基本信息:
- 专利标题： METHODS FOR FORMING A TITANIUM NITRIDE LAYER
- 专利标题（中）：形成氮化钛层的方法
- 申请号：PCT/US2009037525 申请日：2009-03-18
- 公开(公告)号：WO2009117494A3 公开(公告)日：2009-12-10
- 发明人： KASHEFIZADEH KEYVAN , XIE ZHIGANG , BODKE ASHISH S , CHANG MEI
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , KASHEFIZADEH KEYVAN , XIE ZHIGANG , BODKE ASHISH S , CHANG MEI
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,KASHEFIZADEH KEYVAN,XIE ZHIGANG,BODKE ASHISH S,CHANG MEI
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,KASHEFIZADEH KEYVAN,XIE ZHIGANG,BODKE ASHISH S,CHANG MEI
- 优先权： US5041908 2008-03-18
- 主分类号： H01L21/203
- IPC分类号： H01L21/203 ; H01L21/28 ; H01L21/283
摘要：
Methods for forming titanium nitride layers are provided herein. In some embodiments, a method of forming a titanium nitride layer on a substrate may include providing a substrate into a processing chamber having a target comprising titanium disposed therein; supplying a nitrogen-containing gas into the processing chamber; sputtering a titanium source material from the target in the presence of a plasma formed from the nitrogen-containing gas to deposit a titanium nitride layer on the substrate; and upon depositing the titanium nitride layer to a desired thickness, forming a magnetic field that biases ions in the processing chamber away from the substrate.
摘要（中）：
本文提供了用于形成氮化钛层的方法。 在一些实施例中，在衬底上形成氮化钛层的方法可以包括：将衬底提供到具有设置在其中的包含钛的靶的处理室中; 向处理室内供应含氮气体; 在存在由含氮气体形成的等离子体的情况下从靶溅射钛源材料以在衬底上沉积氮化钛层; 并且在将氮化钛层沉积到期望的厚度时，形成偏置离开衬底的处理室中的离子的磁场。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/203 | .....应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射 |