多晶压块具有改进的剪切强度，冲击，和断裂韧性的特性，以及用于制造高温/高压（HT / HP）的处理条件下的相同方法。该方法包括形成一个基因反弹圆柱形反应池在预定轴向和径向范围的内部腔室组件，其具有与含有压力传输介质中的HT / HP装置，以及组件，其具有轴向和径向表面的电荷和形成的至少一个子组件的包含结晶颗粒相邻的金属碳化物支承层的质量。充电组件被反应池组件的腔室内设置，与所述压力传递介质介于所述充电组件的轴向和径向表面和反应池室的边界之间在轴向压力传递介质的厚度，Lh的定义，和径向压力传递介质的厚度，LR，其中的比率，LH / LR被选定为小于1的反应室组件含有电荷组件然后进行HT / HP选择条件有效地使结晶颗粒烧结成多晶致密层和粘结多晶致密层在接口到金属碳化物支承层用于形成金属碳化物支承的多晶形体。带支承压块的特征是当从接口，递增地去除测量具有基本恒定或为一个预定义的厚度，W，它的支持体层的部分其致密层的表面上增加残余压缩应力。

98. 发明公开

EP0575335A1 ELECTRIC PULSED POWER VACUUM PRESS 失效
标题翻译：带脉冲电源电真空PRESS。
公开(公告)号：EP0575335A1
公开(公告)日：1993-12-29
申请号：EP92902656.0
申请日：1991-12-02
申请人： MATTHEWS, M., Dean
发明人： MATTHEWS, M., Dean
IPC分类号： B01J3 , B30B11 , B30B12
CPC分类号： C04B35/52 , B01J3/006 , B01J3/065 , B30B11/004 , B30B11/027 , B30B15/34 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/6581 , C04B2235/666
摘要： L'invention se rapporte à un ensemble presse à vide à courant électrique pulsé (10), qui fournit des impulsions électriques de courte durée et de puissance élevée à un échantillon sélectionné (11), lequel est simultanément soumis à une compression mécanique. Une presse hydraulique (14) applique une force compressive mécanique à un élément de presse rapporté (12) contenant l'échantillon (11). Le courant électrique pulsé est fourni par une unité d'alimentation (16) et le vide est produit par une unité (18) prévue à cet effet. Le courant électrique pulsé est appliqué à travers l'échantillon (11) le long d'une voie électrique (49) se caractérisant par une inductance et une résistance très basses. La voie électrique préférée (49) utilise exclusivement des parties conductrices à plaques parallèles et des parties de lignes coaxiales. L'ensemble (10) est destiné à fournir des températures très élevées de courte durée et est conçu notamment pour la production de diamant synthétique.

99. 发明公开

EP0530482A1 Verfahren zur Herstellung von metallischen Sinterkörpern sowie Sinterkörper, insbesondere Presswerkzeuge 失效
标题翻译： Verfahren zur Herstellung von metallischenSinterkörpernsowieSinterkörper，insbesondere Presswerkzeuge。
公开(公告)号：EP0530482A1
公开(公告)日：1993-03-10
申请号：EP92112536.5
申请日：1992-07-22
申请人： ERNST WINTER & SOHN (GMBH & CO.)
发明人： Borse, Dietrich
IPC分类号： B30B15/00 , B01J3/06 , B22F5/00 , B22F3/02
CPC分类号： B01J3/065 , B22F5/007 , B22F5/10 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B30B11/004 , B30B15/065 , Y10T428/12014 , Y10T428/12153 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/03
摘要： Sintermetallkörper (1, 3) mit großem Querschnitt, die in bestimmten Bereichen ihrer Oberfläche bzw. ihres Querschnittes extrem hoch belastet werden, wie Preßwerkzeuge, halten dieser Beanspruchung besser stand, wenn sie unter optimierten Bedingungen gesintert werden, in dem sie erfindungsgemäß bei oder nach dem Pressen und vor dem Sintern mit Kanälen bzw. Bohrungen (8) versehen werden, die eine bessere Ausdampfung von Bindemittel, einen besseren Gasaustausch und eine bessere Evakuierung ermöglichen, wobei die Kanäle bzw. Bohrungen (8) von den im Gebrauch weniger belasteten Bereichen der Oberfläche durch weniger belastete Bereiche des Querschnittes geführt sind.
摘要翻译：根据生产金属烧结体的方法，本体设置有脱气开口，其优选地在初始压制体部件的烧结之前制成。

100. 发明专利

TW201012977A 長在碳化矽基板上的鑽石體及其相關方法 DIAMOND BODIES GROWN ON SIC SUBSTRATES AND ASSOCIATED METHODS 审中-公开
简体标题：长在碳化硅基板上的钻石体及其相关方法 DIAMOND BODIES GROWN ON SIC SUBSTRATES AND ASSOCIATED METHODS
公开(公告)号：TW201012977A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098126149
申请日：2009-08-04
申请人：宋健民
发明人：宋健民
IPC分类号： C30B , B01J , C01B
CPC分类号： B01J3/065 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0625 , B01J2203/0655
摘要：本發明提供一種在高壓下形成高品質鑽石體的方法，以及以這種方法所製造的鑽石體。在一態樣中係提供一種生長鑽石體的方法，包括提供一具有預先設計之形狀的非粒狀的碳化矽(SiC)塊、在高壓下放置該碳化矽塊與一熔融觸媒以及一碳源結合、以及維持該碳化矽塊在高壓下以形成實質上的單晶鑽石體。該鑽石體係由實質上所有表面區域皆接觸於熔融觸媒的碳化矽塊所形成，因此，該鑽石體係符合該碳化矽塊接觸表面之形狀。
简体摘要：本发明提供一种在高压下形成高品质钻石体的方法，以及以这种方法所制造的钻石体。在一态样中系提供一种生长钻石体的方法，包括提供一具有预先设计之形状的非粒状的碳化硅(SiC)块、在高压下放置该碳化硅块与一熔融触媒以及一碳源结合、以及维持该碳化硅块在高压下以形成实质上的单晶钻石体。该钻石体系由实质上所有表面区域皆接触于熔融触媒的碳化硅块所形成，因此，该钻石体系符合该碳化硅块接触表面之形状。

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