基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE PROCESSING METHOD FOR MATERIAL REMOVAL
- 专利标题（中）：用于材料去除的半导体器件处理方法
- 申请号：PCT/US2016/041443 申请日：2016-07-08
- 公开(公告)号：WO2017007988A1 公开(公告)日：2017-01-12
- 发明人： OLSON, Timothy, L. , ROGERS, William, Boyd , ALDAS, Ferdinand
- 申请人： DECA TECHNOLOGIES INC.
- 申请人地址： 7855 South River Parkway, Ste. 111 Tempe, AZ 85284 US
- 专利权人： DECA TECHNOLOGIES INC.
- 当前专利权人： DECA TECHNOLOGIES INC.
- 当前专利权人地址： 7855 South River Parkway, Ste. 111 Tempe, AZ 85284 US
- 代理机构： BOOTH, Kenneth, C.
- 优先权： US15/204,871 20160707; US62/189,952 20150708
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308
摘要：
A method of removing at least a portion of a layer of material from over a semiconductor substrate that can include dispensing an etching solution over the semiconductor substrate to form a pool of etching solution on the layer of material, wherein a footprint of the pool of etching solution is less than a footprint of the semiconductor substrate. The pool of etching solution and the semiconductor substrate can be moved with respect to each other. A pool boundary of the pool of etching solution can be defined on the semiconductor substrate with at least one air-knife such that the pool of etching solution etches the layer of material over the semiconductor substrate within the footprint of the pool of etching solution. The etching solution and at least a portion of the layer of material etched by the etching solution can be removed with the at least one air-knife.
摘要（中）：
一种从半导体衬底上去除材料层的至少一部分的方法，其可以包括在半导体衬底上分配蚀刻溶液以在该材料层上形成蚀刻溶液池，其中蚀刻池的覆盖区 溶液小于半导体衬底的覆盖区。 蚀刻溶液池和半导体衬底可以相对于彼此移动。 可以使用至少一个气刀在半导体衬底上限定蚀刻溶液池的池边界，使得蚀刻溶液池在蚀刻溶液池的覆盖区内蚀刻半导体衬底上的材料层。 蚀刻溶液和由蚀刻溶液蚀刻的材料层的至少一部分可以用至少一个气刀去除。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |