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1. 发明专利

TWI669996B 用於積體電路製造之方法有权
简体标题：用于集成电路制造之方法
公开(公告)号：TWI669996B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104142382
申请日：2015-12-17
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 古德曼馬修 G. , GOODMAN, MATTHEW G.
IPC分类号： H05K3/00

2. 发明专利

TWI687541B 具有用於改變基板溫度之基板托盤的預清洗腔室及使用該基板托盤進行預清洗製程有权
简体标题：具有用于改变基板温度之基板托盘的预清洗腔室及使用该基板托盘进行预清洗制程
公开(公告)号：TWI687541B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW105101795
申请日：2016-01-21
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 希爾艾瑞克 R. , HILL, ERIC R.
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/02 , C23C16/458 , C23C16/455

3. 发明专利

TWI641046B 積體電路的製造方法有权
简体标题：集成电路的制造方法
公开(公告)号：TWI641046B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW104108394
申请日：2015-03-17
申请人：荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 古德曼馬修G , GOODMAN, MATTHEW G. , 凡羅伯特麥克 , VYNE, ROBERT MICHAEL , 希爾艾瑞克R , HILL, ERIC R.
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/20 , H01L21/67

4. 发明专利

TW201724394A 預清理副產物昇華之反應器系統及其方法审中-公开
简体标题：预清理副产物升华之反应器系统及其方法
公开(公告)号：TW201724394A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105117112
申请日：2016-06-01
申请人： ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：托爾約翰 , TOLLE, JOHN , 希爾埃里克 , HILL, ERIC
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C14/021 , C23C14/50 , C23C16/0209 , C23C16/0218 , C23C16/458 , C23C16/4582 , C23C16/46 , H05B3/26 , H05B6/105
摘要：本發明提供了一種反應器系統及相關方法，其包括晶片托盤中的加熱元件。加熱元件用於加熱晶片托盤及位於反應槽室組件內的晶片托盤上的基板或晶片，以及用於引起晶片的自然氧化物之昇華。
简体摘要：本发明提供了一种反应器系统及相关方法，其包括芯片托盘中的加热组件。加热组件用于加热芯片托盘及位于反应槽室组件内的芯片托盘上的基板或芯片，以及用于引起芯片的自然氧化物之升华。

5. 发明专利

TW201700781A 具有用於改變基板溫度之基板托盤的預清洗腔室及使用該基板托盤進行預清洗製程审中-公开
简体标题：具有用于改变基板温度之基板托盘的预清洗腔室及使用该基板托盘进行预清洗制程
公开(公告)号：TW201700781A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105101795
申请日：2016-01-21
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 希爾艾瑞克 R. , HILL, ERIC R.
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/02 , C23C16/458 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67109 , H01L21/6719
摘要：一種用於自基板之表面去除氧化物材料之系統可包括用以收納基板之基板托盤，及用以收納基板托盤之冷卻體。系統可包括：第一溫度控制元件，其經組態以控制基板托盤之溫度，及第二溫度控制元件，其經組態以控制冷卻體之溫度，第一及第二溫度控制元件可經獨立地控制。一種用於自基板之表面去除氧化物材料之方法可包括：在具有加熱元件之基板托盤上提供基板；藉由將熱自基板托盤傳遞至冷卻體以冷卻基板；在基板在冷卻體上時將含有鹵素之材料沈積於冷卻之基板上；隨後通過藉由將熱自基板托盤傳遞至基板而加熱冷卻之基板以使含有鹵素之材料升華。
简体摘要：一种用于自基板之表面去除氧化物材料之系统可包括用以收纳基板之基板托盘，及用以收纳基板托盘之冷却体。系统可包括：第一温度控件，其经组态以控制基板托盘之温度，及第二温度控件，其经组态以控制冷却体之温度，第一及第二温度控件可经独立地控制。一种用于自基板之表面去除氧化物材料之方法可包括：在具有加热组件之基板托盘上提供基板；借由将热自基板托盘传递至冷却体以冷却基板；在基板在冷却体上时将含有卤素之材料沉积于冷却之基板上；随后通过借由将热自基板托盘传递至基板而加热冷却之基板以使含有卤素之材料升华。

6. 发明专利

TW201635874A 用於積體電路製造之方法审中-公开
简体标题：用于集成电路制造之方法
公开(公告)号：TW201635874A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142382
申请日：2015-12-17
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：塔勒約翰 , TOLLE, JOHN , 古德曼馬修 G. , GOODMAN, MATTHEW G.
IPC分类号： H05K3/00
CPC分类号： H01L21/0206 , B05D3/002 , B05D3/02 , B05D3/04 , B05D3/0433 , H01L21/02041 , H01L21/02046 , H01L21/306
摘要：在一些實施例中，一種用於積體電路製造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括矽及鍺。移除所述氧化物材料包括將含鹵素的預清潔材料沉積於含氧化矽的表面上，且昇華所述含鹵素的預清潔材料之一部分以暴露所述表面上之矽。將鈍化膜沉積於暴露矽上。所述鈍化膜可包括氯。所述鈍化膜可防止矽表面受來自稍後昇華之化學物質污染，其中稍後昇華可在高於較早昇華之溫度下。隨後，使所述含鹵素的預清潔材料之剩餘部分及所述鈍化膜昇華。隨後可將諸如導電材料之目標材料沉積於基板表面上。
简体摘要：在一些实施例中，一种用于集成电路制造之方法包括自基板之表面移除氧化物材料，其中所述表面包括硅及锗。移除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积于含氧化硅的表面上，且升华所述含卤素的预清洁材料之一部分以暴露所述表面上之硅。将钝化膜沉积于暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华之化学物质污染，其中稍后升华可在高于较早升华之温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料之剩余部分及所述钝化膜升华。随后可将诸如导电材料之目标材料沉积于基板表面上。

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