基本信息:
- 专利标题： RESISTANCE BASED MEMORY CIRCUIT WITH DIGITAL SENSING
- 专利标题（中）：基于电阻的数字信号处理电路
- 申请号：PCT/US2010/058451 申请日：2010-11-30
- 公开(公告)号：WO2011066584A1 公开(公告)日：2011-06-03
- 发明人： RAO, Hari
- 申请人： QUALCOMM Incorporated , RAO, Hari
- 申请人地址： ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 US
- 专利权人： QUALCOMM Incorporated,RAO, Hari
- 当前专利权人： QUALCOMM Incorporated,RAO, Hari
- 当前专利权人地址： ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 US
- 代理机构： TALPALATSKY, Sam
- 优先权： US12/627,239 20091130
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11C13/00
摘要：
A method of sensing a data value stored at a resistance based memory is disclosed. The method includes receiving a data signal from a data cell. The data cell includes a resistance based memory element. A reference signal is received from a reference circuit. The reference circuit includes a resistance based memory element. The data signal is converted to a data output signal having a first frequency. The reference signal is converted to a reference output signal having a second frequency. A first output signal is generated when the first frequency exceeds the second frequency. A second output signal is generated when the second frequency exceeds the first frequency.
摘要（中）：
公开了一种感测存储在基于电阻的存储器中的数据值的方法。 该方法包括从数据单元接收数据信号。 数据单元包括基于电阻的存储元件。 从参考电路接收参考信号。 参考电路包括基于电阻的存储元件。 数据信号被转换成具有第一频率的数据输出信号。 参考信号被转换为具有第二频率的参考输出信号。 当第一频率超过第二频率时，产生第一输出信号。 当第二频率超过第一频率时，产生第二输出信号。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |