发明申请
WO2005112123A3 FABRICATION OF NONPOLAR INDIUM GALLIUM NITRIDE THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES AND DEVICES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： FABRICATION OF NONPOLAR INDIUM GALLIUM NITRIDE THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES AND DEVICES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
- 专利标题（中）：通过金属化学气相沉积制备非金属氮化物薄膜，异质结构和器件
- 申请号：PCT/US2005015774 申请日：2005-05-06
- 公开(公告)号：WO2005112123A3 公开(公告)日：2006-12-28
- 发明人： CHAKRABORTY ARPAN , HASKELL BENJAMIN A , KELLER STACIA , SPECK JAMES S , DENBAARS STEVEN P , NAKAMURA SHUJI , MISHRA UMESH K
- 申请人： UNIV CALIFORNIA , CHAKRABORTY ARPAN , HASKELL BENJAMIN A , KELLER STACIA , SPECK JAMES S , DENBAARS STEVEN P , NAKAMURA SHUJI , MISHRA UMESH K
- 专利权人： UNIV CALIFORNIA,CHAKRABORTY ARPAN,HASKELL BENJAMIN A,KELLER STACIA,SPECK JAMES S,DENBAARS STEVEN P,NAKAMURA SHUJI,MISHRA UMESH K
- 当前专利权人： UNIV CALIFORNIA,CHAKRABORTY ARPAN,HASKELL BENJAMIN A,KELLER STACIA,SPECK JAMES S,DENBAARS STEVEN P,NAKAMURA SHUJI,MISHRA UMESH K
- 优先权： US56974904 2004-05-10
- 主分类号： H01L29/04
- IPC分类号： H01L29/04 ; H01L21/205 ; H01L29/15 ; H01L29/20 ; H01L31/0312 ; H01L33/00 ; H01S5/02 ; H01S5/343
摘要：
A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.
摘要（中）：
制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。