基本信息:
- 专利标题： 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
- 专利标题（英）：Nonvolatile semiconductor storage device and method for producing same
- 专利标题（中）：非挥发性半导体存储器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2010/054771 申请日：2010-03-19
- 公开(公告)号：WO2011114502A1 公开(公告)日：2011-09-22
- 发明人： 藤井 章輔 , 佐久間 究 , 藤木 潤 , 木下 敦寛
- 申请人： 株式会社 東芝 , 藤井 章輔 , 佐久間 究 , 藤木 潤 , 木下 敦寛
- 申请人地址： 〒1058001 東京都港区芝浦一丁目1番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 株式会社 東芝,藤井 章輔,佐久間 究,藤木 潤,木下 敦寛
- 当前专利权人： 株式会社 東芝,藤井 章輔,佐久間 究,藤木 潤,木下 敦寛
- 当前专利权人地址： 〒1058001 東京都港区芝浦一丁目１番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 鈴江 武彦
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792
摘要：
本発明の例に係わる不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板（１）と、半導体基板（１）の表面に対して垂直な第１の方向に互いに絶縁されて積み重ねられ、半導体基板（１）の表面に平行な第２の方向に延びる第１乃至第ｎの半導体層（ｎは２以上の自然数）（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）と、第１及び第２の方向に交差する第３方向に垂直な第１乃至第ｎの半導体層（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）の側面に沿って第１の方向に延びる電極（６（１）ｄ）と、第１乃至第ｎの半導体層（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）と電極（６（１）ｄ）との間に配置される第１乃至第ｎの電荷蓄積層（６（１）ｂ）とを備える。第１乃至第ｎの電荷蓄積層（６（１）ｂ）は、第１乃至第ｎの半導体層（３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ）間において互いに物理的に切り離される。
摘要（中）：
非易失性半导体存储装置具备：半导体基板（1）; 在与半导体基板（1）的表面垂直的第一方向上彼此堆叠地层叠的n〜n个半导体层（n为2以上的自然数）（3a，3b，3c，3d） 并且在平行于半导体衬底的表面的第二方向上延伸; 电极（6（1）d），其沿与第一和第二方向相交的第三方向垂直的第一至第n半导体层（3a，3b，3c，3d）的侧表面沿第一方向延伸; 以及设置在第一至第N半导体层（（3a，3b，3c，3d）和电极（6（d））之间的第一至第n电荷存储层（6（1）b），第1至第n电荷 存储层（6（1）b）在第1至第n个半导体层（3a，3b，3c，3d）之间物理上彼此分离。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8246 | .........只读存储器结构（ROM） |
| --------------------------H01L21/8247 | ..........电可编程序的 |