发明申请
WO2013045311A1 EUV MIRROR COMPRISING AN OXYNITRIDE CAPPING LAYER HAVING A STABLE COMPOSITION, EUV LITHOGRAPHY APPARATUS, AND OPERATING METHOD
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： EUV MIRROR COMPRISING AN OXYNITRIDE CAPPING LAYER HAVING A STABLE COMPOSITION, EUV LITHOGRAPHY APPARATUS, AND OPERATING METHOD
- 专利标题（中）：包含具有稳定组合物的氧化物覆盖层的EUV反射镜，EUV光刻设备和操作方法
- 申请号：PCT/EP2012/068320 申请日：2012-09-18
- 公开(公告)号：WO2013045311A1 公开(公告)日：2013-04-04
- 发明人： BLANCKENHAGEN, Gisela von , EHM, Dirk Heinrich
- 申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , BLANCKENHAGEN, Gisela von , EHM, Dirk Heinrich
- 申请人地址： Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen DE
- 专利权人： CARL ZEISS SMT GMBH,BLANCKENHAGEN, Gisela von,EHM, Dirk Heinrich
- 当前专利权人： CARL ZEISS SMT GMBH,BLANCKENHAGEN, Gisela von,EHM, Dirk Heinrich
- 当前专利权人地址： Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen DE
- 代理机构： KOHLER SCHMID MÖBUS PATENTANWÄLTE et al.
- 优先权： DE102011083462.1 20110927; US61/539,702 20110927
- 主分类号： G02B5/08
- IPC分类号： G02B5/08 ; G21K1/06 ; G03F7/20 ; C23C16/34
摘要：
The invention relates to a mirror (13) for use e.g. in an EUV lithography apparatus or an EUV mask metrology system, comprising: a substrate (15) and a coating (16) reflective to EUV radiation (6), said reflective coating having a capping layer (18) composed of an oxynitride, in particular composed of SiN x O Y , wherein a nitrogen proportion x in the oxynitride Ν χ Ο γ is between 0.4 and 1.4. The invention also relates to an EUV lithography apparatus comprising at least one such EUV mirror (13) and to a method for operating such an EUV lithography apparatus.
摘要（中）：
本发明涉及一种镜子（13）。 在EUV光刻设备或EUV掩模测量系统中，包括：基板（15）和对EUV辐射（6）反射的涂层（16），所述反射涂层具有由氮氧化物组成的覆盖层（18），特别是 由SiNxOY组成，其中氮氧化物NuchiOmicrongamma中的氮比例x在0.4和1.4之间。 本发明还涉及包括至少一个这样的EUV反射镜（13）的EUV光刻设备以及用于操作这样的EUV光刻设备的方法。