基本信息:
- 专利标题： 多孔質膜の成膜方法およびコンピュータ可読記録媒体
- 专利标题（英）：Method of forming porous film and computer-readable recording medium
- 专利标题（中）：形成多孔膜和计算机可读记录介质的方法
- 申请号：PCT/JP2007/050284 申请日：2007-01-12
- 公开(公告)号：WO2007080944A1 公开(公告)日：2007-07-19
- 发明人： 大島 康弘 , 井出 真司 , 柏木 勇作 , 宮谷 光太郎
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社 , 大島 康弘 , 井出 真司 , 柏木 勇作 , 宮谷 光太郎
- 申请人地址： 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo JP
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社,大島 康弘,井出 真司,柏木 勇作,宮谷 光太郎
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社,大島 康弘,井出 真司,柏木 勇作,宮谷 光太郎
- 当前专利权人地址： 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目３番６号 Tokyo JP
- 代理机构： 伊東 忠彦
- 优先权： JP2006-005928 20060113
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316
摘要：
有機シリコン化合物原料を使ったプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯＣＨ膜の表面を酸素プラズマ処理して表面緻密化層を形成し、さらに水素プラズマ処理により、表面緻密化層の下のＳｉＯＣＨ膜から、ＣＨｘ基やＯＨ基を、前記表面緻密化層を介して、制御されたレートで放出させ、安定に多孔質低誘電率膜を形成する。
摘要（中）：
对使用有机硅化合物的原料的等离子体CVD技术制造的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，从而形成表面致密化层，进一步进行氢等离子体处理，由此以CHx基和OH基的控制速率发光 来自SiOCH膜的表面致密化层位于表面致密层下面。 因此，稳定地形成具有低介电常数的多孔膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |