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1. 发明申请

WO2009077234A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES KAPPENWAFERS FÜR EINEN SENSOR 审中-公开
标题翻译：一种用于生产COVER FOR晶圆SENSOR
公开(公告)号：WO2009077234A2
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/064126
申请日：2008-10-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , REICHENBACH, Frank , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , SCHEURLE, Andreas
发明人： REICHENBACH, Frank , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , SCHEURLE, Andreas
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B2207/095 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/13025 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Kappenwafers (100), insbesondere eines Sealglaskappenwafers (100), für einen Sensor, insbesondere einen Kraftfahrzeugsensor, mit wenigstens einer Kappe, mit den Schritten: Herstellen eines Kontaktierungs-Durchgangslochs (110) durch den Kappenwafer (100) hindurch, und zeitlich daran anschließend, Füllen des Kontaktierungs-Durchgangslochs (110) mit einem elektrisch leitenden Material (51). Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Sensorstacks mit einem erfindungsgemäß hergestellten Kappenwafer (100). Darüber hinaus betrifft die Erfindung einen Kappenwafer (100) mit einer erfindungsgemäßen elektrischen Durchkontaktierung, einen Sensor mit einer erfindungsgemäßen Kappe, und eine Anordnung eines Substrats mit einem erfindungsgemäßen Sensor.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备帽晶片（100），特别是密封玻璃帽晶片（100），用于传感器，特别是机动车辆传感器，其具有至少一个盖，其包括以下步骤：通过所述帽晶片制备的接触通孔（110）（100 ）其中，并且其后在用导电材料（51）的接触通孔（110）的时间填充。此外，本发明涉及一种方法，用于生产具有本发明制备的罩晶片（100）的传感器堆叠。此外，本发明涉及一种盖晶片（100）与根据本发明的电镀通孔，根据本发明的盖的传感器，和一个基板的与本发明的传感器的布置。

2. 发明申请

WO2008024989A1 MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS ENCAPSULATION PROCESS WITH ANTI-STICTION COATING 审中-公开
标题翻译：微电子系统封装工艺与防护涂料
公开(公告)号：WO2008024989A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/US2007/076785
申请日：2007-08-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , VANCURA, Cyril , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias , FUCHS, Tino , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia
发明人： VANCURA, Cyril , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias , FUCHS, Tino , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005
摘要： An encapsulated MEMS process including a high-temperature anti-stiction coating that is stable under processing steps at temperatures over 450 0C is described. The coating is applied after device release but before sealing vents in the encapsulation layer Alternatively, an anti-stiction coating may be applied to released devices directly before encapsulation.
摘要翻译：描述了包括在高于450℃的温度下在加工步骤下稳定的高温抗静电涂层的包封的MEMS工艺。涂层在装置释放之后，但在密封通气孔之前施加在封装层中。或者，可以在封装之前将抗静电涂层直接施加到释放装置。

3. 发明申请

WO2007107461A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE HALBLEITERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体结构和适当的半导体结构
公开(公告)号：WO2007107461A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2007/052227
申请日：2007-03-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/225
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L21/223 , H01L21/225 , H01L21/324
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines porösen Bereichs (10) angrenzend an einer Oberfläche (OF) des Halbleitersubstrats (1); Einbringen von einem Dotierstoff (12) in den porösen Bereich (10) von der Oberfläche (OF) aus; und thermisches Rekristallisieren des porösen Bereich (10) in einen kristallinen Dotierungsbereich (10') des Halbleitersubstrats (1), dessen Dotierungsart und/oder Dotierungskonzentration und/oder Dotierungsverteilung von derjenigen bzw. denjenigen des Halbleitersubstrat (1) abweicht. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterstruktur.
摘要翻译：本发明提供了一种生产半导体结构，包括以下步骤的方法：提供一结晶半导体基板（1）; 所述半导体衬底的（OF）（1）提供多孔区（10）相邻的一个表面上; 从表面（OF）的引入掺杂剂（12）插入多孔区（10）; 偏离和所述半导体基板的在结晶杂质区（10“）的热重结晶多孔区（10）（1）中，从那个或那些半导体衬底的掺杂类型和/或掺杂浓度和/或掺杂分布（1）。本发明还提供了相应的半导体结构。

4. 发明申请

WO2004018348A2 SCHICHTSYSTEM MIT EINER SILIZIUMSCHICHT UND EINER PASSIVIERSCHICHT, VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER PASSIVIERSCHICHT AUF EINER SILIZIUMSCHICHT UND DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：具有硅层和被动层的层系统，用于在硅层上产生被动层的方法及其用途
公开(公告)号：WO2004018348A2
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：PCT/DE2003/001437
申请日：2003-05-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , MUELLER, Lutz , BERNHARD, Winfried
发明人： LAERMER, Franz , MUELLER, Lutz , BERNHARD, Winfried
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： H01L21/02252 , B81B2203/033 , B81C1/00571 , B81C2201/016 , H01L21/02123 , H01L21/02238 , H01L21/02337 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3121 , H01L21/31612 , Y10S438/958
摘要： Es wird ein Schichtsystem mit einer Siliziumschicht (11) vorgeschlagen, auf der zumindest bereichsweise oberflächlich eine Passivierschicht (17) aufgebracht ist, wobei die Passivierschicht (17) eine erste, zumindest weitgehend anorganische Teilschicht (14) und eine zweite Teilschicht (15) aufweist, wobei die zweite Teilschicht (15) aus einer organischen Verbindung mit Silizium besteht oder ein derartiges Material enthält. Insbesondere ist die zweite Teilschicht (15) in Form einer sogenannten "self assembled monolyer" aufgebaut. Weiter wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht (17) auf einer Siliziumschicht (11) vorgeschlagen, wobei auf der Siliziumschicht (11) eine erste, anorganische Teilschicht (14) und auf der ersten Teilschicht (14) zumindest bereichsweise eine zweite, eine organische Verbindung mit Silizium enthaltende oder daraus bestehende Teilschicht (15) erzeugt wird, die die Passivierschicht (17) bilden. Das vorgeschlagene Schichtsystem oder das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders bei der Erzeugung von freitragenden Strukturen in Silizium.
摘要翻译：提出了一种具有硅层（11）的层系统，其上在至少一些区域上施加钝化层（17），其中钝化层（17）包括第一至少基本无机的分层（14））和第二子层（15），其中第二子层（15）由具有硅的有机化合物或包含这种材料组成。特别地，第二子层（15）是所谓的“自组装单层”的形式。成立。此外，用于生产硅层上的钝化层（17）（11）提出一种方法，其中第一无机部分层（14）和所述第一部分层（14）上至少部分地一个第二硅层（11）上，有机化合物由含硅或由构成钝化层（17）的子层（15）构成。所提出的层系或所提出的方法特别适用于硅中自支撑结构的制造。

5. 发明申请

WO2003037782A3 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2003037782A3
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/DE2002/003283
申请日：2002-09-05
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz
发明人： LAERMER, Franz
IPC分类号： B81B3/00
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat (17); einer über dem Substrat (17) vorgesehenen mikromechanischen Funktionsschicht (15) aus einem ersten Material; wobei die Funktionsschicht (15) einen ersten and zweiten Bereich (15a, 15c) aufweist, die ein dritter Bereich (15b; 220a,b; 320a,b; 420a-d; 520; 520a-h) aus einem zweiten Material (20) verbindet; wobei mindestens einer der Bereiche (15a bzw. 15b; 220a,b; 320a,b; 420a-d; 520; 520a-h bzw. 15c) Teil einer beweglichen Struktur (32) ist, welche über dem Substrat (17) aufgehangt ist. Die Erfindung schafft ebenfalls ein entsprechendes Herstellungsverfahren.

6. 发明申请

WO2003028081A2 VERFAHREN ZUM EINÄTZEN VON STRUKTUREN IN EINEN ÄTZKÖRPER MIT EINEM PLASMA 审中-公开
标题翻译：用等离子体法调节锥体结构的方法
公开(公告)号：WO2003028081A2
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/DE2002/002363
申请日：2002-06-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz
发明人： LAERMER, Franz
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32137 , H01J2237/334 , H01L21/32137
摘要： Es wird ein Verfahren zum Einätzen von Strukturen in einen Ätzkörper (19), insbesondere von mit einer Ätzmaske lateral exakt definierten Ausnehmungen in einen Siliziumkörper, mittels eines Plasmas (15) vorgeschlagen. Dabei wird in den Ätzkörper (19) mittels einer hochfrequenten Wechselspannung zumindest zeitweilig eine hochfrequent gepulste, niederfrequent modulierte Hochfrequenzleistung eingekoppelt und daneben das Plasma (15) in seiner Intensität als Funktion der Zeit moduliert.
摘要翻译：
有A＆AUML的方法; tzen结构在GIRL TZK＆OUML的;主体（19），尤其是具有GIRL tzmaske在Siliziumk＆OUML横向精确限定的凹部;主体（通过等离子体的手段 15）提出。体（19）由下一个在其强度BEAR等离子体（15）的高频交流电压的装置至少暂时地耦合的频率脉冲的，低频调制的高频功率;在此，在BEAR TZK＆OUML T个调制的作为时间的功能。

7. 发明申请

WO2010139498A1 BAUELEMENT MIT EINER MIKROMECHANISCHEN MIKROFONSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：用微机械麦克风结构和方法为组件
公开(公告)号：WO2010139498A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/EP2010/054583
申请日：2010-04-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , REICHENBACH, Frank , BUCK, Thomas , ZOELLIN, Jochen , LAERMER, Franz , SCHOLZ, Ulrike , TEEFFELEN, Kathrin , LEINENBACH, Christina
发明人： REICHENBACH, Frank , BUCK, Thomas , ZOELLIN, Jochen , LAERMER, Franz , SCHOLZ, Ulrike , TEEFFELEN, Kathrin , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： H04R19/00 , B81C1/00
CPC分类号： H04R19/005 , Y10T428/31663
摘要： Es werden ein Bauelement mit einer stabilen aber akustisch empfindlichen Mikrofonstruktur vorgeschlagen sowie und ein einfaches und kostengünstiges Verfahren zu dessen Herstellung. Dieses Mikrofonbauelement umfasst eine akustisch aktive Membran (11), die als auslenkbare Elektrode eines Mikrofonkondensators fungiert, ein feststehendes akustisch durchlässiges Gegenelement (12), das als Gegenelektrode des Mikrofonkondensators fungiert, und Mittel zum Erfassen und Auswerten der Kapazitätsänderungen des Mikrofonkondensators. Die Membran (11) ist in einer Membranschicht (3) über dem Halbleitersubstrat (1) des Bauelements realisiert und überspannt eine Schallöffnung (13) in der Substratrückseite. Das Gegenelement (12) ist in einer weiteren Schicht (5) über der Membran (11) ausgebildet. Erfindungsgemäß erstreckt sich diese weitere Schicht (5) im wesentlichen über die gesamte Bauelementfläche und gleicht Niveauunterschiede aus, so dass die gesamte Bauelementoberfläche entsprechend dieser weiteren Schicht (5) weitgehend eben ist. Dadurch kann eine Folie auf den Schichtaufbau der im Waferverbund freigelegten Mikrofonstrukturen aufgebracht werden, die die Vereinzelung der erfindungsgemäßen Bauelemente in einem Standard-Sägeprozess ermöglicht.
摘要翻译：它提出了一个稳定的，但声音敏感的麦克风的结构以及和用于生产其的简单且成本有效的方法的部件。该话筒装置包括声学活性膜（11），其充当麦克风电容器的偏转电极，固定声透射反元件（12），其充当麦克风电容器的对电极的装置，以及用于检测和评估在麦克风电容器的电容的变化。所述膜（11）在部件（1）在半导体衬底上的膜层（3）被实现，并跨越在基板后侧的声音开口（13）。所述计数元件（12）形成在在所述膜（11）进一步的层（5）。根据本发明，该另外的层（5）基本上在整个器件表面延伸，并且补偿在水平的差异，从而使整个装置的表面是根据该进一步的层（5）是基本平坦的。从而可应用于在晶片复合麦克风结构露出的层结构，膜，其允许根据本发明在一个标准的锯切过程中各组分的分离。

