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1. 发明申请

WO2012004112A1 LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTDIODENCHIPS 审中-公开
标题翻译： LEDS芯片和方法进行生产LEDS芯片
公开(公告)号：WO2012004112A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011/060158
申请日：2011-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAYER, Bernd , SCHMID, Wolfgang
发明人： MAYER, Bernd , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einer n-leitenden Halbleiterschicht (3), - einer p-leitenden Halbleiterschicht (4), - einem aktiven Bereich (2) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (3) und der p-leitenden Halbeiterschicht (4), - einer Seitenfläche (14), welche die n-leitende Halbleiterschicht (3), die p-leitende Halbleiterschicht (4), und den aktiven Bereich (2) in einer lateralen Richtung begrenzt, und - einem Dotierbereich (1), in dem ein Dotierstoff in ein Halbleitermaterial des Leuchtdiodenchips eingebracht ist, und/oder - einem neutralisierten Bereich (1), wobei - der Dotierbereich (1) und/oder der neutralisierte Bereich (1) an der Seitenfläche (14) zumindest im Bereich des aktiven Bereichs ausgebildet ist, und - der Leuchtdiodenchip im Betrieb zur Abstrahlung von inkohärenter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
摘要翻译：公开了一种发光二极管芯片，具有 - （活性区域（2）的n型半导体层（3）之间和p型半导体层 - 一个n型半导体层（3）， - 一个p-型半导体层（4）， 4）， - 一个侧表面（14）的连接（3），p型半导体层（4）和所述有源区（2）在横向方向上界定的n型半导体层，以及 - 一个掺杂区（1），在其中掺杂剂被引入到LED芯片的半导体材料，和/或 - 中和的区域（1），其中 - 所述掺杂区域（1）和/或在活动的区域中的至少所述侧表面（14）上的中和的区域（1）形成区域，以及 - 所述LED芯片中的操作提供给发射非相干的电磁辐射。

2. 发明申请

WO2005004244A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2005004244A2
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/DE2004/001344
申请日：2004-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
发明人： BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/02 , H01S5/3086
摘要： Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht (14), eine p-dotierte Confinementschicht (22), und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14) und der p-dotierten Confinementschicht (22) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18) enthält, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht (14) mit einem ersten n-Dotierstoff (oder zwei voneinander verschiedenen n-Dotierstoffen) zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht (18) mit nur einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18) dotiert ist.
摘要翻译：在具有层结构，其设置在n掺杂限制层（14）发射辐射的半导体器件，p型掺杂的限制层（22），和n型掺杂的限制层（14）和p掺杂限制层（22）的活性之间，光子发光层（18），本发明提供了具有第一n型掺杂剂（或两种不同的n型掺杂剂）的n型掺杂的限制层（14）被掺杂，以产生高活性掺杂和尖锐的掺杂分布，和有源层（18）仅掺杂有从第一掺杂第二n型掺杂剂以改善活性层（18）的膜质量不同的角度。

3. 发明申请

WO2010051784A3 OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2010051784A3
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001214
申请日：2009-08-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MAYER, Bernd , KOLLER, Andreas , PFEIFFER, Joachim
发明人： MAYER, Bernd , KOLLER, Andreas , PFEIFFER, Joachim
IPC分类号： H01S5/183
摘要： Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, das einen Halbleiterkörper umfasst, der einen ersten Resonatorspiegel (2), einen zweiten Resonatorspiegel (4) und eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Zone (3) aufweist. Der erste Resonatorspiegel (2) weist alternierend gestapelte erste Schichten (2a) einer ersten Zusammensetzung und zweite Schichten (2b) einer zweiten Zusammensetzung auf. Die ersten Schichten (2a) weisen oxidierte Bereiche (8a) auf. Ferner enthalten zumindest die ersten Schichten (2a) jeweils einen Dotierstoff, wobei mindestens eine Schicht (21a) der ersten Schichten (2a) eine von der Dotierstoffkonzentration der anderen ersten Schichten (2a) unterschiedliche Dotierstoffkonzentration aufweist.

4. 发明申请

WO2009082995A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT ZUMINDEST EINER STROMBARRIERE 审中-公开
标题翻译：边缘发射半导体激光器芯片与至少一个电流势垒
公开(公告)号：WO2009082995A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/DE2008/002085
申请日：2008-12-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
发明人： KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S3/08072 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/1014 , H01S5/168 , H01S5/2004 , H01S5/2205 , H01S5/2231 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S5/4081 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) angegeben, mit - zumindest einem Kontaktstreifen (2), wobei der Kontaktreifen (2) eine Breite B aufweist, - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, - zumindest zwei Strombarrieren (4), die auf unterschiedlichen Seiten des Kontaktstreifens (2) angeordnet sind und sich längs des Kontaktstreifens (2) erstrecken, wobei der größte Abstand V zwischen zumindest einer der Strombarrieren (4) und dem Kontaktstreifen (3) derart gewählt ist, dass das Verhältnis von größtem Abstand V zur Breite B V/B > 1 ist.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器芯片（1），具有： - 至少一个接触片（2），其中，所述接触轮胎（2）具有宽度B， - 有源区（14），在半导体激光芯片的操作产生的（1）的电磁辐射是 - 被布置在所述接触带（2）的不同侧并且沿着接触片延伸的至少两个流动屏障（4）（2），其特征在于，当前的障碍的至少一个之间的最大距离V（4）和所述接触片（3）被选择为使得最大距离V与宽度BV / B> 1的比率。

5. 发明申请

WO2020182444A1 AUFWACHSSTRUKTUR FÜR EIN STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND STRAHLUNG EMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2020182444A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/EP2020/054648
申请日：2020-02-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KOLLER, Andreas , MAYER, Bernd
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/12 , H01S5/323
摘要： Es wird eine Aufwachsstruktur (1) für ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben umfassend - ein Halbleitersubstrat (2), das - einauf Arsenid-Verbindungshalbleitern basierendes Material enthält, - eine Pufferstruktur (3), die - auf dem Halbleitersubstrat (2) angeordnet ist, - ein auf Arsenid-Verbindungshalbleitern basierendes Material enthält und - eine Pufferschicht (4) mit zumindest einer n-dotierten Schicht (5) aufweist, wobei die n-dotierte Schicht (5) Sauerstoff enthält. Ferner wird ein Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement (10) mit einer Aufwachsstruktur (1) angegeben.

6. 发明公开

EP2342786A2 OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：具有垂直发射方向表面发光半导体激光元件
公开(公告)号：EP2342786A2
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：EP09776120.9
申请日：2009-08-26
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： MAYER, Bernd , KOLLER, Andreas , PFEIFFER, Joachim
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18333 , H01S5/18313
摘要： The invention relates to a surface-emitting semiconductor laser component having a vertical emission direction, comprising a semiconductor body which has a first resonator mirror (2), a second resonator mirror (4), and an active zone (3) suited to generate radiation. The first resonator mirror (2) comprises alternating stacked first layers (2a) having a first composition and second layers (2b) having a second composition. The first layers (2a) have oxidized regions (8a). Furthermore, at least the first layers (2a) each comprise a doping agent, wherein at least one layer (21a) of the first layers (2a) has a doping agent concentration that differs from the doping agent concentration of the other first layers (2a).

7. 发明公开

EP2591510A1 LEUCHTDIODENCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LEUCHTDIODENCHIPS 审中-公开
标题翻译： LEDS芯片和方法进行生产LEDS芯片
公开(公告)号：EP2591510A1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：EP11725765.9
申请日：2011-06-17
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： MAYER, Bernd , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0025
摘要： The invention relates to a light-emitting diode chip, comprising an n-type semiconductor layer (3), a p-type semiconductor layer (4), an active region (2) between the n-type semiconductor layer (3) and the p-type semiconductor layer (4), a lateral surface (14), which limits the n-type semiconductor layer (3), the p-type semiconductor layer (4) and the active region (2) in a lateral direction, and a doped region (1), in which a dopant is introduced into a semiconductor material of the light-emitting diode chip, and/or comprising a neutralised region (1), wherein the doped region (1) and/or the neutralised region (1) are formed at the lateral surface (14) at least in the region of the active region, and the light-emitting diode chip is intended to emit incoherent electromagnetic radiation during operation.

8. 发明公开

EP1642347A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 有权
标题翻译：辐射半导体部件
公开(公告)号：EP1642347A2
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：EP04738791.5
申请日：2004-06-25
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/02 , H01S5/3086
摘要： The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).

9. 发明授权

EP2223399B1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT ZUMINDEST EINER STROMBARRIERE 有权
公开(公告)号：EP2223399B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：EP08866552.6
申请日：2008-12-15
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/40 , H01S5/16 , H01S5/223 , H01S3/08 , H01S5/20 , H01S5/10 , H01S5/30 , H01S5/024
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S3/08072 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/1014 , H01S5/168 , H01S5/2004 , H01S5/2205 , H01S5/2231 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S5/4081 , H01S2301/18

10. 发明授权

EP1642347B1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 有权
标题翻译： STRAHLUNGSEMITTIERENDHALBLEITERBAUELEMENT
公开(公告)号：EP1642347B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：EP04738791.5
申请日：2004-06-25
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/02 , H01S5/3086
摘要： The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).
摘要翻译：本发明涉及设置有分层结构的发射辐射的半导体元件，其包括n掺杂限制层（14），p掺杂限制层（22）和发射光子的活性层（18），所述层设置在n掺杂限制层（14）和p掺杂限制层（22）之间。根据本发明，为了产生高活性掺杂和精确的掺杂分布，n型掺杂限制层（14）被掺杂有第一n型掺杂剂（或者彼此不同的两种n型掺杂剂），并且为了改善有源层（18）的层质量，有源层（18）仅掺杂有与第一掺杂剂不同的第二n掺杂剂。

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