基本信息:
- 专利标题: METHOD AND APPARATUS FOR DRY CLEANING A COOLED SHOWERHEAD
- 专利标题(中):干燥清洗冷却水的方法和装置
- 申请号:PCT/US2010043940 申请日:2010-07-30
- 公开(公告)号:WO2011017222A2 公开(公告)日:2011-02-10
- 发明人: GRIFFIN KEVIN , KRYLIOUK OLGA , SU JIE
- 申请人: APPLIED MATERIALS INC , GRIFFIN KEVIN , KRYLIOUK OLGA , SU JIE
- 专利权人: APPLIED MATERIALS INC,GRIFFIN KEVIN,KRYLIOUK OLGA,SU JIE
- 当前专利权人: APPLIED MATERIALS INC,GRIFFIN KEVIN,KRYLIOUK OLGA,SU JIE
- 优先权: US23111709 2009-08-04
- 主分类号: H01L21/205
- IPC分类号: H01L21/205
摘要:
The present invention generally provides a method and apparatus for cleaning a showerhead of a deposition chamber, such as a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber. In one embodiment, the showerhead is cleaned without exposing the chamber to the atmosphere outside of the chamber (i.e., in situ cleaning). In one embodiment, flow of liquid coolant through a cooling system that is in fluid communication with the showerhead is redirected to bypass the showerhead, and the liquid coolant is drained from the showerhead. In one embodiment, any remaining coolant is flushed from the showerhead via a pressurized gas source. In one embodiment, the showerhead is then heated to an appropriate cleaning temperature. In one embodiment, the flow of liquid coolant from the cooling system is then redirected to the showerhead and the system is adjusted for continued processing. Thus, the entire showerhead cleaning process is performed with minimal change to the flow of coolant through the cooling system.
摘要(中):
本发明总体上提供了一种用于清洁诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)室的沉积室的喷头的方法和装置。 在一个实施例中,清洁喷头而不将室暴露于室外的大气(即,原位清洁)。 在一个实施例中,通过与喷头流体连通的冷却系统的液体冷却剂的流动被重定向以绕过喷头,并且液体冷却剂从喷头排出。 在一个实施例中,任何剩余的冷却剂经由加压气体源从喷头冲洗。 在一个实施例中,然后将喷头加热到适当的清洁温度。 在一个实施例中,来自冷却系统的液体冷却剂的流动然后被重定向到喷头,并且系统被调节以用于继续处理。 因此,通过冷却系统的冷却剂流动的最小变化来执行整个喷头清洁过程。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积,例如外延生长 |
----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的,即化学沉积 |