基本信息:
- 专利标题： 适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构
- 专利标题（英）：Tft back plate manufacturing method and structure suitable for amoled
- 申请号：PCT/CN2015/078866 申请日：2015-05-13
- 公开(公告)号：WO2016115793A1 公开(公告)日：2016-07-28
- 发明人： 张占东
- 申请人： 深圳市华星光电技术有限公司 , 武汉华星光电技术有限公司
- 申请人地址： 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- 专利权人： 深圳市华星光电技术有限公司,武汉华星光电技术有限公司
- 当前专利权人： 深圳市华星光电技术有限公司,武汉华星光电技术有限公司
- 当前专利权人地址： 中国广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号, Guangdong 518132 CN
- 代理机构： 深圳市德力知识产权代理事务所
- 优先权： CN201510028232.2 20150120
- 主分类号： H01L51/56
- IPC分类号： H01L51/56 ; H01L51/52
摘要：
一种适用于AMOLED的TFT背板制作方法及结构。该方法包括：步骤1、提供一基板(10)，再沉积一缓冲层(20)；步骤2、在缓冲层(20)上依次形成有源层(30)、及栅极绝缘层(40)；步骤3、对栅极绝缘层(40)进行图案化处理，形成一凹陷部(401)；步骤4、形成开关薄膜晶体管(T10)的栅极(50)、及驱动薄膜晶体管(T20)的栅极(60)，开关薄膜晶体管(T10)的栅极(50)位于凹陷部(401)；步骤5、沉积层间绝缘层(70)。该方法通过制作一具有高度差的单层栅极绝缘层，简化了TFT背板的制作流程，增加了驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提高了AMOLED面板的灰阶切换与控制性能。