发明申请
WO2009029566A3 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WAFER LEVEL CHIP SCALE PACKAGING SUBSTRATE DECOUPLING
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WAFER LEVEL CHIP SCALE PACKAGING SUBSTRATE DECOUPLING
- 专利标题（中）：具有水平切片尺寸的半导体器件包装基板解除
- 申请号：PCT/US2008074170 申请日：2008-08-25
- 公开(公告)号：WO2009029566A3 公开(公告)日：2009-05-28
- 发明人： MURUGAN RAJEN M , MCCARTHY ROBERT F , HAROUN BAHER S
- 申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC , MURUGAN RAJEN M , MCCARTHY ROBERT F , HAROUN BAHER S
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INC,MURUGAN RAJEN M,MCCARTHY ROBERT F,HAROUN BAHER S
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INC,MURUGAN RAJEN M,MCCARTHY ROBERT F,HAROUN BAHER S
- 优先权： US96809807 2007-08-27; US4829408 2008-03-14
- 主分类号： H01L23/02
- IPC分类号： H01L23/02
摘要：
One aspect of the invention provides a semiconductor device (100) that includes a microchip (110) having an outermost surface. First and second bond pads are located on the microchip and near the outermost surface (135). A first UBM contact is located on the outermost surface and between the first (140) and second (145) bond pads. The first UBM contact (170) is offset from the first bond pad. A second UBM contact (175) is located on the outermost surface and between the first and second bond pads. The second UBM contact is offset from the second bond pad, and a capacitor supported by the microchip is located between the first and second UBM contacts.
摘要（中）：
本发明的一个方面提供一种包括具有最外表面的微芯片（110）的半导体器件（100）。 第一和第二接合焊盘位于微芯片上并且在最外表面（135）附近。 第一UBM触点位于最外表面和第一（140）和第二（145）接合焊盘之间。 第一UBM触点（170）从第一接合焊盘偏移。 第二UBM触点（175）位于最外表面上以及第一和第二接合焊盘之间。 第二UBM触点偏离第二接合焊盘，并且由微芯片支撑的电容器位于第一和第二UBM触点之间。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |