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91. 发明专利

TW200503075A 化合物半導體基板及其製備方法 A COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD FOR MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：化合物半导体基板及其制备方法 A COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD FOR MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200503075A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW092118061
申请日：2003-07-02
申请人：行政院原子能委員會-核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL- INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：辛華煜 SHIN, HWA YUH , 籃山明 LAN, SHAN MING , 鄭傑 CHIEH CHENG , 耿台成 GUNNG, TAI CHENG , 楊村農 YANG, TSUN NENG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示一種化合物半導體基板及其製備方法。本發明之化合物半導體基板之製備方法首先於一矽基板上進行一質子佈植製程，將具有一預定劑量和一預定能量之質子束導入該矽基板內。之後，進行一磊晶製程以形成一化合物半導體層於該矽基板上。該質子束之佈植深度係介於350至6000奈米之間，其對應之質子束能量係介於30至500仟電子伏特之間。
简体摘要：本发明揭示一种化合物半导体基板及其制备方法。本发明之化合物半导体基板之制备方法首先于一硅基板上进行一质子布植制程，将具有一预定剂量和一预定能量之质子束导入该硅基板内。之后，进行一磊晶制程以形成一化合物半导体层于该硅基板上。该质子束之布植深度系介于350至6000奈米之间，其对应之质子束能量系介于30至500仟电子伏特之间。

92. 发明专利

TW200927931A 提升木糖發酵之酒精產生率的方法审中-公开
简体标题：提升木糖发酵之酒精产生率的方法
公开(公告)号：TW200927931A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096148863
申请日：2007-12-20
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：王嘉寶 , 門立中 , 黃文松 , 陳文恆 , 林鼎翔 , 黃瓊芳 , 周聖炘 , 許登傑 , 郭家倫
IPC分类号： C12P , C12R
CPC分类号： Y02E50/16 , Y02E50/17
摘要：一種提升木糖發酵之酒精產生率的方法,係將纖維生質原料經由稀酸進行前處理後,使其產生木糖水解液,再以過鹼化法去除該木糖水解液中之發酵抑制物,並同時調整木糖水解液之酸鹼値至發酵作用所需維持之弱酸性環境、以及控制木糖發酵參數,藉以提升木糖發酵酒精產生率。
简体摘要：一种提升木糖发酵之酒精产生率的方法,系将纤维生质原料经由稀酸进行前处理后,使其产生木糖水解液,再以过碱化法去除该木糖水解液中之发酵抑制物,并同时调整木糖水解液之酸碱値至发酵作用所需维持之弱酸性环境、以及控制木糖发酵参数,借以提升木糖发酵酒精产生率。

93. 发明专利

TW200925162A 高比表面積之金屬有機骨架儲氫材料快速合成及保存方法失效
简体标题：高比表面积之金属有机骨架储氢材料快速合成及保存方法
公开(公告)号：TW200925162A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW096146542
申请日：2007-12-06
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：鍾翠芸 , 余明昇 , 曹正熙
IPC分类号： C07F
摘要：一種高比表面積之金屬有機骨架(Metal-organic framework,M0F)材料快速合成及保存方法,係可藉由改變先驅物之莫耳數比、溶劑含量、反應時間及反應溫度等參數因子對比表面積(Specific Surface Area, SSA)之影響相對關係,找出重要之操作變數,並藉由改變此重要操作變數以找出在最短時間的合成具有最高比表面積金屬有機骨架材料(MOF-5)之條件。本方法不僅可於高反應溫度120℃條件下縮短反應時間為12小時以快速合成具高比表面積之金屬有機骨架材料,其比表面積(Specific Surface Area,SSA)大於3000m^2/g,進而提高其產率,由於金屬有機骨架材料即使在低溼度之真空保存期間下仍具有極易吸水而造成相結構分解之特性,導致比表面積及儲氫能力急速下降及保存期限短,本工作提出一種保存處理方法,經過保存方法處理,可增加結構穩定性亦延長保存期間。
简体摘要：一种高比表面积之金属有机骨架(Metal-organic framework,M0F)材料快速合成及保存方法,系可借由改变先驱物之莫耳数比、溶剂含量、反应时间及反应温度等参数因子对比表面积(Specific Surface Area, SSA)之影响相对关系,找出重要之操作变量,并借由改变此重要操作变量以找出在最短时间的合成具有最高比表面积金属有机骨架材料(MOF-5)之条件。本方法不仅可于高反应温度120℃条件下缩短反应时间为12小时以快速合成具高比表面积之金属有机骨架材料,其比表面积(Specific Surface Area,SSA)大于3000m^2/g,进而提高其产率,由于金属有机骨架材料即使在低湿度之真空保存期间下仍具有极易吸水而造成相结构分解之特性,导致比表面积及储氢能力急速下降及保存期限短,本工作提出一种保存处理方法,经过保存方法处理,可增加结构稳定性亦延长保存期间。

94. 发明专利

TW200916600A 熱燈絲鑽石膜沉積裝置及其方法审中-公开
简体标题：热灯丝钻石膜沉积设备及其方法
公开(公告)号：TW200916600A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096137299
申请日：2007-10-04
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：吳錦裕 , 汪俊翰 , 蔡丁貴 , 蔡明瑞 , 艾啓峰
IPC分类号： C23C , C30B
摘要：一種熱燈絲鑽石膜沉積裝置及其方法,係先對一刀具之工件表面進行特殊前處理,以化學藥水浸蝕該工件並進行鑽石粉超音波振盪,接著將該工件置入該熱燈絲鑽石膜沉積裝置之氫電漿環境中,使其拋掉雜質以達清潔,並以雙偏壓電源產生電漿,以促進該工件表面鑽石核種產生,最後再以穩定遞減溫度成長鑽石膜。藉此,使本發明可提升該鑽石膜之磨潤性及附著性,以增加其實用性及廣泛之工業應用性,不僅可降低該鑽石膜應力、減低該工件表面摩擦力及增强該工件磨潤性,且在一般刀具及微刀具上沉積之鑽石膜更可提升該刀具比未鍍之刀具使用壽命達6倍以上,尤其對於印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)之高轉速下亦可正常工作而不易斷刀,係可提高其加工速率並降低其成本。
简体摘要：一种热灯丝钻石膜沉积设备及其方法,系先对一刀具之工件表面进行特殊前处理,以化学药水浸蚀该工件并进行钻石粉超音波振荡,接着将该工件置入该热灯丝钻石膜沉积设备之氢等离子环境中,使其抛掉杂质以达清洁,并以双偏压电源产生等离子,以促进该工件表面钻石核种产生,最后再以稳定递减温度成长钻石膜。借此,使本发明可提升该钻石膜之磨润性及附着性,以增加其实用性及广泛之工业应用性,不仅可降低该钻石膜应力、减低该工件表面摩擦力及增强该工件磨润性,且在一般刀具及微刀具上沉积之钻石膜更可提升该刀具比未镀之刀具使用寿命达6倍以上,尤其对于印刷电路板(Printed Circuit Board, PCB)之高转速下亦可正常工作而不易断刀,系可提高其加工速率并降低其成本。

95. 发明专利

TW200916427A 玻璃-陶瓷組成物之封裝材料审中-公开
简体标题：玻璃-陶瓷组成物之封装材料
公开(公告)号：TW200916427A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW096138048
申请日：2007-10-11
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：劉建國 , 雍敦元 , 林金福 , 李瑞益 , 李鑽生
IPC分类号： C03C , C04B
摘要：一種玻璃-陶瓷組成物之封裝材料,係由數種氧化物之成分依不同莫耳比或重量比混合而成,可應用於固態氧化物燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell, SOFC)作為封裝材料,能填裝於金屬與金屬、陶瓷與陶瓷或金屬與陶瓷接面之間,利用其熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)與該固態氧化物燃料電池元件之熱膨脹係數相匹配,可減少熱應力之產生進而達到氣密和絕緣之效果。
简体摘要：一种玻璃-陶瓷组成物之封装材料,系由数种氧化物之成分依不同莫耳比或重量比混合而成,可应用于固态氧化物燃料电池(Solid Oxide Fuel Cell, SOFC)作为封装材料,能填装于金属与金属、陶瓷与陶瓷或金属与陶瓷接面之间,利用其热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)与该固态氧化物燃料电池组件之热膨胀系数相匹配,可减少热应力之产生进而达到气密和绝缘之效果。

96. 发明专利

TW200914807A 高溫比面積電阻量測裝置失效
简体标题：高温比面积电阻量测设备
公开(公告)号：TW200914807A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW096136439
申请日：2007-09-28
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：林祈廷
IPC分类号： G01K
摘要：一種高溫比面積電阻量測裝置,係根據四點探針量測原理,並利用陶瓷耐熱與可加工特性,設計一可耐高溫夾具之陶瓷元件裝置,在高溫下提供固定一待測樣品兩端之夾持力道,以量測該待測樣品之比面積電阻(Area Specific Resistance,ASR),同時並可以陶瓷之絕緣性保持其兩端白金網電壓電流絕緣,以避免該白金網發生短路問題,且在高溫下更可由一絕緣墊片隔離該待測樣品與白金網之接觸,因此,本發明之陶瓷元件裝置係可在高溫下(600℃-1200℃),利用多組之陶瓷元件裝置可一次在同一環境下,同時進行多組比面積電阻量測,使量測環境變因一致化,以達到高溫下精確之量測。
简体摘要：一种高温比面积电阻量测设备,系根据四点探针量测原理,并利用陶瓷耐热与可加工特性,设计一可耐高温夹具之陶瓷组件设备,在高温下提供固定一待测样品两端之夹持力道,以量测该待测样品之比面积电阻(Area Specific Resistance,ASR),同时并可以陶瓷之绝缘性保持其两端白金网电压电流绝缘,以避免该白金网发生短路问题,且在高温下更可由一绝缘垫片隔离该待测样品与白金网之接触,因此,本发明之陶瓷组件设备系可在高温下(600℃-1200℃),利用多组之陶瓷组件设备可一次在同一环境下,同时进行多组比面积电阻量测,使量测环境变因一致化,以达到高温下精确之量测。

