基本信息:
- 专利标题： CRACK REDUCTION AT METAL/ORGANIC DIELECTRIC INTERFACE
- 专利标题（中）：金属/有机电介质界面减少裂纹
- 申请号：PCT/EP2009/057678 申请日：2009-06-19
- 公开(公告)号：WO2010145712A1 公开(公告)日：2010-12-23
- 发明人： GONZALEZ, Mario , IKER, François , FUNAYA, Takuo
- 申请人： IMEC , NEC CORPORATION , GONZALEZ, Mario , IKER, François , FUNAYA, Takuo
- 申请人地址： Kapeldreef 75 B-3001 Leuven BE
- 专利权人： IMEC,NEC CORPORATION,GONZALEZ, Mario,IKER, François,FUNAYA, Takuo
- 当前专利权人： IMEC,NEC CORPORATION,GONZALEZ, Mario,IKER, François,FUNAYA, Takuo
- 当前专利权人地址： Kapeldreef 75 B-3001 Leuven BE
- 代理机构： HERTOGHE, Kris et al.
- 主分类号： H01L23/532
- IPC分类号： H01L23/532 ; H01L21/60 ; H01L21/768
摘要：
A method for providing a metal interconnect (181) to second structures (91) embedded in organic dielectric material (110) comprises: obtaining a first structure with second structures, e.g. metal pillars (91), embedded in organic dielectric material (110), and at least at some locations of the first structure providing a stiffening layer (130) on top of the organic dielectric material (110), the stiffening layer (130) having a stiffness higher than the stiffness of the organic dielectric material (110). The method provides an interconnect structure free from cracks at the interface between the second structures (91) and the organic dielectric material (110).
摘要（中）：
用于向嵌入在有机介电材料（110）中的第二结构（91）提供金属互连（181）的方法包括：获得具有第二结构的第一结构， 金属柱（91），嵌入有机电介质材料（110）中，并且至少在第一结构的某些位置处，在有机电介质材料（110）的顶部上提供加强层（130），加强层（130）具有 刚度高于有机介电材料（110）的刚度。 该方法提供了在第二结构（91）和有机介电材料（110）之间的界面处没有裂纹的互连结构。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |
| ------------H01L23/532 | ...按材料特点进行区分的 |