基本信息:
- 专利标题： METHODS FOR MANUFACTURING HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM
- 专利标题（中）：制造高介电常数膜的方法
- 申请号：PCT/US2009038402 申请日：2009-03-26
- 公开(公告)号：WO2009154836A2 公开(公告)日：2009-12-23
- 发明人： KHER SHREYAS S , NARWANKAR PRAVIN K , AHMED KHALED Z , MA YI
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , KHER SHREYAS S , NARWANKAR PRAVIN K , AHMED KHALED Z , MA YI
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,KHER SHREYAS S,NARWANKAR PRAVIN K,AHMED KHALED Z,MA YI
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,KHER SHREYAS S,NARWANKAR PRAVIN K,AHMED KHALED Z,MA YI
- 优先权： US5711308 2008-03-27
摘要：
Processes for making a high K (dielectric constant) film using an ultra-high purity hafnium containing organometallic compound are disclosed. Also described are devices incorporating high K films made with high purity hafnium containing organometallic compounds.
摘要（中）：
公开了使用含有超高纯度铪的有机金属化合物制造高K（介电常数）膜的方法。 还描述了包含用高纯度铪含有有机金属化合物制成的高K膜的装置。