基本信息:
- 专利标题： MODULATION OF RF RETURNING STRAPS FOR UNIFORMITY CONTROL
- 专利标题（中）：RF恢复条的调制用于均匀控制
- 申请号：PCT/US2009/066147 申请日：2009-11-30
- 公开(公告)号：WO2010065474A2 公开(公告)日：2010-06-10
- 发明人： TSO, Alan , HOFFMAN, Daniel J. , TANAKA, Tsutomu (Tom) , TAYLOR, William Nixon, Jr. , WANG, Rongping , WHITE, John M.
- 申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , TSO, Alan , HOFFMAN, Daniel J. , TANAKA, Tsutomu (Tom) , TAYLOR, William Nixon, Jr. , WANG, Rongping , WHITE, John M.
- 申请人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 US
- 专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.,TSO, Alan,HOFFMAN, Daniel J.,TANAKA, Tsutomu (Tom),TAYLOR, William Nixon, Jr.,WANG, Rongping,WHITE, John M.
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.,TSO, Alan,HOFFMAN, Daniel J.,TANAKA, Tsutomu (Tom),TAYLOR, William Nixon, Jr.,WANG, Rongping,WHITE, John M.
- 当前专利权人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 US
- 代理机构： PATTERSON, B. Todd et al.
- 优先权： US61/119,607 20081203
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H05H1/36
摘要：
Embodiments of the present invention generally relates to a method and apparatus for processing substrates using plasma. More particularly, embodiments of the present invention provide a plasma processing chamber having an electrode coupled to a plurality of RF returning straps, wherein impedance of the RF returning straps are set and/or adjusted to tune the plasma distribution during processing. In one embodiment, impedance of RF returning straps varies by changing length of the RF returning straps, by changing width of the RF returning straps, by changing spacing of the RF returning straps, by changing location of the RF returning straps, by adding a capacitor to the RF returning straps, or by combinations thereof.
摘要（中）：
本发明的实施例一般涉及一种使用等离子体处理衬底的方法和装置。 更具体地，本发明的实施例提供了一种具有耦合到多个RF返回带的电极的等离子体处理室，其中设置和/或调整RF返回带的阻抗以调整处理期间的等离子体分布。 在一个实施例中，通过改变RF返回带的宽度，通过改变RF返回带的间隔，通过改变RF返回带的位置，通过增加一个电容器 到RF返回带或其组合。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |