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1. 发明专利

TWI699820B 永久接合晶圓的方法有权
简体标题：永久接合晶圆的方法
公开(公告)号：TWI699820B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW108112376
申请日：2012-01-20
申请人：奧地利商EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 亨格爾克特 , HINGERL, KURT , 威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 伏洛傑恩克里斯多夫 , FLOTGEN, CHRISTOPH
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/30

2. 发明专利

TWI682476B 結合基板之裝置及方法有权
简体标题：结合基板之设备及方法
公开(公告)号：TWI682476B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW103124297
申请日：2014-07-15
申请人：奧地利商EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 達戈維爾 , DRAGOI, VIOREL , 伏洛傑恩克里斯多夫
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

3. 发明专利

TWI590341B 晶圓永久結合之方法及裝置有权
简体标题：晶圆永久结合之方法及设备
公开(公告)号：TWI590341B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102126540
申请日：2013-07-24
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 亨格爾克特 , HINGERL, KURT , 普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 伏洛傑恩克里斯多夫
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/0046 , H01J37/32036 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32339 , H01J37/32532 , H01J37/32798 , H01J2237/334 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092

4. 发明专利

TWI536431B 永久接合晶圓的方法有权
简体标题：永久接合晶圆的方法
公开(公告)号：TWI536431B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101112347
申请日：2012-04-06
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 亨格爾克特 , HINGERL, KURT , 普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 伏洛傑恩克里斯多夫
IPC分类号： H01L21/08
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI530985B 永久接合晶圓的方法有权
简体标题：永久接合晶圆的方法
公开(公告)号：TWI530985B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW101112348
申请日：2012-04-06
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 亨格爾克特 , HINGERL, KURT , 普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 伏洛傑恩克里斯多夫
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/20 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , H01L21/76251

6. 发明专利

TW201543532A 用於基板之電漿處理之方法及裝置审中-公开
简体标题：用于基板之等离子处理之方法及设备
公开(公告)号：TW201543532A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104109440
申请日：2015-03-24
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：格林瑟湯瑪斯 , GLINSNER, THOMAS , 伏洛傑恩克里斯多夫 , 魏跟特湯瑪斯 , WAGENLEITNER, THOMAS , 柏納喬漢 , BERNAUER, JOHANN , 懷瑟湯瑪斯 , WIESER, THOMAS , 舒密德弗洛里安 , SCHMID, FLORIAN , 普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 安古柏羅曼 , ANZENGRUBER, ROMAN , 納恩斯亞立山德 , NONES, ALEXANDER , 克立比烏 , KRIEBISCH, UWE
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/68785
摘要：本發明係關於一種裝置，其用於將至少一個基板(7)暴露於一電漿中，該裝置具有一第一電極(1)及可與該第一電極相對配置之一第二電極(12)，該等電極係一起形成而於該等電極(1、12)之間產生該電漿，其特徵為：該等電極(1、12)中之至少一者係由至少兩個電極單元(2、3)形成。此外，本發明係關於一相應方法。
简体摘要：本发明系关于一种设备，其用于将至少一个基板(7)暴露于一等离子中，该设备具有一第一电极(1)及可与该第一电极相对配置之一第二电极(12)，该等电极系一起形成而于该等电极(1、12)之间产生该等离子，其特征为：该等电极(1、12)中之至少一者系由至少两个电极单元(2、3)形成。此外，本发明系关于一相应方法。

7. 发明专利

TWI697939B 永久接合晶圓的方法有权
简体标题：永久接合晶圆的方法
公开(公告)号：TWI697939B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108112375
申请日：2012-01-20
申请人：奧地利商EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 亨格爾克特 , HINGERL, KURT , 威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 伏洛傑恩克里斯多夫 , FLOTGEN, CHRISTOPH
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/30

8. 发明专利

TW201411738A 晶圓永久結合之方法及裝置审中-公开
简体标题：晶圆永久结合之方法及设备
公开(公告)号：TW201411738A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102126540
申请日：2013-07-24
申请人： EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：威普林格馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS , 亨格爾克特 , HINGERL, KURT , 普拉格湯瑪斯 , PLACH, THOMAS , 伏洛傑恩克里斯多夫
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/0046 , H01J37/32036 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32339 , H01J37/32532 , H01J37/32798 , H01J2237/334 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092
摘要：本發明係關於一種依以下步驟、尤其以下順序使第一基板(1)之第一接觸面(3)與第二基板(2)之第二接觸面(4)結合之方法，該第二基板(2)具有最少一個反應層(7)：將該等基板容納於第一電極(21)與第二電極(22)之間或線圈(26)內，藉由使第一接觸面(3)暴露於藉助於電極(21、22)之電容耦合所產生之電漿而在第一接觸面(3)上之儲集器形成層(6)中形成儲集器(5)，在電漿產生或藉助於線圈(26)之電感耦合產生電漿期間向該第一電極(21)施加與該第二電極(22)之第二頻率(f22)不同之第一頻率(f21)，在電漿產生期間向第一產生器(23)施加與第二產生器(24)之第二頻率(f22)不同之第一頻率(f21)，用第一離析劑或第一組離析劑至少部分填充儲集器(5)，使第一接觸面(3)與第二接觸面(4)接觸形成預結合互連，藉由使該第一離析劑與第二基板(2)之反應層(7)中所含之第二離析劑反應來至少部分增強第一接觸面(3)與第二接觸面(4)之間永久結合的形成。此外，本發明係關於一種相應裝置。
简体摘要：本发明系关于一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一基板(1)之第一接触面(3)与第二基板(2)之第二接触面(4)结合之方法，该第二基板(2)具有最少一个反应层(7)：将该等基板容纳于第一电极(21)与第二电极(22)之间或线圈(26)内，借由使第一接触面(3)暴露于借助于电极(21、22)之电容耦合所产生之等离子而在第一接触面(3)上之储集器形成层(6)中形成储集器(5)，在等离子产生或借助于线圈(26)之电感耦合产生等离子期间向该第一电极(21)施加与该第二电极(22)之第二频率(f22)不同之第一频率(f21)，在等离子产生期间向第一产生器(23)施加与第二产生器(24)之第二频率(f22)不同之第一频率(f21)，用第一离析剂或第一组离析剂至少部分填充储集器(5)，使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触形成预结合互连，借由使该第一离析剂与第二基板(2)之反应层(7)中所含之第二离析剂反应来至少部分增强第一接触面(3)与第二接触面(4)之间永久结合的形成。此外，本发明系关于一种相应设备。

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