基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件制造方法和半导体器件
- 申请号：PCT/JP2012/064760 申请日：2012-06-08
- 公开(公告)号：WO2013183158A1 公开(公告)日：2013-12-12
- 发明人： 舛岡 富士雄 , 原田 望 , 中村 広記 , リ シャン , ワン キンペン , ツェン ツィシャン , カマス アシット ラマチャンドラ , シン ナヴァブ
- 申请人： ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド , 舛岡 富士雄 , 原田 望 , 中村 広記 , リ シャン , ワン キンペン , ツェン ツィシャン , カマス アシット ラマチャンドラ , シン ナヴァブ
- 申请人地址： 179098 ノースブリッジロード 111、ペニンシュラ プラザ、#16-04 Singapore SG
- 专利权人： ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド,舛岡 富士雄,原田 望,中村 広記,リ シャン,ワン キンペン,ツェン ツィシャン,カマス アシット ラマチャンドラ,シン ナヴァブ
- 当前专利权人： ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド,舛岡 富士雄,原田 望,中村 広記,リ シャン,ワン キンペン,ツェン ツィシャン,カマス アシット ラマチャンドラ,シン ナヴァブ
- 当前专利权人地址： 179098 ノースブリッジロード １１１、ペニンシュラ プラザ、＃１６－０４ Singapore SG
- 代理机构： 辻居 幸一
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
半導体装置の製造方法は、平面状シリコン層を形成し、前記平面状シリコン層上に第１の柱状シリコン層と第２の柱状シリコン層とを形成する第１の工程と、前記第１の柱状シリコン層と前記第２の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の周囲に金属膜及びポリシリコン膜を成膜し、前記ポリシリコン膜の膜厚は前記第１の柱状シリコン層と前記第２の柱状シリコン層との間の間隔の半分より薄いのであって、ゲート配線を形成するための第３のレジストを形成し、前記ゲート配線を形成する第２の工程と、第４のレジストを堆積し、前記第１の柱状シリコン層と前記第２の柱状シリコン層上部側壁の前記ポリシリコン膜を露出し、露出した前記ポリシリコン膜をエッチングにより除去し、前記第４のレジストを剥離し、前記金属膜をエッチングにより除去し、前記ゲート配線に接続する第１のゲート電極と第２のゲート電極を形成する第３の工程を有する。
摘要（中）：
该半导体器件的制造方法具有：形成平面状硅层的第一工序，在该平面状硅层上形成第一柱状硅层和第二柱状硅层; 第二步，其中栅极绝缘膜形成在第一柱状硅层和第二柱状硅层的周边上，金属膜和多晶硅膜形成在栅极绝缘膜的周边上，所述多晶硅膜具有膜 厚度小于第一柱状硅层和第二柱状硅层之间的间隔的一半，形成用于形成栅极布线的第三抗蚀剂，形成栅极布线; 以及第三步骤，其中沉积第四抗蚀剂，暴露第一柱状硅层和第二柱状硅层的上侧壁上的多晶硅膜，通过蚀刻除去暴露的多晶硅膜，除去第四抗蚀剂， 通过蚀刻去除金属膜，并且形成连接到栅极布线的第一栅极电极和第二栅极电极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |