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    • 95. 发明专利
    • 度量衡方法、度量衡裝置及器件製造方法
    • 度量衡方法、度量衡设备及器件制造方法
    • TW201732270A
    • 2017-09-16
    • TW105142817
    • 2016-12-22
    • ASML荷蘭公司ASML NETHERLANDS B.V.
    • 昆塔尼哈 李察QUINTANILHA, RICHARD丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞DEN BOEF, ARIE JEFFREY
    • G01N21/88G01N21/956G03F7/20H05G2/00
    • G03F7/70633G01N21/8806G01N21/956G01N2021/95676G03F7/70625G03F7/7065H05G2/008
    • 一種混合度量衡裝置(1000、1100、1200、1300、1400)量測藉由微影製造之一結構(T)。一種EUV度量衡裝置(244,IL1/DET1)運用EUV輻射輻照該結構且自該結構偵測一第一光譜。另一種度量衡裝置(240,IL2/DET2)運用包含EUV輻射或較長波長輻射之第二輻射輻照該結構且偵測一第二光譜。在一起使用該所偵測到之第一光譜及該所偵測到之第二光譜的情況下,一處理器(MPU)判定該結構之一屬性(CD/OV)。該光譜可以各種方式組合。舉例而言,該第一所偵測到之光譜可用於控制用於俘獲該第二光譜之照明及/或偵測之一或多個參數,或該第二所偵測到之光譜可用於控制用於俘獲該第一光譜之照明及/或偵測之一或多個參數。該第一光譜可用於區分該結構中之不同層(T1,T2)之屬性。第一及第二輻射源(SRC1,SRC2)可共用一共同驅動雷射(LAS)。
    • 一种混合度量衡设备(1000、1100、1200、1300、1400)量测借由微影制造之一结构(T)。一种EUV度量衡设备(244,IL1/DET1)运用EUV辐射辐照该结构且自该结构侦测一第一光谱。另一种度量衡设备(240,IL2/DET2)运用包含EUV辐射或较长波长辐射之第二辐射辐照该结构且侦测一第二光谱。在一起使用该所侦测到之第一光谱及该所侦测到之第二光谱的情况下,一处理器(MPU)判定该结构之一属性(CD/OV)。该光谱可以各种方式组合。举例而言,该第一所侦测到之光谱可用于控制用于俘获该第二光谱之照明及/或侦测之一或多个参数,或该第二所侦测到之光谱可用于控制用于俘获该第一光谱之照明及/或侦测之一或多个参数。该第一光谱可用于区分该结构中之不同层(T1,T2)之属性。第一及第二辐射源(SRC1,SRC2)可共享一共同驱动激光(LAS)。