基本信息:
- 专利标题： 熱処理装置
- 专利标题（英）：Heat treating apparatus
- 专利标题（中）：热处理设备
- 申请号：PCT/JP2012/052222 申请日：2012-02-01
- 公开(公告)号：WO2012132538A1 公开(公告)日：2012-10-04
- 发明人： 米永 富廣 , 河野 有美子 , 内田 直喜 , 尾崎 一博
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社 , 三井造船株式会社 , 米永 富廣 , 河野 有美子 , 内田 直喜 , 尾崎 一博
- 申请人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社,三井造船株式会社,米永 富廣,河野 有美子,内田 直喜,尾崎 一博
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社,三井造船株式会社,米永 富廣,河野 有美子,内田 直喜,尾崎 一博
- 当前专利权人地址： 〒1076325 東京都港区赤坂五丁目３番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 大山 浩明
- 优先权： JP2011-074935 20110330
- 主分类号： H01L21/22
- IPC分类号： H01L21/22 ; C23C16/46 ; H01L21/205 ; H01L21/31 ; H01L21/324
摘要：
サセプタの周縁部から入り込む磁束の透過を制御することによって，サセプタの面内温度を的確に制御する。 基板を載置する載置面を有する導電性部材であって，周縁部（２１０）とこれに囲まれる内側部（２２０）とに分けられ，内側部は厚板状発熱体からなり，周縁部は内側部よりも薄い薄板状発熱体を互いに電気的に絶縁した状態で積層してなるサセプタ（２００）と，サセプタの側面からその載置面に平行な方向に交流磁場を形成する電磁石（１２０）とを備え，この電磁石に巻回された誘導コイル（１２４）に印加する２つの周波数の高周波電流により各薄板状発熱体に発生する誘導電流を制御して内側部までの磁束の透過を制御することによって，各サセプタの周縁部の発熱量と内側部の発熱量との比率を変化させて温度制御を行う。
摘要（中）：
本发明的目的是通过控制从基座的边缘部分进入的磁通量的穿透来精确地控制基座的面内温度。 一种热处理设备具有：作为导电部件的感受体（200），具有承载基板的承载面，每个基座被划分为边缘部分（210）和由其包围的内部部分（220） 所述内部部分包括厚板状发热体，并且所述边缘部分以彼此电绝缘的方式层压薄壁状发热体，其比内部部分薄; 以及从所述基座的侧面形成平行于所述装载表面的交流磁场的电磁体（120）。 热处理装置通过使用施加到缠绕在电磁体上的感应线圈（124）的两个频率的高频电流，使每个基座的边缘部分的发热与内部的发热之间的比率发生变化，进行温度控制 以控制在每个薄膜状发热体处产生的感应电流并控制磁通量到内部的穿透。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/22 | ....杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂 |