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1. 发明专利

DE102009027436A1 Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren 未知
公开(公告)号：DE102009027436A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：DE102009027436
申请日：2009-07-02
申请人： CALISOLAR GMBH , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： CZUPALLA MATTHIAS , KIESLING FRANK-MICHAEL , KLEIN OLAF , LANGE RALPH-PETER , LUX BERND , MILLER WOLFRAM , RUDOLPH PETER , ZIEM MARIO , KIRSCHT FRITZ
IPC分类号： C30B15/22
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren, wobei ein in -Ziehrichtung orientierter Kristallkeim in die Schmelze eingebracht wizt, parallel zur Ziehrichtung Facetttenwachstum ausgelöst und der wachsende Kristall aus der Schmelze gezogen wird. Es ist vorgesehen, dass definierte radiale Temperaturgradienten erzeugt werden, indem mindestens zwei in vorgebbarer Richtung laufende magnetische Wanderfelder erzeugt und diese auf die Schmelze (3) zur Einwirkung gebracht werden. Ferner ist eine Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen vorgesehen.

2. 发明专利

DE102009027436B4 Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren 未知
公开(公告)号：DE102009027436B4
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：DE102009027436
申请日：2009-07-02
申请人： CALISOLAR GMBH , FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： CZUPALLA MATTHIAS DIPL ING , KIESSLING FRANK-MICHAEL DR , KLEIN OLAF DR , LANGE RALPH-PETER , LUX BERND , MILLER WOLFRAM DIPL PHYS , RUDOLPH PETER PROF DR , ZIEM MARIO DIPL ING , KIRSCHT FRITZ DR
IPC分类号： C30B15/22 , C30B15/14
摘要： Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren, wobei ein in -Ziehrichtung orientierter Kristallkeim in die Schmelze (3) eingebracht wird, die in einem Tiegel (2) enthaltene Schmelze (3) beheizt, parallel zur Ziehrichtung Facettenwachstum der {110}-Flächen mit einer Facettenbreite d ausgelöst und der wachsende Kristall (1) aus der Schmelze (3) gezogen wird, wobei eine Querschnittsfläche des gezogenen Kristalls (1) senkrecht zur Ziehrichtung eine quadratische Form aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass radiale Temperaturgradienten unterhalb 10 K/cm erzeugt werden, indem mindestens zwei in vorgebbarer Richtung laufende magnetische Wanderfelder erzeugt und diese auf die Schmelze (3) zur Einwirkung gebracht werden, wobei (i) die Beheizung der Schmelze (3) und die Erzeugung der magnetischen Wanderfelder durch mindestens zwei kombinierte Heizer-Magnetfeld-Anordnungen (4, 6) ausgeführt wird, wobei die Beheizung und Erzeugung der mindestens zwei magnetischen Wanderfelder über eine Steuerung der Parameter Phasenwinkel, Frequenz und/oder Stromstärke eines eingespeisten Wechselstromes und/oder Gleichstromes ausgeführt wird; oder (ii) die Beheizung der Schmelze (3) und die Erzeugung der mindestens zwei magnetischen Wanderfelder voneinander getrennt mittels Heizeinrichtungen (13, 14) und mittels Magnetfeld-Anordnungen (4, 6) ausgeführt wird.

3. 发明申请

WO2008155138A2 DEVICE FOR PRODUCING CRYSTALS FROM ELECTROCONDUCTIVE MELTS 审中-公开
标题翻译：器具，用于产生晶体电气熔铅
公开(公告)号：WO2008155138A2
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/EP2008005192
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV , LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
发明人： LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B15/305
摘要： The invention relates to a device for growing crystals from electroconductive melts, said device at least comprising a crucible (12) containing a melt (11) and arranged in a growing chamber (10), and a heating device (1) which surrounds the crucible (12) and is embodied as a multiple-coil arrangement consisting of coils (1a, 1 b, 1c) arranged one above the other. Said coils (1a, 1 b, 1c) comprise graduated or continuous coil windings (9) and feeder bars (2a, 2b, 2c, 2m) are applied to the coils (1a, 1 b, 1c), said bars being electrically connected to an energy supply device (13) arranged outside the growing chamber (10). According to the invention, the heating device (1) comprises stabilisation elements (3a), (3b), (3c), 3d) on the coil windings (9), and the feeder bars (2a), (2b), (2c), (2m) are formed as angular parts.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生长导电熔体的结晶的装置，设置在至少包括在生长室中（10），熔体（11）中含有的坩埚（12），围绕加热器（1），坩埚（12），其作为重叠线圈（1A，1B，1C）被执行，其中，所述线圈（1A，1B，1C）级或无级线圈绕组（9）和所述线圈（1A，1B，1C）馈送轨（2a的更多线圈组件，图2b，其被电布置有（生长室10）电源装置（13外2C，2M）被安装）连接。可以设想的是，加热装置（1）稳定化元素（3A），（3B），（3C），在线圈匝（9）和所述电源轨（2a）中的3D），（2B），（2C），（2M）在角部的形式被配置。

