专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明专利

TWI293800B 用於微電子、光電及光學之滑線限制基板製造方法與相應基板 A METHOD OF FABRICATING A SLIP LINE LIMITED SUBSTRATE FOR MICROELECTRONICS, OPTOELECTRONICS, AND OPTICS, AND A CORRESPONDING SUBSTRATE 有权
简体标题：用于微电子、光电及光学之滑线限制基板制造方法与相应基板 A METHOD OF FABRICATING A SLIP LINE LIMITED SUBSTRATE FOR MICROELECTRONICS, OPTOELECTRONICS, AND OPTICS, AND A CORRESPONDING SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI293800B
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：TW094107063
申请日：2005-03-09
申请人：斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：奈瑞克 NEYRET, ERIC
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明揭示一種藉由層轉移技術以防止產生滑線顯現現象之製造基板之方法。其優點在於將用以沉澱存在於基板支撐體中之空隙氧Oi之部分熱處理整合於該方法之下列操作之一：‧分離熱處理；‧藉由實施一氧化/去氧化製程之熱氧化；‧最後修整(finishing)熱處理以強化接合介面。本發明亦提供一包含在一支撐層上之薄半導體層之基板，該支撐層係自一包含一受控量之氧沉澱物之半導體材料產生，該受控量之氧沉澱物係選擇為欲使該基板後續所暴露之熱條件之函數，使得該氧沉澱物賦予該支撐層所欲防止在該等條件下之滑線產生。
简体摘要：本发明揭示一种借由层转移技术以防止产生滑线显现现象之制造基板之方法。其优点在于将用以沉淀存在于基板支撑体中之空隙氧Oi之部分热处理集成于该方法之下列操作之一：‧分离热处理；‧借由实施一氧化/去氧化制程之热氧化；‧最后修整(finishing)热处理以强化接合界面。本发明亦提供一包含在一支撑层上之薄半导体层之基板，该支撑层系自一包含一受控量之氧沉淀物之半导体材料产生，该受控量之氧沉淀物系选择为欲使该基板后续所暴露之热条件之函数，使得该氧沉淀物赋予该支撑层所欲防止在该等条件下之滑线产生。

92. 发明专利

TW200805625A 鍵結界面穩定熱處理 THERMAL TREATMENT FOR BONDING INTERFACE STABILIZATION 审中-公开
简体标题：键结界面稳定热处理 THERMAL TREATMENT FOR BONDING INTERFACE STABILIZATION
公开(公告)号：TW200805625A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096115394
申请日：2007-04-30
申请人： S.O.I科技矽公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES S.A.
发明人：艾瑞克尼瑞 ERIC NEYRET , 沙巴絲基坦克迪爾 SEBASTIEN KERDILES
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：本發明是關於用於在一基板底材上產生包含一半導體材料質薄層的基板之構造之方法,其步驟包含的步驟為:﹣在一施體底材的厚度範圍內產生一脆化區域;﹣鍵結施體底材與一支撐底材;﹣在脆化區域的層級分離施體底材,以將一部分的施體底材轉移至支撐底材上,並於後者之上形成該薄層;﹣對包含了支撐底材上薄層之構造進行熱處理,以穩定薄層與支撐底材之間的鍵結界面。
简体摘要：本发明是关于用于在一基板底材上产生包含一半导体材料质薄层的基板之构造之方法,其步骤包含的步骤为:﹣在一施体底材的厚度范围内产生一脆化区域;﹣键结施体底材与一支撑底材;﹣在脆化区域的层级分离施体底材,以将一部分的施体底材转移至支撑底材上,并于后者之上形成该薄层;﹣对包含了支撑底材上薄层之构造进行热处理,以稳定薄层与支撑底材之间的键结界面。

93. 发明专利

TWI289900B 薄層自包含緩衝層之晶圓之移轉 TRANSFER OF A THIN LAYER FROM A WAFER COMPRISING A BUFFER LAYER 有权
简体标题：薄层自包含缓冲层之晶圆之移转 TRANSFER OF A THIN LAYER FROM A WAFER COMPRISING A BUFFER LAYER
公开(公告)号：TWI289900B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW092118765
申请日：2003-07-09
申请人：斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：吉塞倫 BRUNO GHYSELEN , 奧尼特 CECILE AULNETTE , 歐斯特 BENEDICTE OSTERNAUD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要：一種製造包含得自晶圓(10)之半導體材料薄層之結構的方法，晶圓(10)包含：晶格參數匹配層(2)，包含具有第一晶格參數之半導體材料的上層；半導體材料的膜(3)，具有與第一晶格參數實質不同之標稱晶格參數且被匹配層(2)應變；以及，鬆弛層(4)，具有與第一晶格參數實質上相同之標稱晶格參數。該方法包含將鬆弛層(4)及應變的膜(3)移轉到接收基體(5)。依照本發明使用其中之一製程產生結構。
简体摘要：一种制造包含得自晶圆(10)之半导体材料薄层之结构的方法，晶圆(10)包含：晶格参数匹配层(2)，包含具有第一晶格参数之半导体材料的上层；半导体材料的膜(3)，具有与第一晶格参数实质不同之标称晶格参数且被匹配层(2)应变；以及，松弛层(4)，具有与第一晶格参数实质上相同之标称晶格参数。该方法包含将松弛层(4)及应变的膜(3)移转到接收基体(5)。依照本发明使用其中之一制程产生结构。

94. 发明专利

TW200741864A 製造薄膜之方法 A METHOD OF FABRICATING A THIN FILM 审中-公开
简体标题：制造薄膜之方法 A METHOD OF FABRICATING A THIN FILM
公开(公告)号：TW200741864A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096103715
申请日：2007-02-01
申请人： S. O. I. 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：歐拉麗陶森 TAUZIN, AUR LIE , 賽巴斯丁皮森尼克 PERSONNIC, S BASTIEN , 佛德瑞克勞爵 LAUGIER, FR D RIC
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要：一種製造薄膜之方法,其包含:a)植入步驟,其藉由使用離子轟擊由半導體材料形成之基板之一面從而在該基板中之一預定深度處形成該等植入離子之集中層,該集中層界定一在該基板之較上部分中之薄膜;b)使該基板之該面與一加强件緊密接觸之步驟;c)藉由在該離子集中層處分裂而使該薄膜與該加强件脫離接觸之步驟;在植入步驟a)之後且在脫離步驟c)之前,該方法進一步包含一截獲污染物之熱處理步驟,該步驟不導致該基板在該離子集中層處分裂。且在步驟c)之後,該方法進一步包含一去除受截獲該等污染物及該脫離步驟c)所擾之區的步驟。
简体摘要：一种制造薄膜之方法,其包含:a)植入步骤,其借由使用离子轰击由半导体材料形成之基板之一面从而在该基板中之一预定深度处形成该等植入离子之集中层,该集中层界定一在该基板之较上部分中之薄膜;b)使该基板之该面与一加强件紧密接触之步骤;c)借由在该离子集中层处分裂而使该薄膜与该加强件脱离接触之步骤;在植入步骤a)之后且在脱离步骤c)之前,该方法进一步包含一截获污染物之热处理步骤,该步骤不导致该基板在该离子集中层处分裂。且在步骤c)之后,该方法进一步包含一去除受截获该等污染物及该脱离步骤c)所扰之区的步骤。

95. 发明专利

TW200727349A 半導體晶圓之處理 TREATMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS 审中-公开
简体标题：半导体晶圆之处理 TREATMENT OF SEMICONDUCTOR WAFERS
公开(公告)号：TW200727349A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095113537
申请日：2006-04-14
申请人： S. O. I 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：史蒂芬妮寇勒帝 COLETTI, STEPHANE , 維諾妮可杜克那伊-龐 DUQUENNOY-PONT, VERONIQUE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/76254 , Y10T428/31515
摘要：本發明描述一種處理晶圓的方法,此晶圓具有至少一層半導體材料表面層,該表面層的表面已經歷化學機械拋光步驟,繼之經歷RCA清潔步驟。在該拋光步驟之後且在該RCA清潔步驟之前,該方法包括使用SC1溶液清潔該半導體材料表面層的表面的中間步驟,其所用SC1溶液的濃度及溫度條件能使該表面層(曲線B)中出現的缺陷比未經歷該中間清潔步驟的相似表面層(曲線A)的缺陷減少。
简体摘要：本发明描述一种处理晶圆的方法,此晶圆具有至少一层半导体材料表面层,该表面层的表面已经历化学机械抛光步骤,继之经历RCA清洁步骤。在该抛光步骤之后且在该RCA清洁步骤之前,该方法包括使用SC1溶液清洁该半导体材料表面层的表面的中间步骤,其所用SC1溶液的浓度及温度条件能使该表面层(曲线B)中出现的缺陷比未经历该中间清洁步骤的相似表面层(曲线A)的缺陷减少。

96. 发明专利

TWI273659B 特別供光學、電子或光電之製造基板方法 METHOD OF FABRICATING SUBSTRATES, IN PARTICULAR FOR OPTICS, ELECTRONICS OR OPTOELECTRONICS 有权
简体标题：特别供光学、电子或光电之制造基板方法 METHOD OF FABRICATING SUBSTRATES, IN PARTICULAR FOR OPTICS, ELECTRONICS OR OPTOELECTRONICS
公开(公告)号：TWI273659B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW092119455
申请日：2003-07-16
申请人：斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：齊賽倫 BRUNO GHYSELEN , 雷特楚 FABRICE LETERTRE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B29/06 , C30B29/36 , C30B33/00
摘要：本發明關於一種特別供光學、電子或光電之製造基板(30)方法，其係藉由將適合該型式之應用之材料層(170)，尤其是半導體材料，轉移至支撐（20)之上。
該方法之特徵為其包含下述步驟：
a)於意欲形成該材料層(170)之原料晶錠（10)上形
成稱為"前面"(13)之平面；
b)於該前面(13)之下植入原子物質至受控制之平
均植入深度，以建立界定該晶錠(10)之頂層(17)之弱
地帶(16)；
c)將支撐(20)接合至該前面(13)之上；
d)直接於弱地帶(16)將接合至該支撐(20)之該頂
層(17)之部分(170)移離該晶錠(10)；以及
e)從步驟b)重新開始該等動作之循環至少一次。
該方法可節省原始材料。
简体摘要：本发明关于一种特别供光学、电子或光电之制造基板(30)方法，其系借由将适合该型式之应用之材料层(170)，尤其是半导体材料，转移至支撑（20)之上。该方法之特征为其包含下述步骤： a)于意欲形成该材料层(170)之原料晶锭（10)上形成称为"前面"(13)之平面； b)于该前面(13)之下植入原子物质至受控制之平均植入深度，以创建界定该晶锭(10)之顶层(17)之弱地带(16)； c)将支撑(20)接合至该前面(13)之上； d)直接于弱地带(16)将接合至该支撑(20)之该顶层(17)之部分(170)移离该晶锭(10)；以及 e)从步骤b)重新开始该等动作之循环至少一次。该方法可节省原始材料。

97. 发明专利

TWI267167B 多功能之金屬接合 MULTIFUNCTIONAL METALLIC BONDING 有权
简体标题：多功能之金属接合 MULTIFUNCTIONAL METALLIC BONDING
公开(公告)号：TWI267167B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW093126531
申请日：2004-09-02
申请人： S.O.I. 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , 法國原子能源委員會 COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人：希巴斯坦克迪里斯 KERDILES, SEBASTIEN , 法布萊斯里特崔 LETERTRE, FABRICE , 赫伯特莫里蘇 MORICEAU, HUBERT , 克里斯多夫莫拉里斯 MORALES, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於一種在稱作最終基板的基板(107)上，製造一半導體材料薄層(104)之方法，其包含：
在一稱作最初支架(101)之支架上形成該半導體材料層；
藉金屬接合方式組合該薄層(104)及最終基板(107)；
以機械方式將最初支架(101)與該薄層(107)分離。
所得之一中間基板能用以製造各種例如像發光二極體或雷射二極體之零件。本方法能以原始材料在最終基板上產生一薄層，該原始材料能藉非破壞性機械脫模之壓痕法循環利用。
简体摘要：本发明关于一种在称作最终基板的基板(107)上，制造一半导体材料薄层(104)之方法，其包含：在一称作最初支架(101)之支架上形成该半导体材料层；藉金属接合方式组合该薄层(104)及最终基板(107)；以机械方式将最初支架(101)与该薄层(107)分离。所得之一中间基板能用以制造各种例如像发光二极管或激光二极管之零件。本方法能以原始材料在最终基板上产生一薄层，该原始材料能藉非破坏性机械脱模之压痕法循环利用。

98. 发明专利

TWI266381B 增加轉移至支撐上之材料之有用層之面積之方法(二) A METHOD OF INCREASING THE AREA OF A USEFUL LAYER OF MATERIAL TRANSFERRED ONTO A SUPPORT 有权
简体标题：增加转移至支撑上之材料之有用层之面积之方法(二) A METHOD OF INCREASING THE AREA OF A USEFUL LAYER OF MATERIAL TRANSFERRED ONTO A SUPPORT
公开(公告)号：TWI266381B
公开(公告)日：2006-11-11
申请号：TW092119345
申请日：2003-07-16
申请人：斯歐埃技術公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：馬勒文 CHRISTOPHE MALEVILLE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要：本發明關於一種增加源自來源基板(6)並已被轉移至支撐基板(7)上之材料之有用層(63)的面積之方法。本發明值得注意之處在於：兩個基板之其中一個係由主倒角(74、64)之一所包圍，其前面顯現出輪廓(C7)之至少一平坦中央地帶(70)；另一個基板之前面係為平坦地帶(67)，其以垂直或準垂直於該處之周邊側面(66)為邊界，該平坦地帶(67)之外輪廓(C"6)顯現出大於第一基板(7)之該平坦中央地帶(70)之外輪廓(C7)之尺寸；以及在接合期間，兩個基板(6、7)係以該平坦中央地帶(70)之輪廓(C7)被內接在該平坦地帶(67)之輪廓(C"6)內的這種方式來將其中一個基板黏合至另一基板。本發明係適合製造電子、光學、或光電之合成基板。
简体摘要：本发明关于一种增加源自来源基板(6)并已被转移至支撑基板(7)上之材料之有用层(63)的面积之方法。本发明值得注意之处在于：两个基板之其中一个系由主倒角(74、64)之一所包围，其前面显现出轮廓(C7)之至少一平坦中央地带(70)；另一个基板之前面系为平坦地带(67)，其以垂直或准垂直于该处之周边侧面(66)为边界，该平坦地带(67)之外轮廓(C"6)显现出大于第一基板(7)之该平坦中央地带(70)之外轮廓(C7)之尺寸；以及在接合期间，两个基板(6、7)系以该平坦中央地带(70)之轮廓(C7)被内接在该平坦地带(67)之轮廓(C"6)内的这种方式来将其中一个基板黏合至另一基板。本发明系适合制造电子、光学、或光电之合成基板。

99. 发明专利

TW200616014A 化合物材料晶圓的製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND MATERIAL WAFERS 审中-公开
简体标题：化合物材料晶圆的制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND MATERIAL WAFERS
公开(公告)号：TW200616014A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094129941
申请日：2005-08-31
申请人： S. O. I. TEC 絕緣層上矽科技公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES S. A.
发明人：佛萊德瑞克.杜邦 DUPONT, FREDERIC
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/93 , Y10S438/933
摘要：本發明係關於化合物材料晶圓的製造方法，其包含下列步驟：提供初始供體基材(1)，在該初始供體基材(1)中形成預定分裂區(4)，將該初始供體基材(1)黏接於處理基材(2)，以及由預定分裂區(4)之處分開該供體基材(1)，藉以將該初始供體基材(1)上的層(6)轉移到該處理基材(2)上而形成化合物材料晶圓(10)。為了改善該方法的成本效應，該方法復包含在分開步驟之後在該供體基材其餘部分(9)上沈積一層(12)以至少部分地補償該初始供體基材(1)的厚度並且以含該沈積層(12)的供體基材(1)充當初始供體基材(1)再使用於步驟a)中。本發明亦係關於包含根據該方法製造而成的化合物材料晶圓的至少一部分之電子、光電或光學元件。
简体摘要：本发明系关于化合物材料晶圆的制造方法，其包含下列步骤：提供初始供体基材(1)，在该初始供体基材(1)中形成预定分裂区(4)，将该初始供体基材(1)黏接于处理基材(2)，以及由预定分裂区(4)之处分开该供体基材(1)，借以将该初始供体基材(1)上的层(6)转移到该处理基材(2)上而形成化合物材料晶圆(10)。为了改善该方法的成本效应，该方法复包含在分开步骤之后在该供体基材其余部分(9)上沉积一层(12)以至少部分地补偿该初始供体基材(1)的厚度并且以含该沉积层(12)的供体基材(1)充当初始供体基材(1)再使用于步骤a)中。本发明亦系关于包含根据该方法制造而成的化合物材料晶圆的至少一部分之电子、光电或光学组件。

100. 发明专利

TW200531205A 多功能之金屬接合 MULTIFUNCTIONAL METALLIC BONDING 审中-公开
简体标题：多功能之金属接合 MULTIFUNCTIONAL METALLIC BONDING
公开(公告)号：TW200531205A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW093126531
申请日：2004-09-02
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , 法國原子能源委員會 COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人：希巴斯坦克迪里斯 KERDILES, SEBASTIEN , 法布萊斯里特崔 LETERTRE, FABRICE , 赫伯特莫里蘇 MORICEAU, HUBERT , 克里斯多夫莫拉里斯 MORALES, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於一種在稱作最終基板的基板(107)上，製造一半導體材料薄層(104)之方法，其包含：在一稱作最初支架(101)之支架上形成該半導體材料層；藉金屬接合方式組合該薄層(104)及最終基板(107)；以機械方式將最初支架(101)與該薄層(107)分離。所得之一中間基板能用以製造各種例如像發光二極體或雷射二極體之零件。本方法能以原始材料在最終基板上產生一薄層，該原始材料能藉非破壞性機械脫模之壓痕法循環利用。
简体摘要：本发明关于一种在称作最终基板的基板(107)上，制造一半导体材料薄层(104)之方法，其包含：在一称作最初支架(101)之支架上形成该半导体材料层；藉金属接合方式组合该薄层(104)及最终基板(107)；以机械方式将最初支架(101)与该薄层(107)分离。所得之一中间基板能用以制造各种例如像发光二极管或激光二极管之零件。本方法能以原始材料在最终基板上产生一薄层，该原始材料能藉非破坏性机械脱模之压痕法循环利用。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式