基本信息:
- 专利标题： TRENCH GATE FIELD EFFECT DEVICES
- 专利标题（中）：TRENCH门式场效应器件
- 申请号：PCT/JP2004/016792 申请日：2004-11-05
- 公开(公告)号：WO2005048352A1 公开(公告)日：2005-05-26
- 发明人： HOTTA, Koji , KAWAJI, Sachiko , USUI, Masanori , SUGIYAMA, Takahide
- 申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA , HOTTA, Koji , KAWAJI, Sachiko , USUI, Masanori , SUGIYAMA, Takahide
- 申请人地址： 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 471-8571 JP
- 专利权人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA,HOTTA, Koji,KAWAJI, Sachiko,USUI, Masanori,SUGIYAMA, Takahide
- 当前专利权人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA,HOTTA, Koji,KAWAJI, Sachiko,USUI, Masanori,SUGIYAMA, Takahide
- 当前专利权人地址： 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 471-8571 JP
- 代理机构： TOKKYO GYOUMU HOUJIN KAIYU KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO
- 优先权： JP2003-382834 20031112
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739
摘要：
The present invention provides a technique for accumulating minority carriers in the body region, that is, the intermediate region interposed between the top region and the deep region, and thus increasing the concentration of minority carriers in the intermediate region. A semiconductor device has a top region (34) of a second conductivity type, a deep region (26) of the second conductivity type, and an intermediate region (28) of a first conductivity type for isolating the top region and the deep region. The semiconductor device further has a trench gate (32) facing a portion of the intermediate region via an insulating layer (33). The portion facing the trench gate isolates the top region and the deep region. The trench gate extends along a longitudinal direction. The width of the trench gate is not uniform along the longitudinal direction; instead the width of the trench gate varies along the longitudinal direction.
摘要（中）：
本发明提供一种用于在身体区域中累积少数载流子的技术，即介于顶部区域和深部区域之间的中间区域，从而增加中间区域中的少数载流子的浓度。 半导体器件具有第二导电类型的顶部区域（34），第二导电类型的深度区域（26）和用于隔离顶部区域和深度区域的第一导电类型的中间区域（28）。 半导体器件还具有通过绝缘层（33）与中间区域的一部分相对的沟槽栅极（32）。 面向沟槽栅的部分隔离了顶部区域和深部区域。 沟槽门沿纵向方向延伸。 沟槽栅的宽度沿纵向不均匀; 相反，沟槽栅的宽度沿着纵向方向变化。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |