基本信息:
- 专利标题： MEMS-BAUELEMENT MIT HOHER INTEGRATIONSDICHTE
- 专利标题（英）：Mems component having a high integration density
- 专利标题（中）：具有高集成度MEMS组件
- 申请号：PCT/EP2015/080544 申请日：2015-12-18
- 公开(公告)号：WO2016134803A1 公开(公告)日：2016-09-01
- 发明人： METZGER, Thomas , PORTMANN, Jürgen
- 申请人： EPCOS AG
- 申请人地址： St.-Martin-Straße 53 81669 München DE
- 专利权人： EPCOS AG
- 当前专利权人： EPCOS AG
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Straße 53 81669 München DE
- 代理机构： EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- 优先权： DE10 20150227
- 主分类号： H03H9/05
- IPC分类号： H03H9/05 ; H03H9/10 ; B81C1/00 ; B81B7/02
摘要：
Es wird ein MEMS-Bauelement mit erhöhter Integrationsdichte und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben. Das Bauelement umfasst einen Basiswafer und einen darüber angeordneten Deckelwafer. Zwischen dem Basiswafer und dem Deckelwafer ist ein erster Hohlraum angeordnet. Über dem Deckelwafer ist ein zweiter Hohlraum unter einer Dünnschicht-Abdeckung angeordnet. Die Hohlräume enthalten Bauelementstrukturen.
摘要（中）：
它具有增加的集成密度和用于制造这样的部件的方法陈述是MEMS设备。 该装置包括基体晶片和上覆帽晶片。 基底晶片和盖晶片之间的第一腔被布置。 上面的帽晶片，第二腔被布置在薄膜盖下方。 空腔包含组分结构。