97. 发明专利

TW200914184A 水汽型電漿火炬裝置失效
简体标题：水汽型等离子火炬设备
公开(公告)号：TW200914184A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW096136437
申请日：2007-09-28
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：李恆毅 , 曾錦清 , 張烈誌
IPC分类号： B23K
摘要：一種水汽型電漿火炬裝置,係以出口端之噴嘴電極為正極,後端之桿狀電極為負極,以氬氣或蒸汽為工作氣體,工作氣體由一工作氣體入口處進入一火炬本體內,經由一漩流產生器形成渦漩氣流,該渦漩氣流穿越正負極間之電弧時,可被其加熱及離子化而形成電漿,同時膨脹擴大並由該噴嘴電極噴出而作為被處理物之熱源。另一方面亦利用一循環水經冷卻水出入口,通過該火炬本體與該噴嘴電極,藉以移除電極熱能並降低其溫度。同時,亦可作為水汽之預熱,如是,使本發明可再利用產生蒸汽作為工作氣體之外,並回收電極熱能以節省且提高能源之使用效率,並藉由可調整之正負極間距,進而達到延長其使用壽命。使本發明可適用於有機物氣化、廢棄物處理、垃圾焚化爐灰渣再處理、金屬焊接、切割、及印刷電路板等之處理。
简体摘要：一种水汽型等离子火炬设备,系以出口端之喷嘴电极为正极,后端之杆状电极为负极,以氩气或蒸汽为工作气体,工作气体由一工作气体入口处进入一火炬本体内,经由一漩流产生器形成涡漩气流,该涡漩气流穿越正负极间之电弧时,可被其加热及离子化而形成等离子,同时膨胀扩大并由该喷嘴电极喷出而作为被处理物之热源。另一方面亦利用一循环水经冷却水出入口,通过该火炬本体与该喷嘴电极,借以移除电极热能并降低其温度。同时,亦可作为水汽之预热,如是,使本发明可再利用产生蒸汽作为工作气体之外,并回收电极热能以节省且提高能源之使用效率,并借由可调整之正负极间距,进而达到延长其使用寿命。使本发明可适用于有机物气化、废弃物处理、垃圾焚化炉灰渣再处理、金属焊接、切割、及印刷电路板等之处理。

98. 发明专利

TW200912957A 電廠整體熱效率監測分析裝置失效
简体标题：电厂整体热效率监测分析设备
公开(公告)号：TW200912957A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW096133173
申请日：2007-09-06
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：周光暉 , 張欽章 , 詹益光
IPC分类号： G21C , G05B
CPC分类号： Y02E30/40 , Y02P90/02 , Y02P90/14
摘要：一種電廠整體熱效率監測分析裝置,係至少包含有一可供電廠實際運轉信號點數據之下載、篩選與處理之電廠中控主機、一可自動與該電廠中控主機建立連線,執行電廠實際運轉信號點數據之下載、篩選與處理之信號點數據蒐錄與處理系統、一可執行歷史與即時運轉性能趨勢顯示分析之運轉數據監測與顯示系統、一可進行全廠及各組件熱功性能評估之熱功性能監測與分析系統、及一可將該熱功性能監測與分析系統之分析結果輸出之熱功性能計算結果趨勢分析系統所構成。如是,可據以掌握全廠及各組件運轉性能之變化情況,以維持電廠應有之發電效率,並持續追蹤機組發電量之損失,採行必要之維護措施。
简体摘要：一种电厂整体热效率监测分析设备,系至少包含有一可供电厂实际运转信号点数据之下载、筛选与处理之电厂中控主机、一可自动与该电厂中控主机创建连接,运行电厂实际运转信号点数据之下载、筛选与处理之信号点数据搜录与处理系统、一可运行历史与实时运转性能趋势显示分析之运转数据监测与显示系统、一可进行全厂及各组件热功性能评估之热功性能监测与分析系统、及一可将该热功性能监测与分析系统之分析结果输出之热功性能计算结果趋势分析系统所构成。如是,可据以掌握全厂及各组件运转性能之变化情况,以维持电厂应有之发电效率,并持续追踪机组发电量之损失,采行必要之维护措施。

99. 发明专利

TW200911039A 直流蒸氣電漿火炬裝置及其電極熔蝕抑低方法审中-公开
简体标题：直流蒸气等离子火炬设备及其电极熔蚀抑低方法
公开(公告)号：TW200911039A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096132370
申请日：2007-08-31
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL-INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：林登連 , 曾錦清
IPC分类号： H05H
摘要：一種直流蒸氣電漿火炬裝置及其電極熔蝕抑低方法,可使用任何氣體做為工作氣體,其中又以蒸氣可大幅減少氮氧化物之產生,並能產生高溫度、高電漿密度、高能量密度及高化學活性之潔淨熱源,可有效處理有害廢棄物或轉化有機物質,產生合成氣及安定可資源化熔岩,進而達到廢棄物完全資源化之效果。本發明不僅可使火炬長時間穩定運轉使用,且藉由控制工作氣體流場,係可使弧根在電極內壁表面做大面積週期性運動時,可降低該電極熱負荷而減緩其熔蝕率,並且亦可增加該電極可供熔蝕之有效質量,進而延長電極之使用壽命以增長其維修週期,以達到可有效降低火炬相關製程之運轉成本,進而提昇電漿處理系統之可靠度與可用度。
简体摘要：一种直流蒸气等离子火炬设备及其电极熔蚀抑低方法,可使用任何气体做为工作气体,其中又以蒸气可大幅减少氮氧化物之产生,并能产生高温度、高等离子密度、高能量密度及高化学活性之洁净热源,可有效处理有害废弃物或转化有机物质,产生合成气及安定可资源化熔岩,进而达到废弃物完全资源化之效果。本发明不仅可使火炬长时间稳定运转使用,且借由控制工作气体流场,系可使弧根在电极内壁表面做大面积周期性运动时,可降低该电极热负荷而减缓其熔蚀率,并且亦可增加该电极可供熔蚀之有效质量,进而延长电极之使用寿命以增长其维修周期,以达到可有效降低火炬相关制程之运转成本,进而提升等离子处理系统之可靠度与可用度。

100. 发明专利

TW200908813A 中空陰極電漿產生裝置失效
简体标题：中空阴极等离子产生设备
公开(公告)号：TW200908813A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW096128328
申请日：2007-08-02
申请人：行政院原子能委員會核能研究所 ATOMIC ENERGY COUNCIL- INSTITUTE OF NUCLEAR ENERGY RESEARCH
发明人：曾慶沛 , 謝政昌 , 艾啓峰 , 李佳誠 , 薛天翔 , 汪俊翰
IPC分类号： H05H
摘要：一種中空陰極電漿產生裝置,係由複數個中空陰極電漿源單模組組成之組合,該中空陰極電漿源單模組至少包含有一中空陰極凹槽、一中空陰極鰭片、一氣體導管及一冷卻水導管所構成,且該中空陰極凹槽係含有複數個微小之出氣孔,可將氣體均勻釋出。藉此,使本發明可在增減模組、改變寬度及真空狀態下,能以各種模式電源(DC、Plused、RF)引發電漿,將電漿集中往單方向擴散,並由均勻分佈之氣體帶出電漿。由於本發明係屬一體成型可增加散熱效果,不僅能輕易增加活化寬度,且寬度增加後可在高功率下操作,以提高特定區之電漿密度,除可縮短處理時間外,亦具有長時間使用之優點。而此中空陰極電漿產生裝置係可搭配捲對捲(roll to roll)或一般連線式電漿處理系統同步處理,以提高生產製程整體效率。
简体摘要：一种中空阴极等离子产生设备,系由复数个中空阴极等离子源单模块组成之组合,该中空阴极等离子源单模块至少包含有一中空阴极凹槽、一中空阴极鳍片、一气体导管及一冷却水导管所构成,且该中空阴极凹槽系含有复数个微小之出气孔,可将气体均匀发佈。借此,使本发明可在增减模块、改变宽度及真空状态下,能以各种模式电源(DC、Plused、RF)引发等离子,将等离子集中往单方向扩散,并由均匀分布之气体带出等离子。由于本发明系属一体成型可增加散热效果,不仅能轻易增加活化宽度,且宽度增加后可在高功率下操作,以提高特定区之等离子密度,除可缩短处理时间外,亦具有长时间使用之优点。而此中空阴极等离子产生设备系可搭配卷对卷(roll to roll)或一般连接式等离子处理系统同步处理,以提高生产制程整体效率。

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