基本信息:
- 专利标题： HIGH POWER VCSELS WITH TRANSVERSE MODE CONTROL
- 专利标题（中）：具有横向模式控制的高功率VCSELS
- 申请号：PCT/US2005009478 申请日：2005-03-21
- 公开(公告)号：WO2005089521A3 公开(公告)日：2006-12-07
- 发明人： SAMAL NIGAMANANDA , JOHNSON SHANE , ZHANG YONG-HANG
- 申请人： UNIV ARIZONA , SAMAL NIGAMANANDA , JOHNSON SHANE , ZHANG YONG-HANG
- 专利权人： UNIV ARIZONA,SAMAL NIGAMANANDA,JOHNSON SHANE,ZHANG YONG-HANG
- 当前专利权人： UNIV ARIZONA,SAMAL NIGAMANANDA,JOHNSON SHANE,ZHANG YONG-HANG
- 优先权： US55486504 2004-03-19
- 主分类号： H01S3/102
- IPC分类号： H01S3/102 ; H01S3/038 ; H01S5/183
摘要：
A single mode high power laser device such as a VCSEL is formed with two oxide apertures, one on each side of the active region or cavity. The sizes of the apertures and the distances from the apertures to the cavity center are chosen or optimum, near-Gaussian current density distribution. The high power of a VCSEL thus formed is improved still more by good heat removal by either formation of a via through the substrate and gold plating on top and bottom of the VCSEL (including the via) or by lifting the VCSEL structure from the substrate and locating it on a heat sink.
摘要（中）：
诸如VCSEL的单模高功率激光器件形成有两个氧化物孔，一个在有源区或空腔的每一侧上。 选择孔径的尺寸以及从孔到腔中心的距离或最佳的近似高斯电流密度分布。 通过在VCSEL（包括通孔）的顶部和底部形成通孔以及通过衬底的顶部和底部的金镀层或者通过从衬底提升VCSEL结构，通过良好的散热来改善如此形成的VCSEL的高功率，以及 将其放在散热器上。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S3/00 | 激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调制、解调或变频的器件 |
| --------H01S3/10 | .控制辐射的强度、频率、相位、极化或方向，例如开关、选通、调制或解调 |
| ----------H01S3/102 | ..由控制激活媒质，例如通过控制激励的方法或设备 |