基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：PCT/JP2014/050447 申请日：2014-01-14
- 公开(公告)号：WO2014112472A1 公开(公告)日：2014-07-24
- 发明人： 木伏 明彦 , 大神 武士 , 渡邉 由布子 , 白子 剛史
- 申请人： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル , 木伏 明彦 , 大神 武士 , 渡邉 由布子 , 白子 剛史
- 申请人地址： L-2121 ルクセンブルク、ヴァル デ ボン マラデス208 Luxembourg LU
- 专利权人： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル,木伏 明彦,大神 武士,渡邉 由布子,白子 剛史
- 当前专利权人： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル,木伏 明彦,大神 武士,渡邉 由布子,白子 剛史
- 当前专利权人地址： L-2121 ルクセンブルク、ヴァル デ ボン マラデス２０８ Luxembourg LU
- 代理机构： 鷲頭 光宏
- 优先权： JP2013-004540 20130115
- 主分类号： H01L21/8242
- IPC分类号： H01L21/8242 ; G11C11/401 ; G11C11/4094 ; H01L27/108
摘要：
【課題】ビット線イコライズ回路の占有面積を抑えつつプリチャージ特性を向上させる。 【解決手段】ビット線ＢＬＴ１，ＢＬＢ１がそれぞれ接続される拡散層領域ＳＤＴ１，ＳＤＢ１と、プリチャージ電位ＶＢＬＰが供給される拡散層領域ＳＤＥＱと、ゲート電極Ｇとを備える。ゲート電極Ｇは、Ｙ方向に延在する部分Ｇ１２と、Ｘ方向に延在する部分Ｇ３とを含む。ゲート電極Ｇ１２に覆われた部分はチャネル領域ＣＨ１２を構成し、ゲート電極Ｇ３に覆われた部分はチャネル領域ＣＨ３を構成する。拡散層領域ＳＤＴ１は、Ｙ方向において拡散層領域ＳＤＢ１，ＳＤＥＱ間に位置している。拡散層領域ＳＤＴ１，ＳＤＢ１と拡散層領域ＳＤＥＱはチャネル領域ＣＨ１２を介して接続され、拡散層領域ＳＤＴ１と拡散層領域ＳＤＢ１はチャネル領域ＣＨ３を介して接続される。本発明によれば、チャネル幅ＣＨ３を十分に確保できる。
摘要（中）：
[问题]提高预充电特性同时减少位线均衡电路所占据的空间。 [解决方案]半导体器件设置有分别连接有位线（BLT1，BLB1）的扩散层区域（SDT1，SDB1），要提供预充电电位（VBLP）的扩散层区域（SDEQ），以及 栅电极（G）。 栅电极（G）包括向Y方向延伸的部分（G12）和向X方向延伸的部分（G3）。 覆盖有栅极（G12）的部分构成沟道区（CH12），被栅电极（G3）覆盖的部分构成沟道区（CH3）。 扩散层区域（SDT1）位于Y方向观察到的扩散层区域（SDB1，SDEQ）之间。 扩散层区域（SDT1，SDB1）与沟道区域（CH12）之间的扩散层区域（SDEQ）连接，扩散层区域（SDT1）与沟道区域（SDB1）连接，扩散层区域 区域（CH3）。 根据本发明，可以确保足够的通道宽度（CH3）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8242 | .........动态随机存取存储结构（DRAM） |