基本信息:
- 专利标题： REVERSE SET WITH CURRENT LIMIT FOR NON-VOLATILE STORAGE
- 专利标题（中）：随着非易失性存储的电流限制反向设置
- 申请号：PCT/US2009/048945 申请日：2009-06-26
- 公开(公告)号：WO2009158670A1 公开(公告)日：2009-12-30
- 发明人： SCHEUERLEIN, Roy, E. , YAN, Tianhong
- 申请人： SANDISK 3D LLC , SCHEUERLEIN, Roy, E. , YAN, Tianhong
- 申请人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 US
- 专利权人： SANDISK 3D LLC,SCHEUERLEIN, Roy, E.,YAN, Tianhong
- 当前专利权人： SANDISK 3D LLC,SCHEUERLEIN, Roy, E.,YAN, Tianhong
- 当前专利权人地址： 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035 US
- 代理机构： MAGEN, Burt
- 优先权： US61/076,553 20080627; US12/339,313 20081219
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00
摘要：
A storage system includes a substrate, control circuitry on the substrate, a three dimensional memory array (above the substrate) that includes a plurality of reversible resistance-switching elements, and circuits for limiting the SET current for the reversible resistance-switching elements. The memory cell is SET in a reverse biased fashion.
摘要（中）：
存储系统包括衬底，衬底上的控制电路，包括多个可逆电阻开关元件的三维存储器阵列（衬底上方），以及用于限制可逆电阻切换元件的SET电流的电路。 以反向偏置的方式对存储器单元进行SET设置。