基本信息:
- 专利标题： DOUBLE MASK SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING TECHNOLOGY (SADPT) PROCESS
- 专利标题（中）：双面掩模自对准双模式技术（SADPT）工艺
- 申请号：PCT/US2009031713 申请日：2009-01-22
- 公开(公告)号：WO2009099769A3 公开(公告)日：2009-10-15
- 发明人： SADJADI S M REZA , LI LUMIN , ROMANO ANDREW R
- 申请人： LAM RES CORP , SADJADI S M REZA , LI LUMIN , ROMANO ANDREW R
- 专利权人： LAM RES CORP,SADJADI S M REZA,LI LUMIN,ROMANO ANDREW R
- 当前专利权人： LAM RES CORP,SADJADI S M REZA,LI LUMIN,ROMANO ANDREW R
- 优先权： US2729908 2008-02-08
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027
摘要：
A method for providing features in an etch layer is provided by forming an organic mask layer over the inorganic mask layer, forming a silicon-containing mask layer over the organic mask layer, forming a patterned mask layer over the silicon-containing mask layer, etching the silicon-containing mask layer through the patterned mask, depositing a polymer over the etched silicon-containing mask layer, depositing a silicon-containing film over the polymer, planarizing the silicon-containing film, selectively removing the polymer leaving the silicon-containing film, etching the organic layer, and etching the inorganic layer.
摘要（中）：
通过在无机掩模层上形成有机掩模层，在有机掩模层上形成含硅掩模层，在含硅掩模层上形成图案化掩模层，蚀刻，提供蚀刻层中提供特征的方法 通过图案化掩模的含硅掩模层，在蚀刻的含硅掩模层上沉积聚合物，在聚合物上沉积含硅膜，平坦化含硅膜，选择性地除去离开含硅膜的聚合物 蚀刻有机层，并蚀刻无机层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |