基本信息:
- 专利标题： NEAR-INFRARED PHOTODETECTOR SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：PCT/EP2018/081086 申请日：2018-11-13
- 公开(公告)号：WO2019101577A1 公开(公告)日：2019-05-31
- 发明人： JONAK-AUER, Ingrid , MEINHARDT, Gerald , LÖFFLER, Bernhard
- 申请人： AMS AG
- 申请人地址： Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten AT
- 专利权人： AMS AG
- 当前专利权人： AMS AG
- 当前专利权人地址： Schloss Premstätten Tobelbader Str. 30 8141 Premstätten AT
- 代理机构： EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- 优先权： EP17203572.7 20171124
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L31/028
摘要：
The near-infrared photodetector semiconductor device comprises a semiconductor layer (1) of a first type of conductivity with a main surface (10), a trench or a plurality of trenches (2) in the semiconductor layer at the main surface, a SiGe alloy layer (3) in the trench or the plurality of trenches, and an electrically conductive filling material of a second type of conductivity in the trench or the plurality of trenches, the second type of conductivity being opposite to the first type of conductivity.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |