基本信息:
- 专利标题： イソシアヌル酸化合物と安息香酸化合物との反応生成物を含む反射防止膜形成組成物
- 专利标题（英）：Composition for antireflection film formation, comprising product of reaction between isocyanuric acid compound and benzoic acid compound
- 专利标题（中）：用于抗反应膜形成的组合物，包含异氰酸酯化合物和苯甲酸化合物之间的反应产物
- 申请号：PCT/JP2005/017735 申请日：2005-09-27
- 公开(公告)号：WO2007036982A1 公开(公告)日：2007-04-05
- 发明人： 岸岡 高広 , 坂本 力丸 , 丸山 大輔
- 申请人： 日産化学工業株式会社 , 岸岡 高広 , 坂本 力丸 , 丸山 大輔
- 申请人地址： 〒1010054 東京都千代田区神田錦町3丁目7番地1 Tokyo JP
- 专利权人： 日産化学工業株式会社,岸岡 高広,坂本 力丸,丸山 大輔
- 当前专利权人： 日産化学工業株式会社,岸岡 高広,坂本 力丸,丸山 大輔
- 当前专利权人地址： 〒1010054 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１ Tokyo JP
- 代理机构： 萼 経夫 et al.
- 主分类号： G03F7/11
- IPC分类号： G03F7/11 ; H01L21/027
摘要：
This invention provides an antireflection film, which has high reflected light preventive effect, does not cause intermixing with a photoresist, can form a photoresist pattern having no significant hemming bottom, and can be used in a lithographic process using irradiation light such as ArF excimer laser and F2 excimer laser, and a composition for the formation of this antireflection film. The composition for antireflection film formation comprises a product of a reaction between an isocyanuric acid compound containing two or three 2,3-epoxypropyl groups and a benzoic acid compound.
摘要（中）：
本发明提供了具有高反射防光效果的防反射膜，不会引起与光致抗蚀剂的混合，可以形成无明显折边的光致抗蚀剂图案，并可用于使用诸如ArF准分子激光器 和F2准分子激光，以及用于形成该抗反射膜的组合物。 用于防反射膜形成的组合物包含含有两个或三个2,3-环氧丙基的异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物之间的反应的产物。