8. 发明申请

WO2010025975A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MINDESTENS EINES MECHANISCH-ELEKTRISCHEN ENERGIEWANDLERSYSTEMS UND MECHANISCH-ELEKTRISCHES ENERGIEWANDLERSYSTEM 审中-公开
标题翻译：方法制造至少一个机电能量转换器系统，机械，电能转换器系统
公开(公告)号：WO2010025975A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：PCT/EP2009/058655
申请日：2009-07-08
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , PANNEK, Thorsten , REICHENBACH, Ralf , KECK, Marian
发明人： LAERMER, Franz , PANNEK, Thorsten , REICHENBACH, Ralf , KECK, Marian
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/113
CPC分类号： B60C23/0411 , H01L41/25 , H01L41/313 , H02N2/18 , Y10T29/42 , Y10T29/49002 , Y10T29/49128 , Y10T29/49169 , Y10T29/49828 , Y10T29/49904
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines mechanisch-elektrischen Energiewandlersystems aus mehreren Einzelteilen, sowie ein mechanisch-elektrisches Energiewandlersystem. Gemäß dem Verfahren werden mehrere verschiedene Einzelteile (2,3,4,15,22,40,41,42) in einer Montagevorrichtung (10, 30) positioniert und in der Montagevorrichtung (10, 30) in den Einzelteilen zugeordneten Fügebereichen (18, 24a, 24b) zusammengefügt, wobei die Einzelteile mindestens ein piezoelektrisches Element (2), eine Trägerstruktur (3), und eine seismische Masse (4) umfassen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产多个单个的部件中的至少一个机电能量转换系统，以及一机械 - 电能量转换系统的方法。根据该方法的多个不同的物品（2,3,4,15,22,40,41,42）是在位于与接合区域的项目相关联的安装装置（10，30）的安装装置（10，30）（18， 24A，24B）连接在一起，其中，所述项目包括至少一个压电元件（2）;支撑结构（3）和振动质量（4）。

9. 发明申请

WO2009086986A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG PORÖSER MIKROSTRUKTUREN, NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE PORÖSE MIKROSTRUKTUREN SOWIE DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：工艺，一种生产多孔微结构，产生了用此方法多孔微结构及其使用
公开(公告)号：WO2009086986A2
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/EP2008/065806
申请日：2008-11-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHOLTEN, Dick , PIRK, Tjalf , STUMBER, Michael , LAERMER, Franz , REICHENBACH, Ralf , FEYH, Ando
发明人： SCHOLTEN, Dick , PIRK, Tjalf , STUMBER, Michael , LAERMER, Franz , REICHENBACH, Ralf , FEYH, Ando
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： A61K9/0019 , A61B5/02755 , A61K9/0024 , A61K9/2009 , A61K31/337 , A61M37/0015 , A61M2037/0023 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81C1/00126 , B81C2201/0115 , Y10T428/249978
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung poröser Mikrostrukturen (8, 8') in einem Si-Halbleitersubstrat (1), nach diesem Verfahren hergestellte poröse Mikrostrukturen (8, 8') sowie deren Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在硅半导体衬底（1）中制造多孔微结构（8,8'）的方法，由该方法制造的多孔微结构（8,8'）等使用

10. 发明申请

WO2009059868A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL 审中-公开
标题翻译：用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法
公开(公告)号：WO2009059868A2
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/EP2008/063703
申请日：2008-10-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
发明人： LAERMER, Franz , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0384 , B81C2201/0136
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于制造具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调，得到微机械结构由硅半导体基板（1，10）的微机械结构的现有或沉积SiGe混合半导体层（3A ，3B，30，30A，30B，50）通过干化学BEAR tzen SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）出来BEAR TZT通过改变锗比例，得到微机械结构的侧壁轮廓的约AUML; tzenden SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50）的形式，其中，ST＆AUML; rker承受tzenden一个H＆ouml的领域;本herer锗含量，这是在硅锗中的锗比例的变化 - 混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），通过这样的方法＆AUML选择;由包含SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），其具有变种的沉积组HLT iierendem锗含量，引入锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B，50），硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层（3A，3B，30，30A，30B， 50）和/或通过热氧化SiGe混合半导体层（3a，3b，30,30a，30b，50）

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