基本信息:
- 专利标题： 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2012/005040 申请日：2012-08-08
- 公开(公告)号：WO2013021636A1 公开(公告)日：2013-02-14
- 发明人： 竹内 有一 , 鈴木 巨裕
- 申请人： 株式会社デンソー , 竹内 有一 , 鈴木 巨裕
- 申请人地址： 〒4488661 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 Aichi JP
- 专利权人： 株式会社デンソー,竹内 有一,鈴木 巨裕
- 当前专利权人： 株式会社デンソー,竹内 有一,鈴木 巨裕
- 当前专利权人地址： 〒4488661 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 Aichi JP
- 代理机构： 金 順姫
- 优先权： JP2011-174774 20110810
- 主分类号： H01L21/337
- IPC分类号： H01L21/337 ; H01L21/338 ; H01L27/098 ; H01L29/06 ; H01L29/12 ; H01L29/78 ; H01L29/808 ; H01L29/812
摘要：
半導体装置は、炭化珪素半導体基板（５）と、前記半導体基板（５）のセル領域（Ｒ１）に形成されたトランジスタと、前記セル領域（Ｒ１）の外周を囲む領域（Ｒ２）に形成された耐圧構造とを有する。前記半導体基板（５）は、第１導電型基板（１）と、前記第１導電型基板（１）上の第１導電型ドリフト層（２）と、前記ドリフト層（２）上の第２導電型層（３）と、前記第２導電型層（３）上の第１導電型層（４）とを有する。前記耐圧構造は、前記セル領域（Ｒ１）の外周を囲み、前記ドリフト層（２）に達する第１凹部（１７）と、前記第１凹部（１７）の内周側の側面の位置において、前記セル領域（Ｒ１）の外周を囲むトレンチ（１３、４５）と、前記トレンチ（１３、４５）内に埋め込まれ、前記第１凹部（１７）の側面を構成する第２導電型埋込層（１５、４６）とを有する。
摘要（中）：
该半导体器件具有：碳化硅半导体衬底（5）; 形成在半导体衬底（5）的单元区域（R1）中的晶体管; 以及形成在围绕电池区域（R1）的外周的区域（R2）中的高耐压结构。 半导体衬底（5）具有：第一导电型衬底（1）; 第一导电型衬底（1）上的第一导电型漂移层（2）; 漂移层（2）上的第二导电类型层（3）; 和在第二导电型层（3）上的第一导电型层（4）。 高耐压结构具有：围绕电池区域（R1）的外周并到达漂移层（2）的第一凹部（17）; 围绕所述单元区域（R1）的外周的沟槽（13,45），所述沟槽位于所述第一凹部（17）的内周侧的侧面的位置; 以及嵌入在所述沟槽（13,45）中并构成所述第一凹部（17）的侧面的第二导电型嵌入层（15,46）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/337 | ......带有PN结栅的 |