4. 发明专利

DE102007020239B4 未知
公开(公告)号：DE102007020239B4
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：DE102007020239
申请日：2007-04-24
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , LANGE RALPH-PETER
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00 , C30B15/22 , C30B30/04

5. 发明专利

DE102007028547A1 未知
公开(公告)号：DE102007028547A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：DE102007028547
申请日：2007-06-18
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
IPC分类号： C30B30/04 , C30B11/00 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B17/00

6. 发明专利

DK2162570T3 Apparat til fremstilling af krystaller af elektrisk ledende smelter 未知
公开(公告)号：DK2162570T3
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：DK08784554
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： KASJANOW HELENE , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , LANGE RALPH-PETER
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00

7. 发明专利

DE102007020239A1 Device for the production of silicon crystals from electrically conductive melts, exhibits crucible having melt arranged in growth chamber, heating arrangement surrounding the crucible, and power supply unit arranged outsides of the chamber 未知
公开(公告)号：DE102007020239A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：DE102007020239
申请日：2007-04-24
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , LANGE RALPH-PETER
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00 , C30B15/22 , C30B30/04
摘要： The device for the production of silicon crystals from electrical conductive melts, exhibits a crucible (20) having melt (22) arranged in a growth chamber (23), a heating arrangement (24) surrounding the crucible, and a power supply unit arranged outsides of the chamber. The power supply unit stands in connection with a controller, which stands in connection with power modules. The heating arrangement is implemented as a multi coil arrangement, which controls three connections that are led through the growth chamber. The device for the production of silicon crystals from electrical conductive melts, exhibits a crucible (20) having melt (22) arranged in a growth chamber (23), a heating arrangement (24) surrounding the crucible, and a power supply unit arranged outsides of the chamber. The power supply unit stands in connection with a controller, which stands in connection with power modules. The heating arrangement is implemented as a multi coil arrangement, which controls three connections that are led through the growth chamber. The first power module is connected with coils of heating arrangement by the connections (7, 9) and the second power is connected with coils of heating arrangement by other connections (8, 9). The power modules are connected with an absolute measurement at outside of the chamber. The multi coil arrangement is connected with the energy supply unit on outsides of the growth chamber and is constructed out of any integral coil numbers. The coils show infinitely variable spiral windings and are connected in series connection and/or parallel connection with one another. The controller arranged outside of the growth chamber, comprises a pulse-width modulator for controlling the power module, a low pass for the filtration of frequencies, a sinus voltage generator, a phase modifier for the generation of phase displacements, a measuring unit for measuring flow- and voltage measurement values and a data processing system for monitoring control operations. The data processing system is arranged as the pulse-width modulator. The power modules stand in connection with the low pass, the measuring unit and the data processing unit.

8. 发明专利

ES2391150T3 Dispositivo para fabricar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras 未知
公开(公告)号：ES2391150T3
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：ES08784554
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00
摘要： Dispositivo para cultivar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras que presenta al menos un crisol (12) que contiene una masa fundida (11), dispuesto en una cámara de cultivo (10), un dispositivo de calentamiento (1) que rodea al crisol (12), que está realizado como disposición de múltiples bobinas de bobinas (1a, 1b, 1c) dispuestas una sobre otra, presentando las bobinas (1a, 1b, 1c) espiras de bobina continuas o escalonadas (9) y estando colocadas en las bobinas (1a, 1 b, 1c) barras de alimentación de corriente (2a, 2b, 2c, 2m) que están conectadas eléctricamente con un dispositivo de alimentación de energía (13) dispuesto fuera de la cámara de cultivo (10), caracterizado por que el dispositivo de calentamiento (1) presenta elementos estabilizadores (3a), (3b), (3c), (3d) en las espiras de bobina (9) y las barras de alimentación de corriente (2a), (2b), (2c), (2m) presentan al menos una barra horizontal (5a, 5b, 5c, 5m) y una barra vertical (6a, 6b, 6c, 6m) que están conectadas entre sí en forma de una pieza angular, estando conectada de manera eléctricamente conductora la barra horizontal (5a, 5b, 5c, 5m) con al menos una bobina (1a, 1b, 1c) y correspondiendo una longitud de barra (7) de la barra horizontal (5a, 5b, 5c, 5m) al menos a una profundidad de penetración del flujo magnético a una frecuencia usada respectivamente.

9. 发明专利

AT551448T 未知
公开(公告)号：AT551448T
公开(公告)日：2012-04-15
申请号：AT08784554
申请日：2008-06-17
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： LANGE RALPH-PETER , JOCKEL DIETMAR , ZIEM MARIO , RUDOLPH PETER , KIESSLING FRANK , FRANK-ROTSCH CHRISTIANE , CZUPALLA MATTHIAS , NACKE BERNARD , KASJANOW HELENE
IPC分类号： C30B15/14 , C30B11/00

10. 发明专利

DE102008035439B4 Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen 未知
公开(公告)号：DE102008035439B4
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：DE102008035439
申请日：2008-07-25
申请人： FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV
发明人： ZIEM MARIO , LANGE RALPH-PETER , RUDOLPH PETER
IPC分类号： C30B11/00 , C30B30/04

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