基本信息:
- 专利标题： METHOD TO IMPROVE RELIABILITY OF HIGH-K METAL GATE STACKS
- 申请号：PCT/US2013/067037 申请日：2013-10-28
- 公开(公告)号：WO2014066881A8 公开(公告)日：2014-05-01
- 发明人： ANDO, Takashi , CARTIER, Eduard, A. , LINDER, Barry, P. , NARAYANAN, Vijay
- 申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , ANDO, Takashi , CARTIER, Eduard, A. , LINDER, Barry, P. , NARAYANAN, Vijay
- 申请人地址： New Orchard Road Armonk, NY 10504 US
- 专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION,ANDO, Takashi,CARTIER, Eduard, A.,LINDER, Barry, P.,NARAYANAN, Vijay
- 当前专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION,ANDO, Takashi,CARTIER, Eduard, A.,LINDER, Barry, P.,NARAYANAN, Vijay
- 当前专利权人地址： New Orchard Road Armonk, NY 10504 US
- 代理机构： BUCHENHORNER, Michael, P., A.
- 优先权： US13/662,505 20121028
- 主分类号： H01L21/3205
- IPC分类号： H01L21/3205
摘要：
A method of fabricating a gate stack for a semiconductor device includes the following steps after removal of a dummy gate: growing a high -k dielectric layer over an area vacated by the dummy gate; depositing a thin metal layer over the high- k dielectric layer; annealing the replacement gate structure in an ambient atmosphere containing hydrogen; and depositing a gap fill layer.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3205 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理 |