基本信息:
- 专利标题： A BODY-TIED ASYMMETRIC N-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
- 专利标题（中）：一种体型非对称N型场效应晶体管
- 申请号：PCT/US2011/020173 申请日：2011-01-05
- 公开(公告)号：WO2011084975A2 公开(公告)日：2011-07-14
- 发明人： CHANG, Josephine, B. , CHANG, Leland , LIN, Chung-hsun , SLEIGHT, Jeffrey, W.
- 申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , CHANG, Josephine, B. , CHANG, Leland , LIN, Chung-hsun , SLEIGHT, Jeffrey, W.
- 申请人地址： New Orchard Road Armonk, NY 10504 US
- 专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION,CHANG, Josephine, B.,CHANG, Leland,LIN, Chung-hsun,SLEIGHT, Jeffrey, W.
- 当前专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION,CHANG, Josephine, B.,CHANG, Leland,LIN, Chung-hsun,SLEIGHT, Jeffrey, W.
- 当前专利权人地址： New Orchard Road Armonk, NY 10504 US
- 代理机构： SMITH, Harry, F. et al.
- 优先权： US12/683,634 20100107
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336
摘要：
In one exemplary embodiment of the invention, an asymmetric N-type field effect transistor includes: a source region coupled to a drain region via a channel; a gate structure overlying at least a portion of the channel; a halo implant disposed at least partially in the channel, where the halo implant is disposed closer to the source region than the drain region; and a body-tie coupled to the channel. In a further exemplary embodiment, the asymmetric N-type field effect transistor is operable to act as a symmetric N-type field effect transistor.
摘要（中）：
在本发明的一个示例性实施例中，非对称N型场效应晶体管包括：通过沟道耦合到漏极区的源极区; 覆盖通道的至少一部分的栅极结构; 至少部分地设置在所述沟道中的晕环注入物，其中所述晕环注入物被布置为比所述漏极区更靠近所述源极区; 以及耦合到频道的身体领带。 在另一示例性实施例中，不对称N型场效应晶体管可操作以充当对称N型场效应晶体管。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |