发明申请
WO2017083150A1 LAYER STRUCTURES FOR RF FILTERS FABRICATED USING RARE EARTH OXIDES AND EPITAXIAL ALUMINUM NITRIDE
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： LAYER STRUCTURES FOR RF FILTERS FABRICATED USING RARE EARTH OXIDES AND EPITAXIAL ALUMINUM NITRIDE
- 专利标题（中）：使用稀土氧化物和外延氮化铝制造射频滤波器的层结构
- 申请号：PCT/US2016/060187 申请日：2016-11-02
- 公开(公告)号：WO2017083150A1 公开(公告)日：2017-05-18
- 发明人： PELZEL, Rodney , DARGIS, Rytis , CLARK, Andrew , WILLIAMS, Howard , CHIN, Patrick , LEBBY, Michael
- 申请人： IQE, PLC , PELZEL, Rodney , DARGIS, Rytis , CLARK, Andrew , WILLIAMS, Howard , CHIN, Patrick , LEBBY, Michael
- 申请人地址： Pascal Close IQE plc Head Office St. Mellons, Cardiff CF3 0LW GB
- 专利权人： IQE, PLC,PELZEL, Rodney,DARGIS, Rytis,CLARK, Andrew,WILLIAMS, Howard,CHIN, Patrick,LEBBY, Michael
- 当前专利权人： IQE, PLC,PELZEL, Rodney,DARGIS, Rytis,CLARK, Andrew,WILLIAMS, Howard,CHIN, Patrick,LEBBY, Michael
- 当前专利权人地址： Pascal Close IQE plc Head Office St. Mellons, Cardiff CF3 0LW GB
- 代理机构： KELLY, Edward, J. et al.
- 优先权： US15/342,045 20161102; US62/255,113 20151113; US62/398,416 20160922
- 主分类号： H03H3/02
- IPC分类号： H03H3/02 ; H03H3/08 ; H03H9/17 ; H01L41/08 ; H01L41/083 ; H01L41/319
摘要：
Layer structures for RF filters can be fabricated using rare earth oxides and epitaxial aluminum nitride, and methods for growing the layer structures. A layer structure (300) can include an epitaxial crystalline rare earth oxide (REO) layer (306) over a substrate (302), a first epitaxial electrode layer (310) over the crystalline REO layer (306), and an epitaxial piezoelectric layer (312) over the first epitaxial electrode layer (310). The layer structure (300) can further include a second electrode layer (314) over the epitaxial piezoelectric layer (312). The first electrode layer (310) can include an epitaxial metal. The epitaxial metal can be single-crystal. The first electrode layer (310) can include one or more of a rare earth pnictide, and a rare earth silicide (RESi).
摘要（中）：
可以使用稀土氧化物和外延氮化铝制造用于RF滤波器的层结构，以及用于生长层结构的方法。 层结构（300）可以包括衬底（302）上的外延晶体稀土氧化物（REO）层（306），晶体REO层（306）上的第一外延电极层（310）以及外延压电层 （312）在第一外延电极层（310）上方。 层结构（300）可以进一步包括在外延压电层（312）之上的第二电极层（314）。 第一电极层（310）可以包括外延金属。 外延金属可以是单晶的。 第一电极层（310）可以包括稀土磷酸盐和稀土硅化物（RESi）中的一种或多种。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H3/00 | 专用于制造阻抗网络、谐振电路、谐振器的设备或方法 |
| --------H03H3/007 | .用于制造机电谐振器或网络 |
| ----------H03H3/02 | ..用于制造压电或电致伸缩谐振器或网络 |