基本信息:
- 专利标题： LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF PHASE CHANGE MEMORY MATERIALS
- 专利标题（中）：相变记忆材料的低温沉积
- 申请号：PCT/US2007063832 申请日：2007-03-12
- 公开(公告)号：WO2007133837A3 公开(公告)日：2008-03-13
- 发明人： ROEDER JEFFREY F , BAUM THOMAS H , HENDRIX BRYAN C , STAUF GREGORY T , XU CHONGYING , HUNKS WILLIAM , CHEN TIANNIU , STENDER MATTHIAS
- 申请人： ADVANCED TECH MATERIALS , ROEDER JEFFREY F , BAUM THOMAS H , HENDRIX BRYAN C , STAUF GREGORY T , XU CHONGYING , HUNKS WILLIAM , CHEN TIANNIU , STENDER MATTHIAS
- 专利权人： ADVANCED TECH MATERIALS,ROEDER JEFFREY F,BAUM THOMAS H,HENDRIX BRYAN C,STAUF GREGORY T,XU CHONGYING,HUNKS WILLIAM,CHEN TIANNIU,STENDER MATTHIAS
- 当前专利权人： ADVANCED TECH MATERIALS,ROEDER JEFFREY F,BAUM THOMAS H,HENDRIX BRYAN C,STAUF GREGORY T,XU CHONGYING,HUNKS WILLIAM,CHEN TIANNIU,STENDER MATTHIAS
- 优先权： US80010206 2006-05-12
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350°C, with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.
摘要（中）：
一种用于在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中，在温度低于350℃的条件下，在产生硫属化物合金沉积的条件下，在温度低于350℃的条件下，基板与相变存储器硫族化合物的前体接触， 通过化学气相沉积或原子层沉积进行接触。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。