基本信息:
- 专利标题： レジスト組成物、レジスト保護膜組成物およびレジストパターンの形成方法
- 专利标题（英）：Resist composition, resist protective film composition, and method for forming resist pattern
- 专利标题（中）：耐蚀组合物，耐蚀保护膜组合物和形成耐蚀图案的方法
- 申请号：PCT/JP2008/056170 申请日：2008-03-28
- 公开(公告)号：WO2008120743A1 公开(公告)日：2008-10-09
- 发明人： 代田 直子 , 武部 洋子 , 村田 浩一 , 横小路 修
- 申请人： 旭硝子株式会社 , 代田 直子 , 武部 洋子 , 村田 浩一 , 横小路 修
- 申请人地址： 〒1008405 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 旭硝子株式会社,代田 直子,武部 洋子,村田 浩一,横小路 修
- 当前专利权人： 旭硝子株式会社,代田 直子,武部 洋子,村田 浩一,横小路 修
- 当前专利权人地址： 〒1008405 東京都千代田区有楽町一丁目１２番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 泉名 謙治 et al.
- 优先权： JP2007-093222 20070330; JP2007-261186 20071004
- 主分类号： C08F36/20
- IPC分类号： C08F36/20 ; G03F7/039 ; G03F7/11 ; G03F7/38
摘要：
レジスト組成物を提供する。 式ＣＦ ２ ＝ＣＦＣＦ ２ Ｃ（Ｘ Ａ ）（Ｃ（Ｏ）ＯＺ Ａ ）（ＣＨ ２ ） ｎａ ＣＲ Ａ ＝ＣＨＲ Ａ で表される化合物の重合により形成された繰り返し単位（Ａ）を有する重合体（ＰＡ）を含むレジスト組成物（ただし、Ｘ Ａ は水素原子、シアノ基または式－Ｃ（Ｏ）ＯＺ Ａ で表される基を示し、Ｚ Ａ は水素原子または炭素数１～２０の１価有機基を示し、ｎａは０、１または２を示し、Ｒ Ａ は水素原子または炭素数１～２０の１価有機基であって、２個のＲ Ａ は同一であってもよく異なっていてもよい。）。
摘要（中）：
公开了抗蚀剂组合物。 具体公开的是含有具有重复单元（A）的聚合物（PA）的抗蚀剂组合物，该重复单元通过聚合由下式表示的化合物形成：CF 2 2 = CFCF 2 C（X A ）（C（O）OZ A ）（CH 2 ） NA CR A = CHR A 。 （式中，X A表示氢原子，氰基或下式表示的基团：-C（O）OZ A; Z < A 表示氢原子或具有1-20个碳原子的一价有机基团; n a表示0,1或2; R A表示氢原子或具有1个碳原子的一价有机基团 -20个碳原子，两个R a可以彼此相同或不同。）
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08F | 仅用碳—碳不饱和键反应得到的高分子化合物 |
| ------C08F36/00 | 具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物，至少有1个不饱和脂族基具有两个或更多的碳—碳双键 |
| --------C08F36/02 | .只有两个碳—碳双键的基团 |
| ----------C08F36/20 | ..非共轭的 |